- •М инистерство образования российской федерации
- •Глава 1. Введение в электронную теорию твердого тела 5
- •Глава 2. Теория и практика эмиссионных процессов. 21
- •Глава 3. Электронно-вакуумные приборы с электростатическими полями 69
- •Глава 4. Теория и практика фокусировки и управления электронными пучками в электромагнитных полях 95
- •Глава 5. Электронно-лучевые приборы 133
- •Глава 6. Газоразрядная и плазменная электроника 158
- •Глава 1.
- •1.1.Энергия связи в твердом теле.
- •2.1. Металлическое состояние.
- •3.1. Состояние электрона в кристаллической решетке
- •4.1.Статистика электронов в кристаллической решетке металла.
- •5.1.Энергия Ферми.
- •6.1. Плотность электронных состояний.
- •7.1. Особенности зонной структуры ионных и ковалентных кристаллов.
- •8.1.Особенности положения уровня Ферми в полупроводниках.
- •Глава 2.
- •1.2. Работа выхода электрона из твердых тел.
- •2.2. Термоэлектронная эмиссия
- •1.3. Термоэлектронные катоды.
- •1.1.3. Металлические катоды.
- •2.1.3. Пленочные катоды
- •3.1.3. Оксидные катоды.
- •4.1.3. Способы нагрева катодов.
- •4.2. Закон Лэнгмюра-Богуславского.
- •4.2. Эффект Шоттки.
- •6.2. Автоэлектронная эмиссия.
- •6.2. Взрывная эмиссия.
- •8.2 Автоэмиссионные катоды.
- •7.2. Вторичная электронная эмиссия
- •8.2. Фотоэлектронная эмиссия.
- •10.2 Фотокатоды.
- •1.10.2. Фотокатоды для видимой области спектра.
- •2.10.2 Фотокатоды для ультрафиолетовой области.
- •3.10.2. Фотокатоды для инфракрасной области.
- •11.2 Аноды электронно-вакуумных приборов.
- •12.2 Управление электронным потоком
- •Глава 3.
- •1.3.Рентгеновские трубки.
- •Длина волны характеристических линий и потенциал возбуждения к-серии ряда элементов.
- •1.1.3 Области применения и конструктивные
- •2.1.3. Двухэлектродные трубки для просвечивания.
- •3.1.3. Импульсные рентгеновские трубки.
- •4.1.3. Трубки для диагностики биологических объектов.
- •5.1.3. Трубки для рентгенотерапии.
- •6.1.3. Рентгеновские трубки для радиационной химии
- •7.1.3. Рентгеноструктурный анализ.
- •8.1.3. Рентгеноспектральный анализ
- •9.1.3. Бескристальные спектрометры
- •2.3. Электронно-ионный микроскоп.
- •3.3. Фотоэлектронный умножитель.
- •Глава 4
- •1.4.Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Уравнения движения.
- •2.4. Аналогия между движением заряженных частиц в электростатическом поле и распространением световых лучей в прозрачной среде.
- •3.4. Центрированные электронно-оптические системы.
- •4.4. Фокусировка электронных пучков в аксиально-симметричных
- •1.4.4. Катодная линза.
- •2.4.4. Электронные пушки.
- •3.4.4. Автоэмиссионные пушки.
- •4.4.4. Электронный прожектор.
- •5.4.4. Электростатические системы управления электронным лучом.
- •6.4.4. Анализатор скорости заряженных частиц.
- •7.4.4. Осциллографическая трубка.
- •5.4. Фокусировка и управление потоком заряженных частиц в постоянных магнитных полях.
- •1.5.4. Конструкции магнитных линз.
- •2.5. 4. Дефекты электронно-оптических линз.
- •3.5.4. Отклонение заряженных частиц магнитным полем.
- •Глава 5
- •1.5. Кинескопы.
- •2.5 Электронно-оптический преобразователь.
- •3.5. Электронные микроскопы.
- •1.3.5. Принцип работы электронных микроскопов.
- •2.3.5. Просвечивающие электронные микроскопы.
- •3.3.5. Рентгеновские микроанализаторы.
- •4.3.5. Растровые электронные микроскопы.
- •Глава 6.
- •1.6. Слабоионизированные газы.
- •2.6. Ионизация газа, находящегося в термодинамическом равновесии.
- •3.6. Диффузионный ток.
- •4.6. Проводимость
- •5.6. Ударная ионизация
- •6.6. Вольтамперная характеристики газового разряда.
- •1.6.6. Несамостоятельный газовый разряд.
- •2.6.6. Самостоятельный газовый разряд.
- •7.6. Газоразрядные приборы с холодным катодом
- •1.7.6. Дуговые разрядники.
- •2.7.6. Газоразрядные источники света.
- •3.7.6. Лампы тлеющего свечения (лтс).
- •4.7.6. Стабилитрон тлеющего разряда.
- •5.7.6. Многоэлектродные газоразрядные приборы тлеющего разряда.
- •6.7.6. Тиратрон тлеющего разряда.
- •7.7.6. Тиратроны дугового разряда.
- •8.6. Дисплеи с плазменной панелью.
- •1.8.6.Структура ячейки
8.1.Особенности положения уровня Ферми в полупроводниках.
У полупроводников положение уровня Ферми в энергетической схеме их зонной структуры зависит от температуры, концентрации примесей и расположения примесных уровней рис.9.1. Для полупроводников с собственной проводимостью положение уровня Ферми определяется из равенства:
Ef= (17.1)
Рис. 9.1. Положение уровня Ферми в зонной структуре собственных (а) и легированных (б, в)полупроводников.
где: Δ - ширина запрещенной зоны полупроводника, mд и mэ – эффективная масса электронов и дырок. При условии mд = mэ уровень Ферми находится в середине энергетической щели между потолком (Ев) валентной зоны и дном (Еп) зоны проводимости (рис.9.1,а). Если mд > mэ, то уровень Ферми смещен в сторону зоны проводимости.
У полупроводника n-типа при Т=0 уровень Ферми расположен в середине между уровнями доноров (Еd) и дном зоны проводимости (рис. 9.1,в). Это обусловлено тем, что в данном случае появление электронов проводимости связано с образованием дырок не в валентной зоне, а на уровнях доноров. В случае акцепторных примесей (рис.9.1,б) уровень Ферми находится при Т=0 посередине между акцепторными (Ea) уровнями и потолком валентной зоны. При увеличении температуры смещается по направлению к середине щели между зоной проводимости и валентной зоной.
Задачи.
1.1. Чем принципиально отличаются квантовые статистики от классической статистики?
2.1. Как образуются энергетические зоны в кристаллах твердых тел?
3.1. Как в зонной теории рассматриваются различия металлов, полупроводников и диэлектриков?
4.1. Численные значения энергии связи в твердых телах можно выразить при помощи любой из энергетических единиц. Чаще всего используют следующие единицы: кал/моль, Дж/кмоль, эВ/атом. Сколько Дж/моль соответствует энергии связи равной 1эв/атом?
6.1. Энергия ионизации свободного атома натрия составляет примерно
109 кДж при комнатной температуре. Вычислить энергию Еатом, которая была определена в разделе 5.1.
7.1. Алюминий имеет гранецентрированную кубическую решетку. На каждый атом алюминия приходится три валентных электрона. Сколько заряда не хватает для образования насыщенной ковалентной связи?
8.1 Экспериментальное значение энергии Ферми для лития при Т=0 К равно 3,5 эВ. Какое значение эффективной массы, надо принять, чтобы получить согласие между теоретическим и экспериментальным значениями энергии Ферми. Ответ ≈11,510-31кг.
9.1. Какова вероятность того, что электрон в металле будет иметь энергию равную энергии Ферми? Ответ 0,5.
10.1. Каковы соответственно вероятности того, что электрон при комнатной температуре (кТ=0,025эВ) займет следующие состояния: на 0,1 эВ выше и на 0,1 эВ ниже уровня Ферми? Ответ 1.7910-2, 0.5.
Глава 2.
ТЕОРИЯ И ПРАКТИКА ЭМИССИОННЫХ ПРОЦЕССОВ.
Электронная эмиссия это процесс испускания электронов с поверхности твердых тел в результате внешнего воздействия. Наблюдается при облучении электромагнитным излучением (фотоэлектронная эмиссия), бомбардировке электронами (вторичная эмиссия), при нагревании твердых тел (термоэлектронная эмиссия), при наложении сильных электрических полей (106 В ∕ см) (автоэлектронная эмиссия). В результате одновременного воздействия двух или более факторов могут возникать термоавтоэлектронная, фотоавтоэлектронная и другие виды эмиссий. В очень сильных импульсных электрических полях (~5107 В/см) автоэлектронная эмиссия приводит к быстрому разрушению (взрыву) микроострий неизбежно присутствующих на поверхности испускающей электроны и к образованию плотной плазмы. Взаимодействие плазмы с поверхностью вызывает резкое увеличение тока электронной эмиссии (взрывная электронная эмиссия).