- •Оглавление
- •Классификация мэт
- •Проводниковые материалы
- •Физическая природа электропроводности металлов
- •Зависимость электропроводности металлов от температуры и примеры
- •Электрические свойства металлических сплавов
- •Сопротивление проводников на высоких частотах
- •Сопротивление тонких металлических плёнок. Размерный эффект
- •Контактные явления в металлах
- •Материалы высокой проводимости. Медь
- •Алюминий
- •Сверхпроводящие металлы и сплавы
- •Специальные сплавы
- •Сплавы для термопар
- •Сплавы для корпусов приборов
- •Тугоплавкие металлы
- •Благородные металлы
- •Неметаллические проводящие материалы
- •Полупроводники. Классификация полупроводниковых материалов
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Температурная зависимость концентрации носителей заряда.
- •Подвижность носителей заряда в полупроводниках
- •Электрофизические явления в полупроводниках.
- •Кремний
- •Физико-химические и электрические свойства Si
- •Марки кремния.
- •Германий
- •Физико-химические и электрические свойства германия
- •Карбид кремния (SiC)
- •Полупроводниковые соединения аiii вv
- •Твердые растворы на основе аiii вv
- •Полупроводниковые соединения aiibvi и трз на их основе
- •Полупроводниковые соединения aivbvi и трз на их основе
- •Диэлектрики, классификация, основные свойства
- •Электропроводность диэлектриков
- •Потери в диэлектриках
- •Пробой диэлектриков
- •Полимеры в электронной технике
- •Композиционные пластмассы и пластики
- •Электроизоляционные компаунды
- •Неорганические стекла
- •Ситаллы
- •Керамики
- •Активные диэлектрики
- •Сегнетоэлектрики
- •Пьезоэлектрики
- •Пироэлектрики
- •Электреты
- •Жидкие кристаллы
- •Материалы для твердотельных лазеров
- •Магнитные материалы. Их классификация
- •Магнитомягкие материалы
- •Магнитотвердые материалы
- •Технология получения материалов электронной техники Методы получения тонких пленок
- •Вакуумные методы. Термическое вакуумное напыление.
- •Кинетика процесса конденсации. Роль подложки
- •Создание вакуума в вакуумных установках
- •Измерение вакуума
- •Вакуумные установки термического напыления
- •Катодное вакуумное распыление (диодное)
- •Ионно - плазменное распыление
- •Эпитаксиальные процессы в технологии материалов электронной техники
- •Механизм процесса эпитаксии
- •Автоэпитаксия кремния
- •Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксия полупроводниковых соединений аiiibv и трз на их основе
- •Температурно - временной режим эпитаксии
- •Эпитаксия SiC
- •Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев
- •Элионные технологии
- •Ионно-лучевые установки
- •Механическая обработка полупроводниковых материалов
- •Шлифование и полирование пластин
- •Химическая обработка поверхности полупроводника
- •Методы отчистки поверхности
- •Фотолитография (операции, материалы)
- •Нанотехнология, определения и понятия
- •Инструменты для измерения наноструктур
- •Наноструктуры и наноустройства
- •Методы нанотехнологий
Потери в диэлектриках
Д иэлектрическими потерями называют электрическую мощность, затраченную на нагрев Д, находящегося в электрическом поле. В инженерной практике для характеристики способности диэлектрика рассеивать энергию в электрическом поле используют угол диэлектрических потерь, а также тангенс этого угла. Углом диэлектрических потерь называют угол дополняющий до 90 градусов угол сдвига фаз между I и Uв емкостной цепи.
Для цепи
Для идеального диэлектрика = 0. Чем больше рассеивается мощность, тем больше .
Материалы, используемые в установках с высоким напряжением, и высокочастотной аппаратуре должны иметь малое значение и . Большие диэлектрические потери приводят к нагреву изделия и могут привести к его разрушению.
Виды диэлектрических потерь:
Потери на электропроводность (обнаруживаются в диэлектриках, имеющих заметную электропроводность объема или поверхности. Не зависят от частоты U. tg=(1.8*1010*)/).
Релаксационные потери (обнаруживаются в диэлектриках, обладающими замедленными видами поляризации и проявляются в области высоких частот).
Ионизационные потери – свойственны диэлектрикам в газообразном состоянии.
Резонансные потери – наблюдаются в некоторых газах при строго определенной частоте и связаны с сильным поглощением электромагнитного излучения.
Диэлектрические потери в газах очень малы при U ниже Uкр. Связаны они в основном с электропроводностью. Также они незначительны в неполярных жидкостях без примесей (пример, чистое конденсаторное масло).
В полярных жидкостях из-за дипольно-релаксационных потерь, особенно в вязких жидкостях, общие потери значительно выше, чем на электропроводность. Особенно их увеличивает повышение частоты (полярные жидкости нельзя использовать в высокочастотных устройствах).
В твердых диэлектриках потери зависят от структуры материала, а в веществах с молекулярной структурой от вида молекул.
Для материалов с неполярными молекулами мала (сера, полиэтилен, полистирол). Их можно использовать в высокочастотных устройствах. В случае полярных молекул может быть очень большим, особенно на радиочастотах, (гетинакс, лавсан, капрон, фенол – формальдегидные смолы, эпоксидные компаунды, кремнийорганика)
В веществах с ионной решеткой в отсутствии примесей и плотной упаковкой ионов мало (корунд, хлорид натрия). При неплотной упаковке ионов велико (некоторые материалы керамик и фарфоров)
В квазиаморфных веществах (стекла) может быть различно и определяется временем релаксации. На высоких частотах могут быть резонансные потери.
Пробой диэлектриков
Я вление образования проводящего канала в диэлектрике под действием электрического поля называется пробоем. Минимальное U, приводящее к пробою называется пробивным напряжением Uпр.
При пробое теряются изоляционные свойства. Предпробойное состояние характеризуется резким ростом тока, отступлением от закона Ома.
За Uпр принимают dI/dU=. Кроме природы материала на Uпр влияет также толщина диэлектрика h, форма электрического поля, конфигурация образца диэлектрика. То есть пробой - это свойства конкретного образца.
Для сравнения свойств различных материалов используют понятие электрической прочности. Это минимальное значение напряженности однородного электрического поля. Eпр=Uпр/h. При уменьшении h, Епр может увеличиться из-за трудностей в формировании разряда.
Пробой в твердом диэлектрике может его разрушить.
Пробой газов наступает как следствие развития процесса ударной ионизации (возбуждение атомов за счет столкновений при направленном движении). Основная роль в ионизации принадлежит электронам из-за их высокой подвижности. Возбуждая молекулы электрон может генерировать фотоны. Они в свою очередь вызывают внутреннюю фотонную ионизацию. В результате возникает проводящий канал – стример. Одновременно к катоду может возникать встречный лавинный поток положительно заряженных частиц (газоразрядная плазма). Если длительность воздействия U мала, то Uпр растет (может увеличиться в 1,5 раза) = Uпр.имп/Uпр. Uпр.имп – коэффициент импульса. Длительность подготовки пробоя на длине равной 1см 10-7 – 10-8с. Епр для воздуха 3,2 МВ/м при р = 0,1 Мпа и l = 1см. При увеличении давления Епр будет более 3,2 МВ/м, а при снижении р Епр сначала несколько уменьшится, а затем в вакууме увеличиться до 102 МВ/м (пробой все равно будет иметь место за счет холодной эмиссии – вырывание электронов с поверхности катода). Сложна также зависимость Uпр от f (сначала Uпр падает с ростом f, а затем возрастает). Значение Uпр минимально при f = 5*106 Гц.
Электрическая прочность Епр зависит также от химического состава газа. Епр для инертных газов меньше Епр воздуха. У SF6 и фреона (CCl2F2) Uпр>Uпр воздуха в 2,5 раза
При неоднородном электрическом поле (два острия) – возникает сначала корона, далее искровой разряд и дуга.
Жидкости имеют более высокие Епр (примеси ее понижают). Пробой может быть следствием перегрева жидкости и ее вскипания в местах нахождения примесей. Повышение f понижает Uпр.
У твердых диэлектриков может быть три механизма пробоя: электрический, тепловой и электрохимический. Они могут быть в одном диэлектрике.
а) электрический пробой. Время развития 10-7 – 10-8с. Сопровождается разрушением диэлектрика в узком канале. Это чисто электронный процесс. Развитие электронной лавины сопровождается фотоионизацией. В канале температура увеличивается вплоть до Тпл, растет давление (возникают трещины). Епр окислов, хлорида натрия может быть больше 1000 МВ/м. Тонкие пленки имеют более высокую Епр, чем массивные образцы. Это свойство называется электрическим упрочением материалов. Оно используется при изоляции элементов микроэлектроники. Так эксплуатационные значения Е в тонких пленках могут достигать 108 В/м. Это значение примерно соответствует пробивным U для объемных образцов.
б) тепловой пробой. Возникает за счет высоких диэлектрических потерь и нарушения теплового равновесия. Сводится к разогреву материала до Тпл и более. Это характеристика не столько материала, а изделия из него (так как влияет Токруж, условия охлаждения, нагревостойкость вещества). Типичный признак теплового пробоя понижение Uпр с ростом Токр.ср, а также уменьшение Епр от времени. Разновидностью теплового пробоя является ионизационный пробой характерный для пористых диэлектриков.
в) электрохимический пробой. Имеет значение при повышенной Т и высокой влажности воздуха, наблюдается при необратимом падении сопротивления (электрохимическое старение). Может иметь место при высоких f из-за электрохимических процессов в порах (восстановление окислов и т.п.). Для его развития требуется длительное время. В материалах содержащих металлы переменной валентности Ti (TiO2 в керамике), встречаются чаще, чем в керамике из окислов Al, Si, Mg, Ba. Характерен для органических материалов.
Поверхностный пробой – пробой газа или жидкости вблизи поверхности твердого тела. Электрическая прочность твердого тела диэлектрика не нарушается, однако образование проводящего канала на поверхности снижает рабочее U изолятора. Зависит от температуры, влажности, давления среды, f. Может быть меньше Uпр для газа в тех же условиях. Для предотвращения поверхностного пробоя увеличивают длину пробивного пути за счет создания ребристой поверхности изоляторов (канавки, утопленные электроды), нанесение защитных изолированных пленок, замена воздуха жидким диэлектриком (трансформаторное масло).