- •Оглавление
- •Классификация мэт
- •Проводниковые материалы
- •Физическая природа электропроводности металлов
- •Зависимость электропроводности металлов от температуры и примеры
- •Электрические свойства металлических сплавов
- •Сопротивление проводников на высоких частотах
- •Сопротивление тонких металлических плёнок. Размерный эффект
- •Контактные явления в металлах
- •Материалы высокой проводимости. Медь
- •Алюминий
- •Сверхпроводящие металлы и сплавы
- •Специальные сплавы
- •Сплавы для термопар
- •Сплавы для корпусов приборов
- •Тугоплавкие металлы
- •Благородные металлы
- •Неметаллические проводящие материалы
- •Полупроводники. Классификация полупроводниковых материалов
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Температурная зависимость концентрации носителей заряда.
- •Подвижность носителей заряда в полупроводниках
- •Электрофизические явления в полупроводниках.
- •Кремний
- •Физико-химические и электрические свойства Si
- •Марки кремния.
- •Германий
- •Физико-химические и электрические свойства германия
- •Карбид кремния (SiC)
- •Полупроводниковые соединения аiii вv
- •Твердые растворы на основе аiii вv
- •Полупроводниковые соединения aiibvi и трз на их основе
- •Полупроводниковые соединения aivbvi и трз на их основе
- •Диэлектрики, классификация, основные свойства
- •Электропроводность диэлектриков
- •Потери в диэлектриках
- •Пробой диэлектриков
- •Полимеры в электронной технике
- •Композиционные пластмассы и пластики
- •Электроизоляционные компаунды
- •Неорганические стекла
- •Ситаллы
- •Керамики
- •Активные диэлектрики
- •Сегнетоэлектрики
- •Пьезоэлектрики
- •Пироэлектрики
- •Электреты
- •Жидкие кристаллы
- •Материалы для твердотельных лазеров
- •Магнитные материалы. Их классификация
- •Магнитомягкие материалы
- •Магнитотвердые материалы
- •Технология получения материалов электронной техники Методы получения тонких пленок
- •Вакуумные методы. Термическое вакуумное напыление.
- •Кинетика процесса конденсации. Роль подложки
- •Создание вакуума в вакуумных установках
- •Измерение вакуума
- •Вакуумные установки термического напыления
- •Катодное вакуумное распыление (диодное)
- •Ионно - плазменное распыление
- •Эпитаксиальные процессы в технологии материалов электронной техники
- •Механизм процесса эпитаксии
- •Автоэпитаксия кремния
- •Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксия полупроводниковых соединений аiiibv и трз на их основе
- •Температурно - временной режим эпитаксии
- •Эпитаксия SiC
- •Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев
- •Элионные технологии
- •Ионно-лучевые установки
- •Механическая обработка полупроводниковых материалов
- •Шлифование и полирование пластин
- •Химическая обработка поверхности полупроводника
- •Методы отчистки поверхности
- •Фотолитография (операции, материалы)
- •Нанотехнология, определения и понятия
- •Инструменты для измерения наноструктур
- •Наноструктуры и наноустройства
- •Методы нанотехнологий
Инструменты для измерения наноструктур
Спектроскопия – важна для изучения наноструктур.Однако из-за λ (400-900 нм) не позволяет изучать сами наноразмерные элементы.
Электрохимические методы позволяют исследовать природу поверхности атомов изучая химические реакции.
Электронная микроскопия – разрешающая способность оптических микроскопов ~ 200 нм. (1/2 λ). Электронные микроскопы: просвечивающие (ПЭМ) и сканирующие (СЭМ). Волновая природа электронов позволяет увеличивать разрешающую способность на 2-3 порядка.
ПЭМ- электронный луч проходит через слой 1 мкм. СЭМ - регистрируется отражение или вторичные электроны с поверхности. Нужен высокий вакуум для тех и других. В ПЭМ электронный луч позволяет получить прямое изображение дефектов или кристаллических структур, анализировать периодичность атомных структур. Разрешающая способность до 0,2 нм, что позволяет получить фото атомов и молекул. Однако сложна методика приготовления образцов. Атомный слой наносят за счет «ионн фрезирования». Развитие СЭМ долго отставало от ПЭМ. Сейчас разрешающая способность до 0,5 нм.
Зондовая микроскопия. СТМ - сканирующая туннельная микроскопия. АСМ – атомарно силовая микроскопия. СОМБП- сканирующий оптический микроскоп ближнего поля. Все они сканируют поверхность при помощи зонда или щупа в виде супериголки. Имеют повышенное разрешение по вертикальной координате (профилю) с точностью до размеров отдельных атомов.
В СТМ (1981 г.) атомарная структура изучается путем измерения туннельного тока, проникающего между зондом и поверхностью образца, который должен быть электропроводящим. Величина туннельного тока определяется структурными особенностями поверхности. Она позволяет контролировать положение отдельных атомов с точностью нескольких Ă. (предел существующих методик). Зонд находится на расстоянии 1 мкм. Разрешение определяется «остротой» зонда. Лучшее разрешение, когда на острие 1 атом.
В АСМ (1986 г.) используется измерение межатомарных сил. Здесь зонд (кантиллевер) прикреплен к концу плоской пружины и его положение определяется величиной отталкивания, которая может быть выражена в Ньютонах. Положение зонда регистрируются по отклонению луча лазера. Разрешение вплоть до 1 Ă. Используется для диэлектрических материалов. Позволяет изучать не только рельеф, но и магнитные, адсорбционные, электростатические свойства.
СОМБП (1992 г.). Принцип работы – регистрация полного отражения света от облученной поверхности на расстояниях много < λ падающего света. Разрешение доведено 20 нм. Позволяет получать информацию о строении поверхности.
Наноструктуры и наноустройства
Углеродные нанотрубки. Эта новая кристаллическая форма углерода открытая в 1991 г. Имеют цилиндрическую форму в сечении шестигранник или круг. Диаметр от 0,5 до 10 нм, длина = 1 мкм. Это новое вещество или материал для увеличения степени интеграции полупроводниковых структур и функциональных элементов, для поглощения и удерживания в больших количествах Н2 (водородная энергетика), материал для низкотемпературных катодов в телевизионной технике, позволяя уменьшить ∆U с 10 KV до 500 V.
Устройства записи информации. Максимальная плотность записи на магнитных носителях ограничена 100 Гбит/кв дюйм и практически достигнута. Уменьшение кристаллитов магнитных материалов до 10 нм с индивидуальным управлением и однородной структурой позволит увеличить плотность до 1 Терабита/кв.дюйм (1 домен 1 бит). Другое направление – оптическая запись. Сейчас лазерным лучом (680 нм) достигается плотность до 40 Гбит. Однако за счет излучения ближнего поля можно увеличить плотность записи в 1000 раз. (Длина волны излучения ближнего поля намного меньше рентгеновского излучения). Для технической реализации необходимо сужающее к острию оптическое волокно, в острие которого есть отверстие диаметром несколько десятков нм и острие должно находиться на расстоянии = 10 ÷ 20 нм от записывающего диска. Это позволит обойти дифракционные ограничения. Техника считывания аналогична. Нужны сверхтонкие оптические волокна.
Квантовые точки – искусственно созданная область вещества, в которой может храниться небольшое количество электронов. Это позволяет в полупроводниковых устройствах в отличие от существующего потока электронов управлять поведением вплоть до одного электрона. Это позволит создать: одноэлектронные транзисторы, запоминающие устройства (уже есть с памятью 128 Мбит), использовать фотодинамический эффект в медицине. Квантовые точки могут формироваться самосборкой за счет самообразования атомов на поверхности.
Наноструктурированные оптической среды (~n) – наностекла это нанопленки в виде плоских сот, заполненных кристаллитами других материалов. Сочетание аморфной стенки соты и вещества в сотах позволяет изменять оптические свойства (показатель преломления). Это новый принцип записи информации (есть уже с памятью до 100 Гбит/кв.дюйм)
Биодатчики (лаборатория на чипе) – микрокапсулы, содержащие вещества, обладающие свойством молекулярной избирательности – т.е находить и присоединяться к заданным органам и тканям и отслеживать реакцию организма. Далее они могут оповещать врача или вводить лекарственные препараты (электронные насосы).
Квантовые компьютеры перерабатывают информацию на основе законов квантовой механики, используя представление о кубите (кв. бите информации, базирующееся на комбинации состояний 0 и 1 0+0; 0+1; 1+0; 1+1) вместо 0 и 1. Скорость работы увеличивается во много раз.
Интеллектуальные материалы – могут менять свои свойства, основываясь на внешнем ключе (фоторефрактивные полимеры – изменяют пропускание света от освещенности)
Самособирающиеся и самовосстанавливающиеся структуры – биоструктуры формируются самосборкой по молекулярному шаблону (кость) и способы залечивать свои повреждения.
Преобразователи энергии и новые источники энергии. Элемент Гретцеля (швейцарские часы) соответствующая молекула окрашенного вещества поглощает квант солнечной энергии и переходит на более высокий энергетический уровень. Далее происходит разделение заряда («-» передается наночастице TiO2). Затем ей позволяют рекомбинировать, использую электрохимическую реакцию, и поглощенная энергия выделяется в виде электрического тока.
Нанофильтрация. Нанокатализаторы. Нанокомпозиционные материалы с высокой прочностью.
Инкапсуляция – заключение ферментов, молекул, лекарств в полупроницаемую оболочку и доставка их к месту лечения.
Молекулярные моторы - выработки и преобразование энергии молекулярными струями, например аминазинтрифосфатом Na/K (центральный элемент наноструктуры вращается как ротор двигателя).
Белковая и генная инженерия
Нейроэлектрические интерфейсы соединяют с помощью молекулярных структур нервную систему человека с компьютером. Компьютер может анализировать информацию нервной системы и давать сигналы мозгу.
Искусственный фотосинтез.