Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Слободенюк, Г. И. Квадрупольные масс-спектрометры

.pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
16.18 Mб
Скачать

М.макс* будет меньше, чем получилось при расчете. Уве­ личение динамического диапазона на порядок (т. е. при D=107), что уже близко к пределу (см. гл. 6), даст при Мтр, равном 50 а.е.м., МмакС1 =44 400 а.е.м. Такой результат получится при D = 106 и увеличении Мгр на по­ рядок (500 а. е. м.), что достигается ухудшением абсо­ лютной разрешающей способности на порядок [см. вы­ ражение (5.4)] или уменьшением в три с лишним раза впускного отверстия в анализаторе КМ.

§ 18. Влияние электрической прочности вакуума и точности изготовления анализатора на М макс

Из выражения (5.1) следует, что диапазон анализи­ руемых масс можно расширить увеличением напряже­ ния, подаваемого на полеобразующие электроды анали­ затора КМ. Однако увеличение V(U) при сохранении не­ изменной геометрии анализатора не беспредельно. Оно ограничено некоторым критическим значением напряжен­ ности электрического поля, вызывающим пробой между соседними электродами. Несложный расчет показывает, что напряженность поля в квадрупольном конденсаторе, образованном четырьмя цилиндрическими электродами, максимальна вблизи той части поверхности электродов, которая расположена в месте кратчайшего расстояния между разнополярными электродами:

Е =

V Е\ + Е2у =■- 2[(U + V cos (£>t)lrV\ V х2 +

f , (5.9)

где х =

l,16r0/ [ / 2 и у = 2,16r0 — l,16r0/j/2 .

Подстав­

ляя значения x и у в выражение (5.9) и полагая в чис­ лителе cos u>t= 1, получаем

£

= £ Макс = 3,14(£/ + К)/г0.

(5.10)

Подставляя в формулу (5.10) значение V из

(5.1) и имея

в виду, что U ^

0,167 V, находим:

 

 

£ макс > 26,5М/%.

(5.11)

Поскольку не вполне ясно, до какой степени можно довести уменьшение значений f и г0, чтобы обеспечить получение М м а К с , исключим из (5.11) величину f с по­ мощью выражения (2.69), а величину г0 — с помощью соотношения, определяющего допустимые с точки зрения

100

достижения требующейся в КМ разрешающей способно­ сти отклонения радиуса поля от номинальной величины. Указанные соотношения можно найти, рассчитывая ве­ личину da/a и приравнивая ее нулю — коэффициент в уравнении Матье (1.15)]:

da/a = dU/U dm/m — 2drjr0— 2d(o/« = 0. (5.12)

Переходя от дифференциалов к абсолютным конечным приращениям, заменяя т на М и приравнивая dU и day к 0, из выражения (5.12) находим:

г0 = 2MArjAM.

(5.13)

Подставляя в (5.11) значения f и го из (2.69) и (5.13) соответственно и разрешая найденное выражение отно­ сительно М, получаем:

Л4макс < 0 ,0 3 5 4 -^ -

(

.

__L_V/2

(5.14)

Л'/3

\

^уск

/

 

Максимальное значение отношения L/Дго зависит от прецезионности оборудования, на котором изготавливают полеобразующие электроды анализатора, и от точности сборки анализатора. Точность изготовления электродов и арматуры, удерживающей их в пространстве, по 1 классу позволяет достичь отношения L/Ar0 не более 105. Отсюда, зная Дг0, можно определить максимально допустимую длину анализатора. Так, при Дг0^ 2 мкм = = 2-10-4 см L ^ 2 0 см. Для обеспечения эффективной экстракции ионов из ионного источника значение UycK должно быть по крайней мере на 1,5—2 порядка выше тепловой энергии молекул и ионов, находящихся в ионном источнике. Если температура среды в ионном

источнике составляет примерно 500° К,

то

в

пересчете

на энергию

это составит (3/2) kT ^ 0,065

эв. Значит не­

обходимо,

чтобы Дуск.М1га> 0,065 • 40 ss 3

в.

Значения

Л 2н и ДМ определяются специальными

требованиями в

каждом конкретном случае. Для обычных газоаналитиче- ' ских целей АМ —1 а. е. м. и Л2Н= 20.

Значение Емако (согласно теории явления электриче­ ского разряда в вакууме и газах) зависит от давления Р

врабочей камере следующим образом [38]:

Е= С3/[Я In (CiP/oc)],

101

где

Ci и С2— постоянные, определяемые опытным

пу­

тем;

а — коэффициент объемной ионизации [39].

При­

чем при Р-»-0 £->-оо. На основе многочисленных опыт­ ных данных доказано, что при высоком и сверхвысоком вакууме пробой начинается с явления автоэлектронной

эмиссии, которая наблюдается

уже

при £ ^ 1 0 б

в/см

[38,

39].

 

 

 

 

 

Подставляя

в формулу

(5.14)

найденные значения

^ 0=2 • 10 4 см;

L = 20 см;

£/уск= 3 в;

£'макс=106

в/см;

ДЛ4= 1 и Л2п= 20, получаем Ммакс^11 000 а. е. м.

При

АМ= 5 а. е. м. Л4макс^5 5 000 а. е. м.

 

 

Эти результаты совпадают по порядку величин с вы­ числениями в § 18. Поэтому при определении значения

Ммакс необходимо

учесть факторы,

описанные в § 17

и 18.

 

 

 

U и

V

 

 

Отметим, что

напряжения

при

заданных

•смаке= 1 06 в/см

и г0 = 0,3 см

можно

найти по

формуле

(5.10):

 

 

 

 

 

 

 

 

^макс =

(-^максго)/(3,14 • 1,168) — 80

Кв

И UШкс — 1,3 Кв.

Обычно

в приборах

значения

V,

U и Е

в 20—30 раз

меньше и, следовательно, Ммак0 в 4,5—5,5 раз меньше

по сравнению с теми,

что

получились выше при расче­

тах, т. е. Ммакс равно

2200 а.

е. м. при ДМ=1 а. е. м.,

и ■Ммакс равно 11 000 а. е.

м.

при AM= 5 а. е. м.

Необходимо отметить, что основная расчетная фор­ мула (5.14) выведена исходя из того, что максимальная напряженность электрического поля в анализаторе воз­ никает между соседними цилиндрическими полеобра­ зующими электродами. Это возможно в тех случаях, когда вспомогательные токопроводящие элементы конст­ рукции анализатора, находящиеся под разными потен­ циалами относительно друг друга или относительно по­ леобразующих электродов, удалены от них на расстоя­ ние, превышающее кратчайшее между полеобразующими электродами. Так обычно и стремятся выполнить конст­ рукцию анализатора, если одна из главных задач — до­ стижение максимально возможного диапазона масс. Ина­ че наиболее уязвимым местом в анализаторе с точки зрения электрической прочности будет кратчайший про­ межуток между одним из полеобразующих электродов и каким-либо вспомогательным элементом конструкции.

ри этом формула, характеризующая величину Млпкг будет отлична от выражения (5.14).

102

Г л а в а 6. МАКСИМАЛЬНОЕ РАБОЧЕЕ ДАВЛЕНИЕ И

ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН КМ

§ 19. Зависимость выходного сигнала КМ от давления

вдатчике

Воснове любых измерений на масс-спектрометре, ра­ ботающем в динамическом режиме, т. е. в режиме ре­ гистрации изменяющихся во времени сигналов, лежит линейное преобразование парциальных давлений газов или удельных интенсивностей молекулярных потоков в электрические сигналы; линейное усиление и отображе­ ние этих сигналов в регистрирующей аппаратуре. Только

вэтом случае упомянутые выходные сигналы будут прямо пропорциональны парциальным давлениям газов или интенсивностям молекулярных потоков. Поэтому не­ обходим анализ причин, приводящих к нелинейности ра­ бочих характеристик датчика или регистрирующей ап­ паратуры. Одна из причин — рассеяние образовавшихся ионов на молекулах анализируемой среды в ионном источнике и анализаторе КМ, которое наблюдается с ро­ стом давления в датчике, когда длина свободного про­ бега иона становится соизмеримой с длиной пути иона от места образования его до места соударения с коллек­ тором или первым динодом ВЭУ в приемнике ионов. Аналитическая зависимость токового сигнала на выходе датчика КМ для г'-го компонента, например анализируе­

мой газовой среды, согласно [27], будет иметь вид:

=

(6.1)

где КДг — коэффициент, определяемый

выражением

(4.65) или (4.69); 1{ — длина пути иона с массой Мг-, см; ii/P — длина свободного пробега иона, см; Р — давление в датчике, мм рт. ст.; Яг- — некоторый постоянный коэф­ фициент, мм рт. ст. • см. Если li<^ki/P, то экспоненци­ альный сомножитель в формуле (6.1) близок к единице и / Вых i= Kp,iPi. Иначе / ЕЫх <становится функцией давле­ ния в датчике.

В датчике открытого типа, в котором анализируемая КМ среда заполняет весь его объем, давление Р можно

представить в виде:

 

 

р = 2 pi = р ‘ + 2 Pi = p i + Рф’

(6-2)

f=i

/=1

 

103

где п — число компонентов анализируемой среды; —■ давление выделенного /-го компонента; Рф — суммарное давление всех прочих компонентов, называемое фоновым по отношению к парциальному давлению /-го компонен­ та. В этом случае выражение (6.1) с учетом (6.2) примет вид:

где сомножитель, взятый в квадратные скобки, не зави­ сит от парциального давления /-го компонента. Зависи­

мость IВыхг от Pi

немонотонная. При Pi = ki/li

она имеет

максимум, равный [i(Hiexp(—U/Xi/Pi)],

и

с

ростом Р{

при

Pi>Xi/li IВыхг убывает.

 

 

 

 

 

Восходящая

ветвь

зависимости

(6.3)

имеет место

при

Pi^hki/li,

где

h< 1.

Максимальное

отклонение

от

линейности

зависимости

/ пЬ1Хг

от

Pi

 

составляет

[1—ехр(—/г)] -100%. Если необходимо, чтобы отклоне­

ние от линейного не превышало

10%,

нужно, чтобы

/ г ^ 0,1. Максимальное парциальное давление

Лмакс < щ и .

 

(6.4)

Найдем входящие в выражение

(6.4)

величины /, и

М- Длина траектории иона k равна сумме длин траекто­ рий иона в ионном источнике /*„; в анализаторе /,а и в промежутке от анализатора до приемника ионов /<п. Но, так как почти всегда /ы </ш + /ш, расчет U для датчика открытого типа сводится к расчету длины траектории

иона в анализаторе, которая равна следующему инте­ гралу [21]:

 

1 / .

-----------------------------------------------------

 

h — hi = f dS =

j V

x2 -f у2 +

г2 dl,

(6.5)

(h

6

 

 

 

вычисленному в приложении 9.

 

 

 

В результате было получено, что

 

 

/га.макс =* V A2^ r l (МШкс/АМ) +

L2 .

(6.6)

Из работы [27] заимствуем выражение для Х{:

X = 2,33 • 10-4Г/62,

(6.7)

104

где б — средний диаметр молекул анализируемой сре­ ды, А. Приближенно б можно найти следующим обра­ зом:

6= ] / ( 1 1б?Л)/Р'

(6'8)

Подставляя (6.6) и (67) в выражение

(6.4) и полагая,

что Мг- = ММакс, находим максимальное парциальное дав­

ление t'-ro

компонента:

 

 

 

 

< 2,33 • 10

 

Т h

(6.9)

 

б2(

rlA^MUMJAM + L^ \l/2'

 

 

 

При h = 0,1

7 = 300° К; б= 3,7

А; го = 0,3 см\ АМ=1 а.е.м.\

П2н = Ю2,

AfMai;c=100 ct. в. м и L= 20 см, Р{ макс==2,1 X

X 10~5 мм рт. ст.

видно, что верхняя граница диа­

Из выражения (6.9)

пазона рабочих парциальных давлений зависит от пол­ ного давления довольно слабо (через б) (6.8). Это озна­ чает, что даже при большом давлении фона Рф>Р,- макс (если оно неизменно во времени, а меняется лишь Р 4) зависимость / ВЫх г от Pi в найденных пределах для Р, линейна. В данном случае наблюдается лишь общее, иногда весьма значительное ослабление сигнала всего спектра масс в [ехр(/г-Рф/А)] раз, способствующее умень­ шению эффективности датчика и, следовательно, сниже­ нию потенциальных возможностей прибора в целом. Та­

ким образом, при Рф = const

величина

Рф может значи­

тельно превышать (в 10—100 раз)

P iMaKC. Максимально

допустимое общее давление в датчике

 

(РМако>Ргмак<т)

определяется уже не из

соображений

линейности

сиг­

нальной характеристики

датчика, т. е. зависимости / вых{

от Pi, а, например, работоспособностью

ВЭУ при Р Макс

(в этом случае Рмакс не должно

превышать давления,

равного 10~4 мм рт. ст.),

а также стойкостью к сгоранию

или отравлению прямоканального

(или оксидного),

при­

мененного в ионном источнике катода,

нарушаемой уже

при давлениях (Ю-3—КН) мм рт. ст.

 

 

 

Если давление фона Рф

подвержено

значительным

изменениям, то при Рф<

)^/Ц

выходной сигнал /BbIxi про-

модулируется этими изменениями, т. е. будет наблюдать­ ся существенное взаимное влияние между отдельными сильно изменяющимися во времени компонентами ана­ лизируемой среды. Количественный анализ с помощью

105

масс-спектрометра в данном случае будет невозможен. Вот почему максимальное общее давление в датчике не должно превышать величины, определенной выражением (6.9) для г-го компонента при условии Р — Рр.

Ямакс< 2,33- 10-4 _________ Th_________

_ g

6Ч г Ш 3Миакс/АМ + L*)'/2'

 

В данном случае коэффициент паразитной взаимной модуляции выходных сигналов, пропорциональных пар­ циальному содержанию отдельных компонентов анали­ зируемой смеси, не превышает величины [1—ехр(—А)]« при 0,3. Для сравнительной количественной оценки степени влияния изменений фона на сигнал рас­ считаем приращения выходного сигнала от г-го компо­ нента, найдя полный дифференциал величины / г-вых> определенной выражением (6.3):

д /.

din

-bPi

 

дГвых{

АРф = К,gi

АР,

— p i ) ~

 

дР{

 

 

дРл

 

' О -

h

7

 

- А Л ,

ехр { - ^ :( Л -

+ Дф)

 

( 6. 10)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Из формулы (6.10) видно, что паразитная модуляция вызванная изменениями фонового давления ДРф и имею­ щая вид аддитивной помехи, способна изменять величину выходного сигнала на массе М{ даже в том случае, если г-и компонент смеси остается постоянным (ДРг = 0)!

Компенсация изменений полезного сигнала изменениями фона наблюдается при

ЛРф = АР;

1

(6. 11)

 

hPi

 

Если пренебречь определяющим влиянием на величи­ ну полезного сигнала фонового давления, можно прийти

‘ “ Л Г ?

ВеРНЬШ выводам’ например,

о возможности

ннрп!!

 

М0И ПР°МЬШКИ вакуумных объемов чистыми

S S m

? я ГаЗЗМИ’ Т‘ 6- ° В03М0ЖН0М понижении парци

остаточной гЛяеЧпИЯ*П0СТ0ЯНН0

Натекаемых компонентов

n v rtr J

° аз°вои сРеды в вакуумном объеме при на-

ойачке!

1 7

объем (ПРИ продолжающейся непрерывной

N и Л

,каког°-либ0 ™стого инертного

газа (Ar

N2 и т. п.) ДО давлений ю -3-

,А- 9

мм рт.

ст.

к ’

 

 

 

-10

 

 

106

Для того чтобы паразитная модуляция от изменений фонового давления была не выше допустимых пределов, необходимо соблюдение условий (6.4) и

 

АРФ< АРШт

I = ЛР(м и Ж

(6-:12)

 

*и i

 

 

где

h < \ — безразмерный

коэффициент, характеризую­

щий

величину допустимого

уровня

аддитивной

помехи;

ЛРгмин — минимальное изменение

анализируемого ком­

понента, которое должно быть измерено квадрупольным масс-спектрометром.

Выражение (6.10) свидетельствует также о необхо­ димости при работе с высокими давлениями Pi делать различие между статической SiCT и динамической S imu эффективностями датчика прибора, которые опреде­ ляются из (6.1):

S,-cT= S ^ t/P , = Kgi exp [ - U (Pi + Р ф Ш (6.13)

Ji ст

■^дин

d/вых dPi

= * Л ' -

т : Р ')

ехр

— М Р / + ^ ф)

 

hi

—slc

1 — -2 -p t

(6.14)

 

h

 

 

Из выражений

(6.13) и

(6.14)

видно,

что

при

liPifkvC l

ст

дин и лишь

при

заметном

росте

Р{,

нарушающем приведенное здесь неравенство, Si д ИН ста­ новится меньше Si ст, причем разница тем больше, чем

больше Pi. Может случиться даже

так,

что

величина

Si дин изменит знак и при Pi^'kijU

Si дин^ 0 ,

т. е. с ро­

стом давления Pt величина / вых 4

будет

уменьшаться.

Отметим здесь же, что Si ст всегда положительно. Упо­ мянутые различия в эффективности датчика важны в тех случаях, когда КМ используется в динамическом режи­ ме, т. е. когда важно зафиксировать не просто состав анализируемой среды, но и закон изменения этого соста­ ва во времени. В таком именно режиме работают все элементы автоматического регулирования какого-либо технологического процесса, осуществляемого в среде с изменяющимся составом, контролируемым масс-спектро­ метром (например, процессы вакуумного напыления тонких пленок, эпитаксиального выращивания монокристаллических слоев полупроводниковых материалов, про­ цесс вакуумной плавки металлов и др.).

107

§ 20. Динамический диапазон КМ

По определению, данному в §17 гл. 5, динамический диапазон масс-спектрометра характеризует минимальную долю г'-го компонента анализируемой среды, которую можно обнаружить при максимальном рабочем давлении в объеме. Аналогичным образом определим значения динамического диапазона по отношению к молекулярным

потокам:

D i ~ Р шкС/ Р т т -

(6.15)

Величину Рмакс находим из выражения

(6.9) с уче­

том соображений, высказанных в § 19, а величину чув­ ствительности из соотношения (4.21) или (4.23). Произ­ ведем расчет по перечисленным формулам, выполняемый

при следующих начальных условиях

и параметрах: Ъ —

= 0,1;

Г= 300° К;

6= 3,7 А;

ДМ=1

а.е.м-;

Л2н= Ю2;

Ммакс=Ю 0

е.

м.;

v = 0,l

а. е. м./сек;

у = 3 ;

& =

= 10~4

а/мм рт.

ст.,

1 = 20 см, для

которых

по

(6.9)

/ эм ако =2,1 • 10—5

мм рт. ст.;

по (4.23)

Л мин=

1,44 X

Х 1 0 -1 4 лш рт. ст.

и согласно

(6.15)

ZDi= 1 ,5 - 1 09.

 

Полученный результат свидетельствует о высоких по­ тенциальных аналитических возможностях КМ, соответ­ ствующих параметрам лишь стационарных высокочувст­ вительных инструментов экстракласса. Отметим, однако, что практическое достижение такого динамического диа­ пазона в КМ сопряжено с трудностями, которые сейчас рассмотрим-

При определении чувствительности КМ Pi мин в гл. 4 учитывались лишь те источники шума на входе регист­ рирующего устройства, которые принципиально присущи рассматриваемой системе и до конца не устранимы. Кроме того, имеется несколько источников принципиаль­ но устранимого шума, обусловливающих дополнительные флуктуационный и в некоторых случаях постоянный сиг­ налы на выходе датчика, которые, увеличивая суммар­ ный шумовой сигнал, повышают величину Pt мин, т. е. снижают чувствительность и, следовательно, уменьшают динамический диапазон КМ. К таким дополнительным источникам шумов в датчике КМ относятся [57]: 1) мяг­ кое рентгеновское излучение молекул в активной области ионизации ионного источника, возбужденных (а не иони­ зированных) при взаимодействии с облучающими их электронами, эмиттированными термокатодом; указанное

103

излучение в случае оптической.связи активной области ионизации с первым диподом ВЭУ (или коллектором ионов) способно привести к образованию дополнитель­ ного электронного тока, обусловленного фотоэффектом; 2) рассеянный компонент ионного тока, образованного в ионном источнике и в области выходных динодов ВЭУ и попадающего в приемник ионов через вакуумный объем, в котором находится датчик. Необходимо отметить, что величины сигналов от этих источников зависят от давле­ ния в них. Устранение сигналов связано с некоторыми конструктивными и эксплуатационными неудобствами,

заставляющими в большинстве случаев мириться

с

ними.

возможные

порядки величин сигналов

от

Оценим

упомянутых

источников

и выясним зависимость их

от

давления в ионном источнике.

При сравнительно малых плотностях электронного ионизирующего тока (не более 10~2 а/см2) и давлении газа в ионном источнике ниже 10-2—10~3 мм рт. ст. [38,

39] вторичные процессы

после соударения молекул

с электронами не играют

заметной роли и число актов

испускания квантов радиации молекулами равно числу актов их возбуждения, которое можно рассчитать. По убыванию электронов из их общего потока, пронизы­ вающего активную область ионизации ионного источ­ ника, можно определить общее число соударений элект­ ронов с нейтральными молекулами;

No = (V е) [1 — exp (— /ЭДЭ)],

(6.16)

где Iо — ионизирующий электронный ток;

/э— макси­

мальный размер а. о. и. в направлении движения элект­

ронов (см. рис. 14

и 15);

Аэ — длина

свободного

про­

бега электрона в а. о. и. ионного источника:

 

 

 

К = 4 У 2

К = 4 V 2

kT0l( y 2

лРб2) .

 

(6.17)

Здесь 6 — средний

диаметр

 

молекул

газовой

смеси.

В первом приближении

 

 

 

 

 

 

 

б\p t 1 2

V

= £

б?р, / р ,

 

(6.18)

1=1

/ 1=1

 

1=1

 

I

 

 

 

где п — число компонентов

анализируемой

смеси

ве­

ществ. Предполагая, что /Э< Я Э, выражение

(6.16)

пре­

образуем к виду

 

 

 

 

 

 

 

 

К =

[(я/0/э)/(4е/гГ0)] £

б?Я,-.

 

(6.19)

 

 

 

1= 1

 

 

 

 

109

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ