Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Слободенюк, Г. И. Квадрупольные масс-спектрометры

.pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
16.18 Mб
Скачать

лярный вес анализируемого в данный момент компо­ нента разреженной среды, а амплитуда импульса — пар­ циальное содержание данного компонента в смеси с другими веществами. В дальнейшем импульсный ионный ток или, попадая на коллектор ионов, сразу усили­ вается в УПТ и регистрируется выходным прибором, или преобразуется на первом диноде ВЭУ (если в датчике есть ВЭУ, а не коллектор ионов) в электронный ток, который только после усиления его в ВЭУ попадает в УПТ и на регистрирующий выходной прибор.

Следующие параграфы данной главы посвящены анализу требований к основным параметрам перечис­ ленных блоков, выполнение которых обеспечивает реа­ лизацию основных характеристик, заданных разработ­ чику КМ, т. е. величин разрешающей способности, чув­ ствительности, скорости регистрации спектров масс, диапазона масс, максимального и минимального рабо­ чего давлений, динамического диапазона и величины не­ стабильности измеряемых сигналов.

§26. Вывод исходных расчетных соотношений, позволяющих определить параметры основных блоков КМ

По заданным величинам Р, ДМ и v, которые должны быть реализованы в приборе одновременно, можно опре­ делить фактор потенциальных возможностей КМ по формуле (4.24) или (4.25), т. е.

(9.2)

Определение порядка величины F позволяет выяс­ нить, что необходимо применять в датчике в качестве

приемника

ионов — коллектор

ионов (цилиндр Фара­

дея)

или

ВЭУ.

Если Р ^ 5 -1 0 -10 (мм рт.

ст.)сек, то

можно

обойтись

более простым решением

проблемы

приемника

ионов, применив

в нем коллектор ионов.

Если же Р <

10~12 (мм рт. ст.)сек, то без ВЭУ обойтись

невозможно.

При

1СН2< Р <5-10~10 принимается то или

иное решение в зависимости от допустимости различных компромиссов за счет снижения требований к основным

параметрам

КМ.

Пусть,

например,

Ргмин=

= 2-1(Н3 мм рт. ст.;

ДМ —1 а.е.м.

и v = 0,4

а. е. м./сек.

По расчету /Г=5-10~13

(мм рт.

ст.)

сек, т. е.

в датчике

должны стоять ВЭУ в качестве приемника ионов.

140

Найденная величина F дает возможность рассчитать

эффективность датчика Si

по формуле (4.24) или (4.25).

В рассматриваемом примере расчет по (4.24) при

у2»

« 1 0 дает

 

 

 

 

 

 

 

 

1,6-10 iSy2/jP =

3,2-10~5 а/мм pm. cm.

(9.3)

Подставляя

в

формулу

( 4 . 6 0 )

известные S it Ммяко и

Р макс (или

/п.м а к с ), получаем

уравнение относительно

величин (Ти, L и Йуск:

 

 

 

 

 

 

Si =€ 2а,

пи

 

^уск

10-7.

(9.4)

 

макс

 

 

 

 

*

 

 

 

 

 

 

/п,макс

 

 

 

 

Из формулы

(2.69)

при известных ДМ и Л2н находим

второе уравнение относительно величин Нуск, L и новой

неизвестной /:

 

 

 

 

 

 

«

 

AM =

15А1!иги уск/ ( т .

 

(9.5)

При круглой форме отверстия [см. уравнение (1.68)] во входной диафрагме анализатора, обеспечивающего 100%-ную трансмиссию, необходимо, чтобы

2#0 = 2 ] / a jn < г0/ ]/М мак(;/ДА1 .

Исходя из некоторых соображений (в частности, повы­ шения чувствительности на малых и средних массах), радиус входной апертуры анализатора обычно выби­ рают близким к радиусу поля анализатора, т. е.

^ г0. (9.6)

Если известна исходная величина максимальной амп­

литуды ВЧ-напряжения

( Е м а к е ) ,

подаваемого на

поле­

образующие

электроды

анализатора, определяемая по

формуле

 

 

 

 

 

 

Ммакс = 0,1385Имакс/(го/2),

 

(9.7)

то можно найти оптимальные значения

всех входящих

в выражения

(9.3) — (9.7)

величин, решая систему алге­

браических уравнений (9.4) — (9.7) с учетом того,

4ToS»

уже известно [см. выражение (9.3)]:

 

 

 

 

макс*3^

ЛГ

лЧз

 

^уск ~

1,2- Ю17

™макс

л2н

(9.8)

 

(ДМ)2

 

 

 

 

 

 

141

L_

5,4-10*

Рмакс'S£

м г

 

 

(9.9)

макс

у3/»

Го

 

 

 

 

ДМ3/г

 

 

 

 

 

 

макс

 

 

/

~ 0’-372 ■ /

Кмакс_

_

 

(9.10)

 

 

 

го

|/

^макс

 

 

 

Подставляя в формулы

(9.8) — (9.10)

данные,

характер­

ные для рассматриваемого нами конкретного

примера

(^ м а к с — Ю 3 6 1

Д М =

1 CL.

В.

Ж., Л1Макс — 30 0

Ц. С. Ж.^ 0С£ — 1J

•^макс= 10~5 жж рт.

ст.;

А2н— 20), и уже

известную из

расчета эффективность

ионного источника 5 г-, равную

3,2 -10-5 а/жж рт. ст., получаем

 

 

 

 

 

Нуск

15 в;

 

Ь!гй

100.

 

 

Необходимо отметить, что отношение L/ro не должно

превышать следующего значения:

 

 

 

 

 

L/r0 <

60 ч- 80,

 

 

fe.ll)

так как иначе трудно обеспечить достаточно малое от­ клонение конфигурации и взаимного расположения че­ тырех полеобразующих электродов от номинального. Подставляя в выражение (9.10) известные значения

•Ммакс и полагая, что г0 = 0,33 см, находим, что в нашем примере f= 2 Мгц и при L = 70r0 L = 23 см. Зная Si, UycK и аи, можно конструировать ионный источник датчика. Основные конструктивные параметры анализатора го и L. Знание фактора F позволяет определить необходи­ мость применения в качестве приемника ионов цилин­ дра Фарадея или вторично-электронного умножителя.

Для расчета генератора высокой частоты необходимо помимо частоты / и максимальной амплитуды Умакс знать его выходную мощность WMaK0 и параметры коле­ бательного контура (резонансное сопротивление Roe и добротность Q). Имея в виду, что на выходе ГВЧ стоит параллельный колебательный контур, емкость которого состоит из емкости анализатора Са; емкости ВЧ-кабе- лей Ск, пересчитанной к выходу выходной емкости ак­ тивного элемента в выходном каскаде ГВЧ (Св) и под­ строечных емкостей Сп, включенных параллельно друг другу, найдем

Roe ~ 1,6 • 105_______ Q_______

(9.12)

f (Са + ск + Св + Сп)

 

142

№„якс = (^Умакс)2

Гмакс f (^а +

+ бв + ^п)

 

X

2Roe

 

Q

,Л2 fs-4

X 1,25-10—5 = 6,52-10'- 4 Л* 2 а к с К ( С , + С к + С в + Сп)

(9.13)

Для определения величины Са нужно рассчитать емкость четырехпроводной линии, имеющей длину L, и прибавить к ней емкость одного из электродов на окру­ жающий анализатор цилиндрический корпус. Емкость четырехпроводной линии С, пф, с соединенными друг с другом диагонально расположенными электродами рав­ на учетверенной емкости двухпроводной линии и рас­ считывается по следующей формуле [45]:

С — 4L _______ftSp______

1.44JL,

(9.14)

In V/d + yy/d )* - 1]

 

 

где во= 0,0886 пф/см — диэлектрическая

проницаемость

вакуума; I — расстояние

между осевыми линиями двух

смежных цилиндрических

электродов (/=3,05 го);

d

диаметр электрода (d = 2,32 г0) . При удалении стержней анализатора от заземленного корпуса на расстояние порядка удвоенного диаметра стержня вкладом емко­ сти стержней на корпус можно пренебречь, считая, что С^— С, где С определено выражением (9.14). Емкость кабелей Ск определяется типом и длиной кабелей, свя­ зывающих датчик с контуром ГВЧ; подстроечного кон­ денсатора Сп— разбросом емкостей Са и Ск у разных датчиков, входящих в комплект КМ, а также выходной емкости Св активного элемента (лампы или транзисто­ ра) в выходном каскаде ГВЧ.

Продолжая численный расчет, для того чтобы иметь представление о порядках искомых величин, найдем при L— 23 Са= 1,44 • L = 33 пф. При погонной емко­

сти 1 пф/см и длине кабелей 200 см суммарная емкость

кабелей Ск равна 100 пф.

Величины

СВ= СП= 0,1 (Са+

Ч-Ск) = 13 пф, откуда Сх =

Са+ Ск+ С

в + Сп^160 пф. При

f — 2 Мгц и обычной при такой частоте

[46, 47]

доброт­

ности нагруженного выходного контура ГВЧ

Q, рав­

ной 100, из выражения (9.12) находим

# Ое~50

ком, и

при Гмакс=1000 в из (9.13) определяем

WM&ко= 40 вт.

Коэффициент усиления ВЭУ, если оно используется в датчике КМ, как показали вычисления в гл. 4, должен

143

быть не менее 103, чтобы шумы в тракте сигнала опре­ делялись не УПТ, а в основном дробовым эффектом от потока ионов на первый динод ВЭУ. Если в КМ тре­ буется достижение достаточно высокой чувствительно­ сти (например, в нашем случае Л-мин = 2-10—13 ммрт.ст. при скорости регистрации v= 0,4 а. е. м./сек), то мини­ мальный ионный ток на выходе анализатора, соответ­

ствующий

уровню чувствительности и равный / мин=

= Л мшЛ

(у нас /мип = 2-1СН3ХЗ,2-10~5 = 6,4 • 10~18 а),

должен быть усилен настолько, чтобы полезный сигнал заведомо перекрывал флуктуации последующих каска­

дов

(УПТ и выходного регистрирующего устройства).

Это означает, что согласно выражению (4.22) имеем

 

К вэу > 1,2. Ю3|/( Г 0 +

Ту) С0 /{у У а ) . (9.15)

При

у = 3; а = 3; Г0=300°К;

7>= 2000°К; С0=Ю пф

в э у > 3 5 000. В нашем примере минимальный выходной ток ВЭУ / вэумин= К вэу Ргмин5г = 2,24-10-13 а, что при

входном сопротивлении УПТ /?Вх=10п ом даст на входе УПТ сигнал порядка 22,4 мв. Это намного превышает уровень собственных флуктуаций УПТ на входе элек­ трометрического каскада. При больших сигналах, близ­

ких

к

PuaiicSi

(у нас это / Ма к с = Ю - 5

мм рт. ст.-3,2X

ХЮ~5

а!мм рт.

ет. = 3,2 • 10-10

а), ток на выходе

ВЭУ

может

составить

величину

(3,2 • 10~10 • 3,5 • 104=

= 1,1 ПО-5

а), т. е. превысит допустимое для ВЭУ зна­

чение

 

его

выходного тока

[обычно

не более (1-4-

-4-5) • 10_6

а]. Это

вынуждает

 

снижать

усиление

ВЭУ

(например, до 3-103 в нашем примере)

и предусматри­

вать

возможность

коммутации

входного сопротивления

УПТ до величин, позволяющих усиливать и регистри­ ровать максимальные токи при обеспечении работы этих устройств в линейном режиме. Например, у нас при

вэу, сниженном до 3-103, / ВыхВЭу = 3,2-10-10-3; 10+3 =

= 9,6-10-

7 а и при RBX- упт=Ю7

ом UBX_упт=9,7 в, что

окажется

в пределах линейной

части амплитудной ха­

рактеристики УПТ, построенном на транзисторах или тем более на лампах.

§27. Требования к датчику КМ

Врезультате расчетов, выполненных в предыдущем параграфе, были определены радиус поля г0, и длина анализатора L, эффективность ионного источника 5,- и

144

коэффициент усиления ВЭУ К в э у • Перечисленные пара­ метры относятся к основным, без знания которых конст­ руирование датчика невозможно. Кроме того, имеется несколько специфических требований, выполнение кото­ рых позволяет обеспечить высокие эксплуатационные характеристики датчиков. Первое из этих требований определяется характером анализируемой датчиком среды. По характеру взаимодействия с электродами датчика анализируемые среды делятся на два вида — неконденсирующиеся и конденсирующиеся. Видом среды отчасти определяется тип ионного источника в датчике. В первом случае неважно, будет или нет иметь место контакт электродов датчика с молекулами среды, с ка­ кого направления поступает проба анализируемого вещества в ионизационную камеру и как покидает она эту камеру. При этом в цели конструирования датчика не входит защита его электродов от вредных воздей­ ствий среды и решается только одна задача — создание конструкции, обеспечивающей, например, максимум эф­ фективности в сочетании с предельно осуществимой простотой. Поскольку, как было установлено ранее, раз­ брос влетающих в анализатор ионов по энергии в из­ вестных пределах не влияет на основные характери­ стики КМ, наиболее простым и достаточно эффективным источником, формирующим аксиально симметричный пу­ чок ионов, служит ионный источник с продольной иони­ зацией и поперечным расположением катода (схему, описание и расчет этого источника см. в гл. 4).

При анализе легко конденсирующейся среды элек­ троды ионного источника, анализатора и ВЭУ необхо­ димо надежно экранировать от попадания на их по­ верхность вещества анализируемой среды, находящейся в этих случаях, как правило, в неравновесном состоянии (в виде молекулярных потоков или пучка) по отноше­ нию к окружающей среде сильно разряженных остаточ­ ных газов. Наиболее эффективен в данном случае ион­ ный источник с поперечной ионизацией и поперечным расположением катода (см. гл. 4). Молекулярный пучок при этом должен пересекать активную область иониза­ ции в ионизационной камере под прямым углом к бом­ бардирующим молекулы пучка электронам, а непрерыв­ ные ввод и вывод анализируемой пробы из камеры должны осуществляться через сквозные отверстия в

10 Г. И. Слободенюк

145

двух противоположных стенках ионизационной камеры и экранах, защищающих ионный источник и анализатор от попадания конденсата. Полеобразующие элементы ионного источника следует для облегчения их прогрева от специального нагревателя или даже от собственного раскаленного термокатода изготовлять из тонкой фольги тугоплавкого металла (молибден, никель и др.).

Ионный источник с продольной ионизацией, предна­ значенный для анализа газового компонента среды в анализируемом вакуумном объеме, должен удовлетво­ рять требованиям малой скорости паразитной собствен­ ной откачки.

Действие ионного источника масс-спектрометра как вакуумного ионного насоса основано на ионизации и удалении (осаждении на поверхности и внедрении внутрь материала электродов и деталей ионного источ­ ника) из объема части молекул газовой среды. Пре­ дельно допустимая скорость собственной паразитной откачки в ионном источнике пропорциональна силе электронного ионизирующего тока в нем. Откачивающее действие ионного источника в КМ, сравнимое с анало­

гичным действием

термоэлектронных

монометрических

преобразователей

[1,

27], может достигать величины

(по разным газам),

колеблющейся

в пределах от

0,1 л/сек (при малых электронных токах порядка ЪОмка, снимаемых с катода) до нескольких литров в секунду при больших токах (до 5 ма).

Поскольку ионный источник с поперечной иониза­ цией целесообразно использовать при анализе состава молекулярных потоков, нет необходимости в беспокой­ стве по поводу его откачивающего действия.

Конструкция датчика не должна содержать замкну­ тых или почти замкнутых областей и карманов, которые могут стать источником микротечей в анализируемый вакуумный объем, препятствующих достижению в рабо­ чем вакуумном объеме высокого и сверхвысокого ва­ куума и искажающих истинный молекулярный состав анализируемой среды.

Для расширения диапазона рабочих давлений дат­ чика КМ, и в частности для обеспечения возможности использования КМ в условиях сверхвысокого вакуума, конструкция датчика должна допускать его прогрев до температур порядка 200—400° С и в некоторых слу­

146

чаях обеспечивать его работоспособность при темпера­ турах 100—200° С.

Конструкция датчика должна быть простой и легко­ разборной (для очистки его электродов от образовав­ шихся на их поверхности инородных пленок). Датчик должен легко встраиваться в любую вакуумную уста­ новку для анализа молекулярного состава газовой ком­ поненты и молекулярных потоков, а также выдерживать определенный уровень вибраций, возможных при рабо­ те на вакуумных откачных постах, укомплектованных механическими форвакуумными насосами.

Поскольку один прибор КМ может комплектоваться несколькими датчиками, для обеспечения высоких экс­ плуатационных характеристик КМ и воспроизводимости проводимых на нем измерений датчики должны обла­ дать максимально идентичными характеристиками, обе­ спечивающими их взаимозаменяемость. Особенно важ­ ным требованием, предъявляемым к датчику в целом, и в частности к его анализатору, является точность вос­ произведения заданной геометрической формы его поле­ образующих электродов и точность, с которой осущест­ влена их сборка. О максимальных допусках на непараллельность образующих поверхностей электродов, на смещения относительно их номинального положения в пространстве и стрелу прогиба можно судить по фор­ мулам (7.21) и (7.31) соответственно. Учитывая наибо­ лее жесткое из перечисленных требований

Дг0 < 0,26 (А — 1 )/Лгн • г0АМ/М

(9.16)

и рассчитывая величину

Дг0 по формуле

(9.16) при

ДМ =1; М = 300; го= 0,5 см,

А— 4 и А 2н =20,

получаем

результат Дг0 = 0,48-10-3 см = 5,0 мкм, означающий, что отклонение одного из концов от номинального располо­ жения одного У-электрода не должно превышать пяти микрон.

§ 28. Требования к ГВЧ

Блок ГВЧ является важнейшим в радиоаппаратурной части прибора, так как от качества его работы за­ висит возможность реализации предельных характери­ стик прибора, потенциально заложенных в датчике КМ. К числу обязательных требований, предъявляемых к

10 147

выходным параметрам ГВЧ при известных

величинах

максимальной амплитуды ВЧ-напряжения

(К Ыакс) и ча­

стоты колебаний (/) относятся:

и

частоты f.

1. Стабильность напряжений U и V

2. Стабильность выбранного отношения

напряженно­

сти U к V(l=U /V). 3. Предельно допустимая величина пульсаций, создающих дополнительную паразитную модуляцию выходных напряжений. 4. Электрическая симметрия обоих выходов ГВЧ. 5. Содержание гармо­ ник в выходном напряжении. 6. Линейность изменения выходного напряжения во времени при работе в режи­ ме автоматического сканирования по спектру масс. 7. Возможность достаточно точной фиксации модулиру­ ющего напряжения для определения номера анализируе­ мой массы. 8. Возможность сканирования по всему спектру масс и по любой его части. 9. Реализация широкого диапазона скоростей сканирования по спект­ ру, соответствующих, например, скоростям регистрации спектра масс с помощью самопишущего потенциометра или электроннолучевого осциллографа при возможности настройки КМ. и непрерывного слежения за каким-либо одним компонентом анализируемой среды. 10. Обеспе­ чение в случае необходимости возможности одновремен­ ного (или почти одновременного) слежения за интенсив­ ностью нескольких произвольно выбранных компонен­ тов спектра масс.

Рассмотрим в отдельности каждое из перечисленных выше требований.

1. Взаимно независимые нестабильности величин V, U и / влияют на возможность реализации заданной разрешающей способности в КМ. В режиме непрерыв­ ного слежения эти нестабильности способствуют некон­ тролируемой перестройке КМ с выбранной для слеже­ ния массы на соседние массы или блуждания в преде­ лах выбранного пика спектра масс, что приводит к воз­ никновению паразитных изменений выходного сигнала, создающих дополнительные помехи. Из выражения в

примечании к формуле (7.22) при Аа = Дг0= 0

находим

соотношение:

 

АМ/М = AUIU — 2А'///

(9.17)

и аналогичное ему (после нахождения полного диффе­ ренциала величины q)

AMjM = AVIV — 2А///.

(9.18)

148

Из формул (9.17) и (9.18) следует, что для реализации

заданной разрешающей

способности Д

М

при М = М м а к с

необходимо, чтобы, по крайней мере,

 

 

А/

/ 1

\

AM

AV

/ 1 \

AM ,

/

6\

/

АГМа к с

 

К л а к е 3

)

Л4 м\ акс

 

 

 

Аи ^

/_1_ \

AM

 

( 9 .1 9 )

 

 

 

 

 

 

 

 

У м а к с

з\ J

мшкс

 

 

где А/, ДV и Д£/ — максимальные изменения f, V и U соответственно. Однако для того чтобы в режиме не­ прерывного слежения за парциальным содержанием какой-либо компоненты в анализируемой смеси веществ паразитные изменения сигнала составляли не более е-й доли сигнала в максимуме соответствующего пика, необходимо, полагая для простоты, что импульс спект­ ра масс имеет форму, близкую к равностороннему тре­ угольнику, чтобы

 

AM

AV

AM

f

6 М;

<

Мм

 

Ди

AM

(9.20)

 

 

 

б^макс

<

 

 

3 Аймаке

 

2. От стабильности поддержания выбранного отно­ шения л— U/V зависит разрешающая способность КМ. Так, согласно (2.8),

 

X = 0,16784(1 — 0,75/р),

 

(9.21)

откуда при р = М Макс/ДМ»1

 

 

 

 

 

бЯД^0,75бр/р2.

 

 

(9.22)

Из формулы (9.22)

следует, что при р= 300

и 6р/р =

= 0,05 6Л./Л.= 1,2-10-4.

Учитывая,

что

X=U/V,

должно

быть

 

 

 

 

 

 

6ЯД Д | 8U/U | +

| 8V/V I .

 

(9.23)

Из сопоставления

(9.22) и (9.23)

найдем

 

 

| 8{//{/Макс | «

| 8VlVmKC | < 0,75бр/2р2,

 

(9.24)

что при бр/р^ОД

соответствует на порядок более жест­

ким требованиям

к стабильности

U и V, чем по

(9.19),

и примерно совпадает с требованиями по (9.20).

ГВЧ

Из этого вытекает, что при конструировании

нужно прибегать к таким техническим

решениям,

кото-

149

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ