комплексного сопротивления. При этом схема имеет вид (рис. 1.10)

2.3.3 1.2 Конденсатор

Идеальный конденсатор характеризуется одни параметром - емкостью C. Емкость характеризу- ет способность конденсатора накапливать энергию электростатического поля. Размерность: С[Ф], Заряд емкости:

Q = Qo +j i(t)dt ' _dt^Q

Если емкость линейна, то заряд Q = CU , где С - собственно емкость конденсатора. Размер- ность величин:

[0]=Кл, [U]=B, [0]=Кл/В=Ф Энергия, накопленная в емкости:

W, = QU э 2

Для линейной емкости можно также записать:

CU² . _ dU

W3 = „ . ⁱ = ^C • .. ^и = ^U0 л—_} idt

То напряжение:

I.

coC

Мощность в цепи:

P — и F* * ЛГ — ^{J 1} - sin2®t с с 2aC

Т.е., как и в случае индуктивности, потребление мощности не происходит, осуществляется лишь обмен энергией между источником и нагрузкой (рис. 1.7).

2.3.4 Реальные конденсаторы

Конструктивно конденсаторы выполняют в виде токопроводящих обкладок, разделенных диэлек- триком. Величина емкости зависит от площади обкладок S и г диэлектрика. Различают конденсаторы с газообразным, жидким, твердым, оксидным диэлектриком. Выводы конденсатора и его обкладки вы- полняют из материалов, не являющихся идеальными проводни-

ками. Следовательно они обладают сопротивлением. Диэлектрик j 11 Сс

также не идеален, поэтому нужно учитывать токи утечки. Допол- 0 нительно на высоких частотах необходимо учитывать потери в диэлектрике и индуктивное сопротивление обкладок и выводов. RC

Эквивалентная схема конденсатора на высоких частотах имеет рис. 1.11. эквивалентная схема

Rr Lr Рис. 1.10.

составляющая. При

резисторов R <<

1

Zr^ARr, при ю^Лоо Z

1

joCr

Для низкоомных

можно пренебречь емкостной составляющей

2

dt

Сопротивление емкостной цепи переменному току:

иск

/ \

Р I \

/ \

X с =

1

оС

Напряжение на емкости отстает от тока на 90°. Если ток в цепи:

Рис. 1.7. Временные диаграммы гармонического сигнала на емкости

и

Sin cot

lc

Гс

вид (рис. 1.11):

ко)®енсатора на высоких часто-

L

- 1

m

38