- •Содержание 2
- •Введение. 136
- •2. Введение
- •1. Основные понятия
- •1.1 Моделирование. Основные понятия.
- •1.1.1 Системный анализ и моделирование
- •1.1.2 Концептуальные модели.
- •1.1.3 Термины и определения
- •1.1.4 Формализация и алгоритмизация процессов.
- •1.2 Математическое моделирование
- •1.2.1 Классификация математических моделей.
- •Классификация математических моделей на основе особенностей применяемого математического аппарата
- •1.2.2 Основной принцип классификации математических моделей
- •1.2.3 Программирование модели
- •1.2.4 Испытание модели
- •1.2.5 Исследование свойств имитационной модели.
- •Эксплуатация имитационной модели.
- •Анализ результатов моделирования.
- •1.3 Виды анализа и расчета электронных схем
- •1.4 Модели элементов и схем
- •2. Модели компонентов электронных схем
- •2.1 Классификация моделей
- •2.2 Интерполяция и аппроксимация функций при создании моделей
- •2.2.1 Интерполяция функций
- •2.2.2 Аппроксимация функций
- •2.3 Модели основных электронных компонентов
- •2.3.1 Базовый набор элементов моделей
- •2.3.2 1.1 Резистор
- •1. Пассивные компоненты и их модели
- •2.3.3 1.2 Конденсатор
- •2.3.4 Реальные конденсаторы
- •2.3.5 Катушка индуктивности и дроссель
- •2.3.6 Реальная индуктивность
- •2.3.7 Модели полупроводниковых приборов
- •2.4 Модели аналоговых компонентов программы Micro-Cap
- •2.4.1 Общие сведения о моделях компонентов
- •2.4.2 Пассивные компоненты
- •2.4.3 Резистор (Resistor)
- •Разброс сопротивления при использовании Monte-Carlo
- •3. Матрично-векторные параметры схем
- •3.1 Основные законы электрических цепей в матричном виде
- •3.2 Метод контурных токов
- •3.3 Метод узловых потенциалов
- •3.4 Метод обобщенных ветвей
- •3.5 Статический анализ линейных и нелинейных схем
- •3.6 Гибридный анализ электронных схем
- •4. Методы анализа переходных процессов
- •4.1 Введение
- •4.2 Литература
- •4.3 Основные задачи анализа переходных процессов
- •4.4 Анализ переходных процессов в линейных цепях
- •4.5 Анализ переходных процессов в нелинейных схемах и численные методы интегрирования нелинейных ду
- •4.5.1 Общие сведения о численных методах решения систем дифференциальных
- •4.5.7 Сведение расчета переходных процессов в электронных цепях к расчету цепей по постоянному току
- •4.6 Анализ переходных процессов в цепях с периодической
- •4.6.3 Дискретное преобразование Лапласа и его основные свойства
- •9. Теорема дифференцирования по параметру
- •10. Теорема интегрирования по параметру
- •11. Теорема об умножении изображений (теорема свертывания в вещественной области).
- •4.6.4 Решение линейных разностных уравнений
- •4.7 Параметрические цепи
Рис. 4.40
4.5 Анализ переходных процессов в нелинейных схемах и численные методы интегрирования нелинейных ду
Нелинейная схема содержит хотя бы один нелинейный элемент. При анализе переход- ных процессов в нелинейных схемах нельзя использовать принцип наложения, который пре- доставляет возможность рассчитывать процессы в виде суперпозиции сигналов от разных ис- точников. Таким образом, становится невозможным рассчитывать переходные процессы с по- мощью интегралов Дюамеля, наложения, классическим и операторным методом анализа пере- ходных процессов.
При расчете переходных процессов удается воспользоваться лишь законами Кирхгофа, при этом вольтамперные характеристики нелинейных элементов могут быть заданы либо в графической, либо в табличной форме, или описаны аналитическим выражением. При этом предполагается, что нелинейный элемент является безынерционным, или его можно предста- вить безинерционным нелинейным звеном совместно с инерционной линейной частью.
Методы анализа переходных процессов в нелинейных схемах классифицируются:
по способу решения нелинейных дифференциальных уравнений: на графоаналитические и численные;
по характеру величины, для которой производится расчет: на методы для мгновенных значений, методы для огибающих первых гармоник, методы для медленно меняющихся амплитуд.
Нас будут интересовать методы, позволяющие проводить анализ мгновенных значений, будут рассмотрены графо-аналитические и численные методы расчета.
Дифференциальные уравнения для нелинейных схем составляются по законам Кирхго- фа. Представляется удобным составлять дифференциальные уравнения для каждого реактив- ного элемента — индуктивности или емкости в следующем виде:
due dir
C U I = L
e dt L dt
если они линеины, и в виде:
dQ dt
U L
dt
если последние нелинейны.
При этом система дифференциальных уравнений для схемы и-ого порядка преобразует- ся к виду:
1 с
176
d
л
,
, ' П 1 ( У 1 , У 2 5 Уп 5 "
dt
где
в левой части вынесены производные
функций, а в правой — выражения для
функ-
ций через параметры схемы,
частично нелинейные, и сами функции,
т.е. токи и напряжения.
Нахождение
переходного процесса есть решение
задачи Коши, которая формулируется
следующим
образом: требуется найти решение системы
п дифференциальных уравнений пер-
вого
порядка на заданном интервале времени
(to...tk),
если известны значения всех
перемен-
ных в одной точке, как правило
это точка — начало интервала
интегрирования. Значения
функций в
начале интервала определяются, как
несложно догадаться, из независимых
началь-
ных условий.
Рассмотрим
основные виды нелинейностей,
характерных для электронной техники.
Для
графоаналитических методов, как правило,
графическое изображение нелинейности
дает
исчерпывающую информацию для
расчета. Для численных методов требуется
обычно с той
или иной степенью
точности провести аппроксимацию
нелинейности функции с тем,
чтобы
использовать полученное
выражение для расчета или ввести его
в ЭВМ. Наибольшее рас-
пространение
при аппроксимации получили методы
аппроксимации ортогональными
много-
членами, например метод
наименьших квадратов, однако он
оказывается достаточно сложным
сам
по себе, а для решения задачи расчета
переходных процессов имеет чисто
прикладное
значение. В электронике,
где виды функций весьма ограничены,
зачастую можно воспользо-
ваться
хорошо разработанными готовыми
аппроксимирующими функциями и для
каждой кон-
кретной нелинейности
лишь подобрать коэффициенты аппроксимаций,
получив при этом
весьма
удовлетворительный по точности
результат. Рассмот-
рим некоторые
типовые из них:
• ВАХ полупроводникового
диода;
dt
=
/l(
Ух,
У2>- УП51)
i
= L
-1
0
Рис.
4.41
С
= Сп
п
= 3 - плавный переход;
п = 2 - резкий
переход.
Параметр Ащ
магнитные
характеристики;
В
= а • й(р#) или
Параметры
а,
Д b.
термистор;
Параметры
аппроксимации Io,
m.
обратные емкости переходов;
Афо
А
Фо
Рис.
4.42
\Е
н
= b . в
ч>т
и
u
0
Рис.
4.44