3.Закономерности роста крист фазы.

После возникновения зародыша нач-ся рост мет-го кристалла на пов-ти кристалла разные участки энергетически неравномерны,разряжающийся ион будет занимать более энергетически выгодное положение,чем больше соседей у иона тем прочнее он связан с крист реш и тем вероятнее что в этом месте разрядится след ион.пусть возник 2-хмерный зародыш,если движение р-ра уже установилось то при пост режиме эл-за слои будут нарастать закономерно увеличивая толщину кристалла.Об\но 1 слой возникает у угла кристалла.Толщина слоев и скорости их роста зав-ят от усл эл-за природы эл-та и металла.если пов-ть эл-да неидеальна то восст металла может прои-ть без обр-я 2х или 3х мерных зародышей.

Механизмы роста: 1)Первый вариант отвечает переносу заряда в любом месте катода с одновременной полной дегидратацией иона и получением атома металла на поверхности электрода.эти атомы-адатомы,они диффундируют по пов-ти кристалла пока не найдут наиболее подход место.Разряд происходит в любом месте.Происх поверх-я диффузия атомов.2)гидратированныйй ион ме-ла высаживается на пов-ти крист там он может терять гидратную оболочку, а м\т и не терять.тогда он путешествует по пов-ти критс пока не найдет наиболее энергетически выгодное место для разряда и встраивания в крист реш.на пов-ти обр-ся адионы.3) Третий вариант основан на предположении, что дегидратация протекает стадийно. Наименьшие нарушения в гидратной оболочке наблюдаются когда посадка гидратированного иона происходит на плоскость грани. В этом случае происходит частичная дегидратация. Между металлом и частично дегидратированным ионом устанавливается связь, и электроны в металле частично нейтрализуют положительный заряд иона. При посадке гидратированного иона на ребро кристалла деформация гидратной оболочки должна быть больше Это требует большей энергии активации по сравнению с посадкой акваиона на плоскость грани. Ещё большие затраты энергии необходимы при посадке акваиона в положение, где ион теснее всего связан с металлом. Следовательно, посадка иона на плоскость должна быть наиболее вероятной. электрокристаллизация происходит через промежуточное образование адсорбированных ионов (адионов) на плоскости грани с их последующей поверхностной диффузией к местам роста и включением в кристаллическую решётку.

4 Билет

1. Удельная электропроводность

Величина обратная удельному сопротивлению называется удельной электропроводностью.

 = 1/ = l/S R =  с z (₊ + _-)

Размерность удельной электропроводности Ом^-1 м^-1 = См/м (См – сименс)

Удельная электропроводность раствора характеризует электрическую проводимость объема раствора, за­ключенного между двумя параллельными электродами, имеющими площадь по 1 м и расположенными на расстоянии 1 м друг от друга.

Эквивалентная электропроводность. Чтобы выделить эффекты ион-ион­ного взаимодействия, удельную элек­тропроводность  делят на z₊₊с, или z_-_-с, где с — число молей в единице объема:

 = /z₊₊с = /z_-_-с

( z₊₊с = z_-_-с – это число грамм-эквивалентов в единице объёма,г-экв/м³)

Величина  называется эквивалентной электропроводностью. _i [м² Ом^-1/г-экв].

Она представляет собой электропроводность объёма электролита, содержащего 1 г-экв растворённого вещества и находящегося между двумя параллельными электродами на расстоянии 1м друг от друга. Размерность эквивалентной электропроводности м² Ом^-1 = м² См, тогда концентрация должна быть выражена в моль/м³.

Для бинарного электролита  = /zс =  с z (₊ + _-)/zc =  (₊ + _-)

В растворах сильных электролитов, для которых 1  = ₊ + _-

При бесконечном разведении 1, тогда ⁰ = ₊⁰ + _-⁰

Согласно теории Аррениуса  =  ⁰

U = E_r + E_ом + _к + _а ; E_ом=IR