238

Л.А. Торгонский

Проектирование

интегральных микросхем

и микропроцессоров

Раздел 2

Учебное пособие

2011

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное гоударственное бюджетное образовательное учереждение высшего профессионального образования

ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ

УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

Кафедра комплексной информационной безопасности

электронно-вычислительных систем (КИБЭВС)

Л.А. Торгонский

Проектирование

интегральных микросхем

и микропроцессоров

Раздел 2

Учебное пособие

2011

УДК 621.382

Торгонский Л.А.

Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебное пособие. В 3-х разделах. — Томск: ТУСУР, 2011. — Раздел 2. — 228 с.

Содержание пособия отражает базовые требования, темы, понятия предусмотренные государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования РФ по одноимённой дисциплине для специальности 210202 «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств».

Первый раздел пособия посвящен проектированию структур, топологических конфигураций элементов и кристаллов полупроводниковых микросхем.

Во втором разделе пособия рассматриваются основные аспекты проектирования элементов и плат гибридных микросхем, проектирования больших интегральных микросхем, проектирования средств защиты от внешних воздействий, подготовки конструкторской документации.

В третьем разделе размещены методические указания по изучению дисциплины, программа, варианты первой контрольной работы и технические материалы к выполнению трёх контрольных работ, вторая и третья из которых рассчитаны на компьютерный контроль. По дисциплине подготовлены вопросы компьютерного экзамена.

Пособие может быть рекомендовано студентам и специалистам других специальностей, выполняющим проектирование конструкций микросхем.

Ó Торгонский Л.А., 2011

Ó Томск, ТУСУР, 2011

Содержание

Учебное пособие 0

0

2011 1

4 Проектирование гимс 4

4.1 Введение 4

4.2 Подложки и платы ГИМС 6

4.3 Резисторы ГИС 8

4.3.1 Конструкции пленочных резисторов 8

4.3.2 Функциональные параметры резисторов ГИС 15

4.3.3 Материалы тонкоплёночных резисторов 17

4.3.4 Материалы толстоплёночных резисторов 20

4.3.5 Технологические ограничения 24

4.3.6 Тонкоплёночные резисторы без подгонки 26

4.3.7 Проектирование резисторов в форме меандра 30

4.3.8 Резисторы с подгонкой сопротивления 31

4.3.9 Проектирование толстоплёночных резисторов 36

4.3.10 Частотные свойства плёночных резисторов 39

4.4 Плёночные конденсаторы ГИС 41

4.4.1 Введение 41

4.4.2 Конструкции плёночных конденсаторов ГИМС 42

4.4.3 Функциональные параметры конденсаторов ГИМС 49

4.4.4 Материалы тонкоплёночных конденсаторов 50

4.4.5 Проектирование тонкоплёночных конденсаторов 52

4.4.6 Подгоняемые плёночные конденсаторы 55

4.4.7 Материалы толстоплёночных конденсаторов 57

4.4.8 Проектирование толстоплёночных конденсаторов 58

4.5 Индуктивные элементы ГИС 60

4.5.1 Введение 60

4.5.2 Проектирование плёночных катушек 64

4.6 Соединения и контакты ГИС 66

4.7 Коммутационные платы 69

4.8 Компоненты ГИС 74

4.8.1 Введение 74

4.8.2 Конструкции кристаллов 75

4.8.3 Конструкции конденсаторов 79

4.8.4 Конструкции резисторов 81

4.8.5 Индуктивные компоненты ГИМС 82

4.9 Гибридные микросхемы СВЧ диапазона 84

4.9.1 Введение 84

4.9.2 Элементы ГИМС СВЧ 86

4.9.3 Подложки ГИМС СВЧ 88

4.9.4 Микрополосковые линии передачи ГИМС СВЧ 90

4.9.5 Пассивные элементы ГИМС СВЧ 96

4.9.6 Активные элементы ГИМС СВЧ 98

4.9.7 Конструкции ГИМС СВЧ 100