Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ПИМС и МП. Лекции, задания / УчебноеПособие_Р2_1_м.doc
Скачиваний:
282
Добавлен:
11.05.2015
Размер:
4.84 Mб
Скачать

4.3.6 Тонкоплёночные резисторы без подгонки

Проектный вариант конструкции тонкоплёночного резистора изображён на рис. 4.1, а. В результате проектных расчётов определяются длина L и ширина резистора, ширина контактных площадок Вк и перекрытие Lк контактных площадок и резистивной полосы. Проектирование резисторов основывается на согласовании четырёх критериев выбора названных размеров:

  • сопротивление резистора должно соответствовать номиналу, R;

  • сопротивление должно соответствовать рассеиваемой мощности, Р;

  • производственная погрешность сопротивления δRп не должна превосходить заданное значение допуска сопротивления резистора δRз;

  • размеры резистора должны быть не менее технологически реализуемых, Lmin.

Перечисленные критерии позволяют представить следующие расчётные соотношения для связей функциональных параметров с размерами конструкции, параметрами материалов и технологическими отклонениями:

R= R□∙ (Кф = L/b); (4.2)

P ≤ Po∙L∙b; (4.3)

(δRз– δRэ) ≥ δRп = δL + δb + δR□ + δRк. (4.4)

{L, b, Lк} ≥ Lmin; (4.5)

δRк = 2Rк./R; (4.6)

Rк = (1,5/b)√(R□Rко); (4.7)

Lк ≈ (1,5 √(Rко/ R□). (4.8)

В формулах (4.2) — (4.5) введены обозначения:

Кф — коэффициент формы резистора;

δRэ — суммарная погрешность сопротивления резистора, определяемая изменением температуры и временным старением;

δL, δb, δR□, δRк — относительные погрешности длины и ширины резистора, погрешность поверхностного сопротивления R□ и погрешность, вносимая сопротивлениями контактных переходов.

Комбинируя выражения (4.2) — (4.7) при Кф = R/R□ ≥1, размеры резистора определить по формулам

bт ≥ {b∙ [(R□/ R) + 1] + (3/R)∙√(Rко∙R□)}/(δRп–δR□); (4.10)

Lт = Кф∙ bт (4.10а)

по критерию точности и

bр ≥ √[Р∙R□/(Ро∙R)]; (4.11)

Lp = Кф∙bр (4.11а)

по критерию мощности рассеяния резистора.

Ширина контактной площадки Вк и перекрытие её с резистивной полосой определяется с учётом погрешности совмещения ∆совм по соотношениям

Вк ≥ (b + 2∆C); (4.12)

Lп ≥ (Lк + ∆C). (4.12 а)

Аналогично при Кф < 1 первым определяется размер L и далее, с учётом Кф, определяется размер b по формулам:

Lт ≥ {L∙[(R/ R□) + 1] + 3√(Rко/ R□)}/(δRп–δR□); (4.13)

bт = Кф∙ Lт (4.13а)

по критерию точности и

Lр ≥ √[Р∙R/(Ро∙R□)]; (4.14)

bp = Кф∙ Lp (4.14а)

по критерию заданной мощности.

Из полученных расчётных значений размеров L, b принимается больший из определяющих размеров в соответствии с неравенствами

b > max {bp, bт, bтехн}, (4.15)

при Кф >1 и

L > max {Lp, Lт, Lтехн}. (4.15а)

Размеры Lтехн, bтехн рассматриваются как технологически минимально допустимые (см. табл. 4.9).

Ширина контактной площадки Вк и перекрытие её с резистивной полосой определяется по соотношениям (4.12), (4.12а).

Следует обратить внимание на расчётные соотношения (4.10) и (4.13), согласно которым при наличии требований к допуску сопротивления резистора, условие физической реализуемости определяется неравенством

(δRп–δR□) > 0. (4.16)

Можно показать, что выбором сопротивления R□ минимизируется площадь резистора и окружающей его защитной зоны при Кф = 1. Для массива резисторов с разными сопротивлениями условия минимизации не реализуются. Тем не менее при выборе поверхностного сопротивления в диапазоне значений {Rmin … Rmax} по неравенству

Rmin < R□ < Rmax

возможно уменьшить занимаемую резисторами площадь. Определённое приближение к минимальной площади, занимаемой N резисторами, достигается при выборе R□ по формуле

R□ опт  = , (4.17)

в которой Ri — значения сопротивлений резисторов массива.

Методика проектирования тонкоплёночных резисторов без подгонки сопротивления сводится к последовательности действий:

  • формирование необходимого набора исходных данных;

  • определение значения удельного поверхностного сопротивления R□ по выражению (4.17);

  • выбор марки резистивного сплава по найденному значению R□ с повышенным значением Ро и меньшими значениями t и с и расширение набора исходных данных;

  • оценка эксплуатационного допуска δRэ по температурной погрешности δRt  =  ТКЕ∙∆Т и погрешности старения плёнки δRcт =  = с∙ Δt (отклонение сопротивления по старению δRcт принимается из паспортных данных выбранной марки сплава и корректируется с учётом требуемого времени эксплуатации Δt, а температурное отклонение сопротивления определяется произведением температурного коэффициента сопротивления плёнки (ТКЕ) на отклонение температуры ∆Т) и производственного допуска δRп;

  • проверка реализуемости резисторов без подгонки сопротивления по условию (3.16);

  • определение размеров резисторов по формулам (4.10) — (4.12а);

  • выбор определяющих размеров согласно условиям (4.15) — (4.15а);

  • оформляется эскиз топологии с перечнем размеров резистора.

Удельное переходное сопротивление контактной пары принимается равным Rко = 0,05–0,25 [Ом∙мм2].