- •Л.А. Торгонский
- •Содержание
- •4 Проектирование гимс 4
- •5 Проектирование бис 105
- •4.2 Подложки и платы гимс
- •4.3 Резисторы гис
- •4.3.1 Конструкции пленочных резисторов
- •4.3.2 Функциональные параметры резисторов гис
- •4.3.3 Материалы тонкоплёночных резисторов
- •4.3.4 Материалы толстоплёночных резисторов
- •4.3.5 Технологические ограничения
- •4.3.6 Тонкоплёночные резисторы без подгонки
- •4.3.7 Проектирование резисторов в форме меандра
- •4.3.8 Резисторы с подгонкой сопротивления
- •4.3.9 Проектирование толстоплёночных резисторов
- •4.3.10 Частотные свойства плёночных резисторов
- •4.4 Плёночные конденсаторы гис
- •4.4.1 Введение
- •4.4.2 Конструкции плёночных конденсаторов гимс
- •4.4.3 Функциональные параметры конденсаторов гимс
- •4.4.4 Материалы тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.5 Проектирование тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.6 Подгоняемые плёночные конденсаторы
- •4.4.7 Материалы толстоплёночных конденсаторов
- •4.4.8 Проектирование толстоплёночных конденсаторов
- •4.5 Индуктивные элементы гис
- •4.5.1 Введение
- •4.5.2 Проектирование плёночных катушек
- •4.6 Соединения и контакты гис
- •4.7 Коммутационные платы
- •4.8 Компоненты гис
- •4.8.1 Введение
- •4.8.2 Конструкции кристаллов
- •4.8.3 Конструкции конденсаторов
- •4.8.4 Конструкции резисторов
- •4.8.5 Индуктивные компоненты гимс
- •4.9 Гибридные микросхемы свч диапазона
- •4.9.1 Введение
- •4.9.2 Элементы гимс свч
- •4.9.3 Подложки гимс свч
- •4.9.4 Микрополосковые линии передачи гимс свч
- •4.9.5 Пассивные элементы гимс свч
- •4.9.6 Активные элементы гимс свч
- •4.9.7 Конструкции гимс свч
- •5 Проектирование бис
- •5.1 Введение
- •5.2 Проблемы проектирования бис
- •5.3 Этапы проектирования бис
- •5.4 Элементная база бис. Матричные кристаллы
- •5.4.1 Введение
- •5.4.2 Библиотечный набор функциональных элементов и узлов
- •5.4.3 Конструктивные параметры модулей матричных бис
- •5.5 Автоматизация проектирования топологии имс
- •5.6 Системы автоматизации проектирования бис
- •6 Обеспечение защиты имс и мп
- •6.1 Введение
- •6.2 Корпуса микросхем
- •6.3 Бескорпусные микросхемы
- •6.4 Тепловые режимы имс
- •6.5 Внешние и внутренние паразитные связи и помехи в ис
- •6.6 Обеспечение механической устойчивости конструкций ис
- •6.7 Защита микросхем от воздействия агрессивных сред
- •6.8 Монтаж кристаллов и плат
- •6.9 Электрический монтаж кристаллов и плат
- •7 Конструкторская документация ис
- •7.1 Понятия и определения
- •7.2 Состав и содержание текстовых документов
- •7.3 Схемная докумнтация
- •7.4 Масштабные графические документы микросхем
- •8 Заключение
- •Список литературы
4.3.4 Материалы толстоплёночных резисторов
Агрегатное состояние материалов толстопленочных резисторов — это пасты, состоящие из основного функционального материала (наполнителя), порошка-стекла (фритта) и органической связки. В качестве наполнителя резистивных паст применяют серебро, палладий и их сплавы, окислы таллия и рутения. Для получения фритты наиболее широко используются свинцовые и цинковые бороcиликатные стекла. После термообработки пасты, нанесенной на подложку через маску, образуется резистивная стеклоэмаль. Поверхностное сопротивление резистивной стеклоэмали и температурный коэффициент её сопротивления зависят от процентного содержания наполнителя и стекла в исходной пасте. Повышенными температурной и временной стабильностью характеризуются стеклоэмали, в состав которых входит сплав палладий-серебро.
Марка пасты |
ПР-5 |
ПР-20 |
ПР-100 |
ПР-500 |
ПР-1К |
ПР-3К |
ПР-6К |
ПР-20К |
ПР-50К |
ПР-100К |
R□, Ом |
5 |
20 |
1∙102 |
5∙102 |
103 |
3∙103 |
6∙103 |
2∙104 |
5∙104 |
1∙105 |
ТКС, 10–4 К–1 |
±8 (в диапазоне температур — 60 ÷ +125 °С) | |||||||||
Ро, Вт/см2 |
(3–8) |
Таблица 4.5 — Резистивные пасты толстоплёночных ГИС
Промышленностью выпускается совокупность типов резистивных паст с удельным поверхностным сопротивлением получаемых из них толстых стеклоэмалевых пленок от 5 Ом до 100 кОм. Параметры резистивных паст приведены в табл. 4.5. Растекаемость паст на одну сторону составляет от 70 до 100 процентов толщины пасты до вжигания, что соответствует (30–50) мкм. После вжигания толщина резистивной плёнки определяется на уровне (15–20) мкм. Температура обжига резистивных толстых плёнок в зависимости от металлической основы пасты составляет (750–1000) °С.
В качестве контактных к резистивным плёнкам и соединительных проводников толстопленочных конструкций микросхем применяются проводящие пасты, параметры которых приведены в табл. 4.6. В отличие от тонкоплёночных конструкций резисторов в толстоплёночных резисторах резистивные плёнки предпочтительно исполнять вторым слоем по проводящим слоям. Эта особенность определяется спецификой нанесения пасты через сетчатый трафарет и фактором согласования температур вжигания, когда требуется обеспечивать для последующих слоёв меньшие температуры вжигания в сравнении с температурами вжигания предшествующих слоёв.
Таблица 4.6 — Параметры проводящих паст
Марка пасты |
4350 |
4350К |
4351 |
4005 |
4205 |
4320 |
Растекаемость (на одну сторону), мкм, не более |
50 |
25 |
25 |
50 |
25 |
50 |
Температура вжигания, °С |
820±10 |
820±10 |
870±5 |
820±10 |
870±3 |
855±5 |
R□, Ом не более |
0,05 |
0,05 |
0,05 |
0,05 |
0,02 |
0,02 |
Адгезия, кгс/см2, не менее |
50 |
50 |
100 |
50 |
80 |
50 |
После вжигания толщина проводящих плёнок, как и резистивных, должна быть на уровне 17±4 мкм. По проводящим плёнкам для последующего электромонтажа компонент должно быть проведено лужение припоями ПОС-61, ПСрОС-3-58. Для этой цели могут быть применены лудящие пасты, нанесение которых исполняется трафаретной печатью или дозатором. Параметры ряда распространённых лудящих паст приведены в табл. 4.7.
Таблица 4.7 — Параметры лудящих паст толстоплёночных ИМС
Марка пасты |
Припой |
Флюс |
Растворитель остатков связки |
Пл-111 |
ПОС-61 |
Активный, среднекоррозийный |
Вода |
Пл-112 |
ПОС-61 |
Некоррозийный |
Хлористый метилен |
Пл-113 |
ПОС-61 |
Слабокоррозийный |
Спирто-бензиновая смесь (1:1). Водные моющие растворы |
ПЛ-312 |
ПСрОС-3-58 |
Некоррозийный |
Хлористый метилен |
В лудящих пастах число частиц припоя с максимальным размером (40–80) мкм не должно превышать 80 %. Лудящие пасты, как ранее упоминалось, наносятся трафаретной печатью или дозатором. Температура оплавления перечисленных лудящих паст равна (225±5) °С. Лужение по процессу производства толстоплёночных плат является заключительным сравнительно высокотемпературным этапом.
Температура вжигания паст, как и температура испарения материала при напылении тонких плёнок, определяется температурными свойствами применённых металлов и их сплавов. В табл. 4.8 приведены температуры плавления ряда металлов, применяемых в чистом виде или в качестве наполнителей для паст.
Таблица 4.8 — Температура плавления металлов плёнок ГИМС
Материал |
Аl |
Ag |
Au |
Cu |
Ni |
Pd |
Ti |
Pt |
Температура плавления,°С |
660 |
961 |
1063 |
1083 |
1455 |
1555 |
1725 |
1774 |
Материал |
Cr |
Mo |
Ta |
W | ||||
Температура плавления,°С |
1800 |
2622 |
2996 |
3382 |
Процентный состав металла наполнителя в пасте и его температура плавления влияют на температуру вжигания паст толстых плёнок. Выбирая материал и изменяя в определённых пределах процентный состав наполнителя, изменяют температуру вжигания и согласуют очерёдность формирования толстоплёночных слоёв.
Для тонкоплёночных технологий температура плавления незначительно отличается от температуры испарения металла, и приводимая таблица характеризует температурные режимы нанесения плёнок. К примеру, такие материалы, как Mo, Ta, W, в производстве микросхем могут применяются в составе технологической оснастки (тигли, испарители) установок испарения. Как функциональные материалы пленок, они могут применятся в ионно-лучевых технологиях распыления и в качестве присадок для паст.