- •Л.А. Торгонский
- •Содержание
- •4 Проектирование гимс 4
- •5 Проектирование бис 105
- •4.2 Подложки и платы гимс
- •4.3 Резисторы гис
- •4.3.1 Конструкции пленочных резисторов
- •4.3.2 Функциональные параметры резисторов гис
- •4.3.3 Материалы тонкоплёночных резисторов
- •4.3.4 Материалы толстоплёночных резисторов
- •4.3.5 Технологические ограничения
- •4.3.6 Тонкоплёночные резисторы без подгонки
- •4.3.7 Проектирование резисторов в форме меандра
- •4.3.8 Резисторы с подгонкой сопротивления
- •4.3.9 Проектирование толстоплёночных резисторов
- •4.3.10 Частотные свойства плёночных резисторов
- •4.4 Плёночные конденсаторы гис
- •4.4.1 Введение
- •4.4.2 Конструкции плёночных конденсаторов гимс
- •4.4.3 Функциональные параметры конденсаторов гимс
- •4.4.4 Материалы тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.5 Проектирование тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.6 Подгоняемые плёночные конденсаторы
- •4.4.7 Материалы толстоплёночных конденсаторов
- •4.4.8 Проектирование толстоплёночных конденсаторов
- •4.5 Индуктивные элементы гис
- •4.5.1 Введение
- •4.5.2 Проектирование плёночных катушек
- •4.6 Соединения и контакты гис
- •4.7 Коммутационные платы
- •4.8 Компоненты гис
- •4.8.1 Введение
- •4.8.2 Конструкции кристаллов
- •4.8.3 Конструкции конденсаторов
- •4.8.4 Конструкции резисторов
- •4.8.5 Индуктивные компоненты гимс
- •4.9 Гибридные микросхемы свч диапазона
- •4.9.1 Введение
- •4.9.2 Элементы гимс свч
- •4.9.3 Подложки гимс свч
- •4.9.4 Микрополосковые линии передачи гимс свч
- •4.9.5 Пассивные элементы гимс свч
- •4.9.6 Активные элементы гимс свч
- •4.9.7 Конструкции гимс свч
- •5 Проектирование бис
- •5.1 Введение
- •5.2 Проблемы проектирования бис
- •5.3 Этапы проектирования бис
- •5.4 Элементная база бис. Матричные кристаллы
- •5.4.1 Введение
- •5.4.2 Библиотечный набор функциональных элементов и узлов
- •5.4.3 Конструктивные параметры модулей матричных бис
- •5.5 Автоматизация проектирования топологии имс
- •5.6 Системы автоматизации проектирования бис
- •6 Обеспечение защиты имс и мп
- •6.1 Введение
- •6.2 Корпуса микросхем
- •6.3 Бескорпусные микросхемы
- •6.4 Тепловые режимы имс
- •6.5 Внешние и внутренние паразитные связи и помехи в ис
- •6.6 Обеспечение механической устойчивости конструкций ис
- •6.7 Защита микросхем от воздействия агрессивных сред
- •6.8 Монтаж кристаллов и плат
- •6.9 Электрический монтаж кристаллов и плат
- •7 Конструкторская документация ис
- •7.1 Понятия и определения
- •7.2 Состав и содержание текстовых документов
- •7.3 Схемная докумнтация
- •7.4 Масштабные графические документы микросхем
- •8 Заключение
- •Список литературы
4.8.3 Конструкции конденсаторов
При суммарной площади плёночных конденсаторов более 1 см2 целесообразно применять миниатюрные навесные конденсаторы. Промышленно выпускаются керамические конденсаторы типов К10-9, К10-9м и К10-17, стеклокерамические типа К22-4, керамические конденсаторные матрицы типа К10-27, предназначенные для применения в качестве компонентов ГИМС. Стеклокерамические конденсаторы типа К22-4 с электродами из алюминиевой фольги предназначены для применения в герметизированных ГИС, где они могут заменять конденсаторы типов К10-9 и К10-17 с электродами из благородных металлов. Электролитические оксидно-полупроводниковые конденсаторы типов К52-6, К53-15 и другие используют в миниатюрных конструкциях блоков аппаратуры на печатных платах совместно с микросхемами. Варианты конструктивных исполнений конденсаторов изображены на рисунке 4.26. Выпускаются конденсаторы с нелужеными и лужеными исполнениями контактных поверхностей. Размеры конденсаторов зависят от величины ёмкости и температурного коэффициента. Номинальные значения ёмкости навесных конденсаторов определяются нормированными числовыми значениями рядов Е6-Е192.
Рисунок 4.26
Конденсаторы типов К10-9, К10-17 исполняются с нормированными значениями температурного коэффициента групп П33, М47-М1500 и группами температурного изменения емкости Н10-Н30, Н30, Н90, в диапазоне температур –60...+85 С. Относительно емкости при 20 °С изменения емкости конденсаторов составляют от ±10 % (Н10) до ±50 % (Н90). Конденсаторы типа К22-4 выпускают только одной группы по ТКЕ (Н10).
В линейных ГИС, содержащих по несколько конденсаторов одинаковой емкости, нашли применение матрицы керамических конденсаторов типа К10-27 с габаритными размерами для номиналов 20,015–50,047 мкФ от 2,44,20,8 мм до 8,57,01,2 мм.
Габаритные размеры конденсаторов типа К10-9 находятся в пределах от 2,22,71,2 до 8,5103 при емкости от 27пф до 4700пф с нормированным ТКЕ. Соответственно для температурных групп Н10-Н90 емкость конденсаторов для названных габаритов составляет 150пф — 0,15 мкф. Размеры конденсаторов типа К10-17 при прочих равных условиях находятся в диапазоне значений от 1,421,2 до 8,96,82. Размеры конденсаторов типа К22-4 при емкости от 56 пф до 10 000 пф находятся в диапазоне значений от 272,81,3 до 6,16,84,2.
Расположение выводов конденсаторов по граням конденсаторной таблетки определяет преимущественное исполнение электромонтажных соединений пайкой в соответствии с рисунком 4.27.
4.8.4 Конструкции резисторов
Конструкции навесных резисторов типа Р1-ХХ с лужёными и нелужёными контактами, предназначенные для установки на платах ГИМС и печатных платах, по форме и размерам подобны конструкциям конденсаторов К10-ХХ, К22-ХХ. Иную форму имеют исполнения резисторов С2-12, С3-3, изображённые на рисунке 4.28.
Номинальные значения сопротивлений навесных резисторов определяются нормированными числовыми значениями рядов Е6-Е192.
Размеры резисторов исполнений С2-12, С3-3 приведены в таблице 4.15.
Таблица 4.15 — Размеры резисторов исполнений С2-12, С3-3
Резистивным материалом навесных резисторов являются металлодиэлектрические, металлооксидные плёнки и композиционные пасты с температурным коэффициентом сопротивления (10–3–10–4) 1/град.