- •Л.А. Торгонский
- •Содержание
- •4 Проектирование гимс 4
- •5 Проектирование бис 105
- •4.2 Подложки и платы гимс
- •4.3 Резисторы гис
- •4.3.1 Конструкции пленочных резисторов
- •4.3.2 Функциональные параметры резисторов гис
- •4.3.3 Материалы тонкоплёночных резисторов
- •4.3.4 Материалы толстоплёночных резисторов
- •4.3.5 Технологические ограничения
- •4.3.6 Тонкоплёночные резисторы без подгонки
- •4.3.7 Проектирование резисторов в форме меандра
- •4.3.8 Резисторы с подгонкой сопротивления
- •4.3.9 Проектирование толстоплёночных резисторов
- •4.3.10 Частотные свойства плёночных резисторов
- •4.4 Плёночные конденсаторы гис
- •4.4.1 Введение
- •4.4.2 Конструкции плёночных конденсаторов гимс
- •4.4.3 Функциональные параметры конденсаторов гимс
- •4.4.4 Материалы тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.5 Проектирование тонкоплёночных конденсаторов
- •4.4.6 Подгоняемые плёночные конденсаторы
- •4.4.7 Материалы толстоплёночных конденсаторов
- •4.4.8 Проектирование толстоплёночных конденсаторов
- •4.5 Индуктивные элементы гис
- •4.5.1 Введение
- •4.5.2 Проектирование плёночных катушек
- •4.6 Соединения и контакты гис
- •4.7 Коммутационные платы
- •4.8 Компоненты гис
- •4.8.1 Введение
- •4.8.2 Конструкции кристаллов
- •4.8.3 Конструкции конденсаторов
- •4.8.4 Конструкции резисторов
- •4.8.5 Индуктивные компоненты гимс
- •4.9 Гибридные микросхемы свч диапазона
- •4.9.1 Введение
- •4.9.2 Элементы гимс свч
- •4.9.3 Подложки гимс свч
- •4.9.4 Микрополосковые линии передачи гимс свч
- •4.9.5 Пассивные элементы гимс свч
- •4.9.6 Активные элементы гимс свч
- •4.9.7 Конструкции гимс свч
- •5 Проектирование бис
- •5.1 Введение
- •5.2 Проблемы проектирования бис
- •5.3 Этапы проектирования бис
- •5.4 Элементная база бис. Матричные кристаллы
- •5.4.1 Введение
- •5.4.2 Библиотечный набор функциональных элементов и узлов
- •5.4.3 Конструктивные параметры модулей матричных бис
- •5.5 Автоматизация проектирования топологии имс
- •5.6 Системы автоматизации проектирования бис
- •6 Обеспечение защиты имс и мп
- •6.1 Введение
- •6.2 Корпуса микросхем
- •6.3 Бескорпусные микросхемы
- •6.4 Тепловые режимы имс
- •6.5 Внешние и внутренние паразитные связи и помехи в ис
- •6.6 Обеспечение механической устойчивости конструкций ис
- •6.7 Защита микросхем от воздействия агрессивных сред
- •6.8 Монтаж кристаллов и плат
- •6.9 Электрический монтаж кристаллов и плат
- •7 Конструкторская документация ис
- •7.1 Понятия и определения
- •7.2 Состав и содержание текстовых документов
- •7.3 Схемная докумнтация
- •7.4 Масштабные графические документы микросхем
- •8 Заключение
- •Список литературы
5 Проектирование бис 105
5.1 Введение 105
5.2 Проблемы проектирования БИС 107
5.3 Этапы проектирования БИС 111
5.4 Элементная база БИС. Матричные кристаллы 114
5.4.1 Введение 114
5.4.2 Библиотечный набор функциональных элементов и узлов 114
5.4.3 Конструктивные параметры модулей матричных БИС 119
5.5 Автоматизация проектирования топологии ИМС 121
5.6 Системы автоматизации проектирования БИС 126
6 Обеспечение защиты ИМС и МП 130
6.1 Введение 130
6.2 Корпуса микросхем 131
6.3 Бескорпусные микросхемы 140
6.4 Тепловые режимы ИМС 141
6.5 Внешние и внутренние паразитные связи и помехи в ИС 148
6.6 Обеспечение механической устойчивости конструкций ИС 157
6.7 Защита микросхем от воздействия агрессивных сред 168
6.8 Монтаж кристаллов и плат 184
6.9 Электрический монтаж кристаллов и плат 190
7 Конструкторская документация ИС 205
7.1 Понятия и определения 205
7.2 Состав и содержание текстовых документов 213
7.3 Схемная докумнтация 216
7.4 Масштабные графические документы микросхем 224
8 Заключение 232
Список литературы 237
4 Проектирование ГИМС
4.1 Введение
Конструктивными и схемными элементами и компонентами как пленочных, так и толстопленочных гибридных интегральных микросхем (ГИМС) являются:
диэлектрическая подложка;
пленочные резисторы, конденсаторы, проводники и контактные площадки;
миниатюрные пассивные и активные компоненты;
корпус.
Гибридные микросхемы ГИМС имеют ряд позитивных свойств, обеспечивая:
широкий диапазон номиналов пассивных элементов;
в сравнении с полупроводниковыми ИМС малые пределы допусков и лучшие электрические характеристики этих элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее количество и менее заметное влияние паразитных элементов);
возможность интеграции в их конструкциях широкого спектра дискретных компонентов, включая полупроводниковые БИС.
Минимальное количество микросхем, при котором производство становится рентабельным, меньше при гибридно-пленочной технологии, чем при полупроводниковой. Тем не менее для производства выгодно минимизировать номенклатуру изделий различного функционального назначения и проектировать ГИМС как многофункциональное устройство. Окончательный выбор функции определяется потребителем. Реализация функционального назначения гибридных микросхем по заказу потребителя производится на последних этапах производства применением определенного варианта коммутации элементов и компонентов.
Использование в производстве пленочных и навесных пассивных и активных компонентов определяет широкий диапазон применения гибридных микросхем, оправдывает целесообразность и перспективность их производства как микросхем частного применения при разработке микроэлектронной аппаратуры любой серийности.
Подготовка производства и производственного персонала для производства ГИМС обеспечивается при существенно меньших уровнях расхода материальных ресурсов в сравнении с производством полупроводниковых конструкций. Вопросам проектирования гибридных микросхем посвящены материалы работ [1, 3, 4, 7, 10, 12, 13].