Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Проектирование и расчет усилителей и активных ф...doc
Скачиваний:
62
Добавлен:
27.08.2019
Размер:
4.98 Mб
Скачать

1.2.3 Определение нестабильности положения рт

Для схемы по рис. 1.9 выражение, определяющее ток базы, можно найти из уравнения:

,

которое с учетом принимает вид

,

откуда

, (1.37)

. (1.38)

Дифференцируя последнее выражение, найдем dIк:

, (1.39)

а после почленного деления на (1.38) найдем выражение для (при этом считаем β βср):

. (1.40)

Из рассмотрения выражения (1.40) следует, что схема с делителем напряжения не обладает достаточной стабильностью положения РТ.

В несимметричных усилительных каскадах для температурной стабилизации РТ применяются два основных метода:

  • метод термостабилизации, основанный на применении отрицательной обратной связи (ООС) по постоянному току (под такой ООС подразумевается обратная связь для очень медленных изменений токов и напряжений, вызванных действием дестабилизирующих факторов);

  • метод термокомпенсации, основанный на использовании в схеме термочувствительных элементов – терморезисторов, диодов, транзисторов. Эти элементы включаются так, что при колебаниях температуры окружающей среды их сопротивление изменяется по определенному закону и приводит к полной либо частичной компенсации изменений тока коллектора транзистора.

1.3 Типовые схемы резистивных усилительных каскадов

1.3.1 Каскад с последовательной оос по току

Такая ООС характерна для включения транзистора по схеме с общим эмиттером (ОЭ), приведенной на рис. 1.13.

Рис. 1.13. Усилительный каскад с ОЭ

При рассмотрении схемы сделаем допущение, что Iк ≈ Iэ, справедливое для большинства современных транзисторов, имеющих βmin >> 1.

Интервалы времени, за которые происходят заметные температурные изменения токов и напряжений, лежат обычно в пределах единиц-десятков секунд, что соответствует частотам, значительно меньшим 1 Гц. Значения Rэ и Сэ обычно выбирают такими, что граничная частота этой цепи больше 5…10 Гц, поэтому при расчете режима работы транзистора по постоянному току можно считать, что │Zэ│≈ Rэ (конденсатор Сэ как бы отсутствует).

Коллекторный ток для этой схемы равен:

, (1.41)

а его приращения dIк и относительная нестабильность соответственно равны:

; (1.42)

. (1.43)

Заметим, что в этом выражении, в отличие от (1.40) отсутствует член . Это означает, что в этой схеме разброс значений β не влияет на положение РТ. Отсутствие такого влияния обусловлено отсутствием в цепи базы сопротивления и, следовательно, напряжение на базе относительно общего провода тождественно равно Еб при любом токе Iб.

Величина тем меньше, чем больше Еб. Например:

, .

Тогда при Еб = 0,8 В резистор Rэ должен иметь сопротивление:

,

а нестабильность равна .

Если Еб увеличить до 1,6 В, то для получения того же значения сопротивление резистора Rэ необходимо увеличить до 0,5 кОм, при этом нестабильность уменьшится до 10%. Увеличив Еб до 4,6 В (Rэ = 2 кОм), уменьшим нестабильность до 2,5%. Дальнейшее увеличение Еб нецелесообразно, так как при использовании резисторов ряда Е24 погрешность R(±5%) превышает 2,5%.

Главный недостаток схемы с ОЭ с нулевым значением Rб состоит в том, что в резистивных усилителях невозможно обеспечить последовательное соединение источников смещения Еб и сигнала uвх. Близкое к нулю внутреннее сопротивление источника сигнала для медленных изменений тока и напряжения и последовательное соединение Еб и uвх реализуемы только при наличии межкаскадного согласующего трансформатора. В резистивных каскадах применение трансформаторов крайне нежелательно либо невозможно (если усилитель широкополосный). Поэтому схема каскада с ОЭ неизбежно содержит резистор Rб (рис. 1.14).

Рисунок 1.14. Схема каскада с учетом Rб

Для этой схемы из выражения:

, (1.44)

находим ток базы:

, (1.45)

после умножения на β определяем:

. (1.46)

Для определения относительной нестабильности Iк определим dIк:

, (1.47)

с учетом (1.46) при β βср

. (1.48)

Из последнего выражения следует: чем меньше Rб, тем ближе (1.48) к (1.43). С другой стороны, малые значения Rб могут недопустимо ухудшить усилительные свойства предыдущего каскада, поэтому при выборе Rб следует принимать компромиссное решение. Если в схеме есть конденсатор Сэ, то входное сопротивление каскада Rвх ОЭ ≈ h11Э и достаточно обеспечить условие Rб ≥ (2...5) h11Э. При отсутствии конденсатора Сэ: Rвх ОЭ ≈ h11Э + h21ЭRэ, а минимальное значение Rб определяется по выражению (1.14).