- •Содержание
- •1 Биполярные транзисторы
- •1.1 Влияние дестабилизирующих факторов на свойства каскада
- •1.2 Анализ схем простейших усилительных каскадов
- •1.2.1 Каскад со смещением рт от источника тока
- •1.2.2 Каскад со смещением рт от источника напряжения
- •1.2.3 Определение нестабильности положения рт
- •1.3 Типовые схемы резистивных усилительных каскадов
- •1.3.1 Каскад с последовательной оос по току
- •1.3.2 Каскад с параллельной оос по напряжению
- •1.3.3 Сравнение основных типовых каскадов
- •2 Полевые транзисторы
- •2.1 Каскад с общим истоком
- •2.2 Каскад с общим стоком
- •3 Примеры расчета каскадов
- •3.1 Пример расчета усилителя напряжения с буферным каскадом на входе
- •3.1.1 Выбор схемы усилителя
- •3.1.2 Выбор типа транзистора
- •3.1.3 Расчет выходного каскада усилителя
- •3.1.4 Расчет входного каскада усилителя (эмиттерного повторителя)
- •3.2 Упрощенный расчет усилительного каскада
- •4 Активные фильтры
- •4.1 Общие сведения о фильтрах
- •4.2 Передаточная функция фильтра
- •4.3 Виды аппроксимации частотных характеристик
- •4.4 Каскадное проектирование активных фильтров
- •4.5 Выбор элементов активных фильтров
- •4.6 Особенности схем активных фильтров
- •5 Расчёт активных rc-фильтров нижних частот
- •5.1 Фильтр Баттерворта
- •5.2 Фильтр Чебышева
- •5.3 Выбор минимального порядка фильтра
- •5.4 Расчёт фнч второго порядка с мос
- •5.5 Расчёт фнч второго порядка на инун
- •5.6 Расчёт фнч первого порядка
- •6 Расчёт активных rc-фильтров верхних частот
- •6.1 Передаточная функция фвч
- •6.2 Расчёт фвч второго порядка с мос
- •6.3 Расчёт фвч второго порядка на инун
- •6.4 Расчёт фвч первого порядка
- •7 Расчёт полосовых активных rc-фильтров
- •7.1 Передаточная функция пф
- •7.2 Расчёт пф второго порядка с мос
- •7.3 Расчёт пф второго порядка на инун
- •8 Пример расчета активного rc-фильтра
- •8.1 Порядок расчета активных rc-фильтров нч или вч
- •8.2 Порядок расчета активных полосовых rc-фильтров
- •8.3 Пример расчета активного rc-фильтра вч
3.1.1 Выбор схемы усилителя
Коэффициент усиления усилителя равен:
,
где – амплитуда напряжения на входе усилителя; Rвх – входное сопротивление усилителя.
Так как Rд = 2 кОм достаточно велико, то для уменьшения шунтирующего влияния входного сопротивления усилителя на источник сигнала, необходимо перед усилителем поставить эмиттерный повторитель (ЭП), обладающий большим входным сопротивлением. Тогда можно считать, что и требуемый коэффициент усиления равен:
.
.
Для компенсации разброса параметров транзисторов коэффициент усиления усилителя следует выбирать с запасом 20…25%:
К = 1,25 · К0 = .
Так как К = 62,5 сравнительно небольшой, а сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм достаточно велико, то в качестве последующего каскада усилителя целесообразно выбрать один каскад усиления, выполненный по схеме с эмиттерной стабилизацией рабочей точки.
Таким образом, схема усилителя, соответствующая исходным данным, должна содержать два каскада: эмиттерный повторитель и один каскад усиления напряжения (рис. 3.1).
Рис. 3.1. Принципиальная электрическая схема усилителя
Примечания:
1. Если сопротивление нагрузки Rн мало (десятки, сотни Ом), то для согласования выходного сопротивления усилителя с малым сопротивлением нагрузки между усилителем и нагрузкой необходимо включить эмиттерный повторитель.
2. Если внутреннее сопротивление источника входного сигнала мало (десятки Ом), то эмиттерный повторитель во входной цепи нецелесообразен.
3. Если коэффициент усиления усилителя К больше 100, то целесообразно использовать два и более каскадов усиления.
4. Так как выбранная схема усилителя состоит из двух каскадов, то она содержит три разделительные цепи, влияющие на работу усилителя в области нижних частот (С1, С2 и С3) и две цепи, влияющие на работу усилителя в области верхних частот (С4 и Сн). Поэтому заданные коэффициенты частотных искажений в области нижних и верхних частот необходимо разделить следующим образом:
Мн1 = Мн2 = Мн3 = = = 1,12;
Мв1 = Мв2 = = = 1,19.
5. Расчет усилителя следует начинать с последнего каскада.
3.1.2 Выбор типа транзистора
Транзистор выбирают из следующих условий:
верхняя граничная частота транзистора должна быть больше заданной верхней частоты усилителя с учетом допустимых частотных искажений в области верхних частот, т. е.
;
коэффициент усиления по току h21Э = β должен быть как можно большим, а начальный (неуправляемый) ток коллектора Iк0 – как можно меньшим;
мощность рассеивания на коллекторе транзистора должна быть больше мощности в нагрузке, которая равна:
.
Анализ значений fгрЭ и Рн показывает, что необходимо выбрать маломощный низкочастотный транзистор с достаточно большим коэффициентом усиления по току h21Э и малым начальным током коллектора Iк0.
По справочнику выбираем транзистор МП42 с характеристиками:
верхняя граничная частота для схемы с общей базой
fгрБ = f = 2 МГц;
коэффициент усиления по току
h21Э = β = 45…100;
максимальный ток коллектора в режиме усиления
Iк max = 40 мА;
максимальное напряжение на коллекторе
Uк max = 15 В;
емкость коллекторного перехода
Ск = 20…50 пФ.
Так как в справочнике приведена верхняя граничная частота транзистора для его включения по схеме с общей базой, а в рассчитываемой схеме усилителя транзистор включен по схеме с общим эмиттером, то определим верхнюю граничную частоту транзистора МП42 для его включения по схеме с общим эмиттером:
;
Так как fβ = 20 кГц > fгрЭ = 15,502 кГц, транзистор выбран с запасом по частоте.