Поверхностный потенциал образца эффективно изменяет его работу выхода, приводя к сдвигу всего фотоэлектронного спектра

на величину eVs . Для диэлектрических образцов (например, кристалла NaCl) сдвиг из-за статической зарядки составляет BE = eVs ~ 5 эВ. С помощью выражения (2.79) можно оценить плотность заряда в приповерхностном слое образца. При h =1 мм,

s =100	нм, ε = 4.9 (NaCl)	получаем поверхностную плотность
заряда	σ = εVs / h ~ 3 10−11	Кл/см2 и объемную плотность

ρ = σ / s ~ 3 10−6 Кл/см3. Отсюда объемная концентрация захваченного заряда (т.е. концентрация ловушек) n = ρ / e ~ 2 1013 см-3, что составляет n / n0 ~ 10−9 долю от общей концентрации атомов.

Таким образом, только 0.0000001% атомов поверхностного слоя захватывают положительный заряд, что, однако, приводит к существенному поверхностному потенциалу в 5 В.

2.7. Аппаратура для РФЭС

Блок-схема установки для РФЭС представлена на рис.2.29.

Рис.2.29. Блок-схема основных элементов рентгеновского фотоэлектронного спектрометра [7]

100