- •Глава 1. Введение
- •1.1. Классификация методов исследования наноструктур и поверхности твердого тела
- •1.2. Сверхвысокий вакуум
- •Глава 2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
- •2.1. Общие замечания
- •2.2. Физические принципы РФЭС
- •2.3. Качественный анализ спектров
- •2.3.1. Спектроскопические обозначения уровней
- •2.4. Количественный анализ спектров. Расчет интенсивности
- •2.4.1. Характеристика процесса фотоионизации
- •2.4.2. Характеристика образца
- •2.4.3. Аппаратный фактор
- •2.4.4. Интенсивность фотоэлектронной линии
- •2.5. Количественный анализ спектров. Расчет энергии связи
- •2.6. Структура РФЭ спектров
- •2.6.1. Первичная структура РФЭ спектров
- •2.6.1.1. Остовные уровни
- •2.6.1.2. Спин-орбитальное расщепление уровней
- •2.6.1.3. Валентные уровни
- •2.6.1.4. Серии оже-переходов, возбуждаемых рентгеновским излучением
- •2.6.1.5. Сдвиг фотоэлектронных и оже-электронных линий
- •2.6.2. Вторичная структура РФЭ спектров
- •2.6.2.1. Ложные пики низкой интенсивности
- •2.7. Аппаратура для РФЭС
- •2.7.1. Источник рентгеновского излучения
- •2.7.2. Энергоанализатор
- •2.7.3. Детектор электронов
- •2.8. Использование метода РФЭС в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •2.8.1. Образование наноструктур на поверхности Si (100), индуцированное адсорбцией кислорода
- •2.8.3. Исследование кинетики роста островков оксидной фазы на поверхности Ni в окрестности точки Кюри
- •2.8.5. Эволюция электронной структуры нанокластеров благородных металлов
- •2.9. Контрольные вопросы к главе 2
- •3.1. Общие замечания и историческая справка
- •3.2. Физические основы ОЭС
- •3.3. Общий вид электронного спектра в ОЭС
- •3.4. Расчет кинетической энергии оже-электрона
- •3.5. Форма оже-электронных спектров
- •3.6. Тонкая структура оже-электронных спектров
- •3.8. Количественный анализ оже-электронных спектров
- •3.9. Сравнение характеристик ОЭС и РФЭС
- •3.10. Аппаратура для ОЭС
- •3.11. Использование метода ОЭС в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •3.12. Контрольные вопросы к главе 3
- •Глава 4. Спектроскопия рассеяния медленных ионов
- •4.1. Общие замечания
- •4.2. Физические основы СРМИ
- •4.3. Общий вид обзорного спектра РМИ
- •4.4. Интенсивность спектральных линий. Сечение рассеяния
- •4.5. Эффект нейтрализации ионов
- •4.6. Структурные эффекты в СРМИ
- •4.6.1. Эффект затенения
- •4.6.2. Эффект многократного рассеяния
- •4.6.3. Применение метода СРМИ для определения степени покрытия поверхности
- •4.6.4. Влияние структуры поверхности на линии спектров РМИ
- •4.7. Аппаратура СРМИ
- •4.8. Использование метода СРМИ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •4.8.1. Исследование in situ эволюции электронной структуры наноразмерных слоев HfO2 при отжиге в вакууме
- •4.8.2. Исследование начальной стадии окисления поверхности никеля
- •4.8.3. Возбуждение электрон-дырочных пар в процессе рассеяния ионов на поверхности нанокластеров Au
- •4.8.4. Исследование релаксации поверхности Ag(111) при нагреве методом СРБИ
- •4.9. Контрольные вопросы к главе 4
- •Глава 5. Сканирующая зондовая микроскопия
- •5.1. Введение
- •5.2. Физические основы СТМ
- •5.3. Аппаратура для СТМ
- •5.4. Физические основы АСМ
- •5.5. Использование методов СЗМ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •5.6. Контрольные вопросы к главе 5
- •Глава 6. Дифракция медленных электронов
- •6.1. Введение
- •6.2. Кристаллография поверхности
- •6.2.1. Трехмерные кристаллические решетки
- •6.2.2. Двумерные кристаллические решетки
- •6.2.3. Индексы Миллера для атомных плоскостей
- •6.3. Дифракция на кристаллической решетке
- •6.3.1. Дифракция на трехмерной решетке
- •6.3.2. Дифракция на двумерной решетке
- •6.4. Аппаратура, геометрия и структурные эффекты в ДМЭ
- •6.4.1. Влияние дефектов, доменной структуры и кластеров на поверхности
- •6.4.2. Учет тепловых колебаний атомов решетки
- •6.5. Использование метода ДМЭ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •6.6. Контрольные вопросы к главе 6
- •ЗАДАЧИ
- •Список рекомендуемой литературы
Кинетика изменения этих оксидных состояний представлена на рис.2.44.
Видно, что кривая SiΣ, представляющая собой суммарную концентрацию атомов Si, находящихся в четырех оксидных состояниях, носит ступенчатоподобный характер, с размером каждой из ступенек соответствующей 1 ML, что отвечает послойному росту твердого оксида SiO2.
2.8.3. Исследование кинетики роста островков оксидной фазы на поверхности Ni в окрестности точки Кюри
Экспериментальное исследование кинетики образования оксидной фазы на поверхности Ni при субмонослойных покрытиях в широком интервале температур, включающим точку Кюри, с использованием РФЭС и СРМИ (электронный спектрометр XSAM-800).
Рис. 2.45. Фотоэлектронные спектры Ni 2p3/2 (а) и O 1s (б). Спектры 1 получены при Т=345 К и ε = 30 Л, 2– после нагрева экспонированного образца при Т=873 К в течение 20 мин
На рис.2.45,а приведены типичные спектры Ni2p в двух разных состояниях: металлическом и оксидном. Спектр (1) соответствует спектру чистого металлического никеля с энергией связи ВE=853.0 эВ, на втором спектре (2), пик с ВE=854.8 эВ, отвечает атомам никеля в оксидном состоянии. Спектры кислорода O1s, измеренные на никеле до (1) и после (2) экспозиции, представлены на
118
рис.2.45,б. Спектр 1 соответствует атомам кислорода в никеле, находящимся в оксидном состоянии с ВE=530.0 эВ, спектр 2 (ВE=531.5 эВ) соответствует сигналу от находящихся в приповерхностной области продиффундировавших атомов кислорода.
Рис.2.46. Зависимость скорости образования оксидной фазы К на начальной стадии окисления Ni от обратной температуры в логарифмических координатах 26)
Измерения зависимостей интенсивности пика O1s (BE=530,0 эВ) от температуры позволили определить кинетику роста оксидной фазы на поверхности Ni в зависимости от экспозиции и температуры. Оказалось, что скорость окисления на начальной стадии с увеличением температуры уменьшается, что можно трактовать как процесс с отрицательной энергией активации. Обнаружено аномальное поведение скорости образования оксидной фазы в окрестности точки Кюри при субмонослойных покрытиях (рис.2.46). В точке Кюри наблюдается максимум скорости образования оксидной фазы, а в ферромагнитной – минимум. С ростом степени заполнения поверхности островками оксидной фазы особенности вблизи точки Кюри исчезают. Наблюдается лишь изменение энергии активации процесса при переходе через TC. Такое поведение скорости образования оксидной фазы в окрестности TC обусловлено влиянием динамики флуктуации магнитного момента в точке фазового ферро - параперехода.
26) В.Д. Борман, Е.П. Гусев, Ю.Ю. Лебединский, А.П. Попов, В.И. Троян // ЖЭТФ
95 (1989) с.1378.
119
2.8.4.Анализ химического состава ПАН-волокна
Внастоящее время проявляется большой интерес к полиакрилонитрильным волокнам (ПАН-волокна), являющимся исходным сырьем для углеродных волокон (УВ). Технология получения и свойства конечного продукта из ПАН-волокон определяется процессами, протекающими в объеме волокна, а также атомным транспортом в его приповерхностных слоях. В соответствии с современными представлениями, структура и свойства приповерхностного слоя играют определяющую роль в процессах получения УВ из ПАН.
Процесс переработки ПАН-волокна в УВ включает в себя следующие основные стадии:
1)формирование ПАН-волокна из исходных веществ, которые могут содержать установленные примеси;
2)стабилизация под натяжением – окисление с последующей циклизацией. Окисление предполагает включение атомов кислорода в состав повторяющихся блоков макромолекулы ПАН, а циклизация – исключение несвязанных атомных групп;
3)карбонизация – процесс пиролиза стабилизированного волокна, при котором происходит его превращение в УВ. На этой стадии из волокна необходимо удалить практически все элементы, кроме углерода и небольшого количества азота;
4. графитизация.
Структура приповерхностного слоя играет определяющую роль, по крайней мере, на стадиях стабилизации карбонизации. Действительно, хорошо известно, что кинетика окисления материалов определяется процессами доставки кислорода в неокисленный слой, которые, в свою очередь, критическим образом зависят от структуры приповерхностного слоя, содержания в нем посторонних химических элементов и дефектов структуры. Например, образование в приповерхностных слоях оксидов элементов, таких как оксид кремния, может существенно затормозить процесс окисления, вплоть до его полного прекращения, приводя к возникновению дефектной структуры УВ.
На стадии карбонизации наличие модифицированного слоя может приводить к запиранию в объеме волокна элементов (в том
120
числе примесных), которые необходимо удалять на этой стадии. Наличие этих элементов в объеме способствует появлению дефектной структуры УВ, и, следовательно, приводит к ухудшению его прочностных свойств.
Снижать прочность УВ могут также поверхностные дефекты, унаследованные от исходного ПАН-волокна, которые определяются непосредственно структурой приповерхностного слоя.
В связи с этим возникает необходимость в проведении как объемных, так и поверхностных анализов состава исходного ПАНволокна с помощью методик, используемых в аналитическом сопровождении современных технологий получения наноструктурированных веществ. Одной из таких методик является методика РФЭС, позволяющая получать информацию о химическом составе поверхностных слоев исследуемого образца. На рис.2.47 представлены обзорные РФЭ спектры исходного и очищенного ионным травлением ПАН-волокна (а) и спектр линии C1s исходного волокна, разложенный на компоненты, отвечающий различным химическим связям.
Рис. 2.47. Обзорные РФЭ спектры исходного и очищенного ионным травлением ПАН-волокна (а) и спектр линии C1s исходного волокна, разложенный на компоненты, отвечающий различным химическим связям (б)
Анализ ПАН-волокна (см. рис.2.47), проведенный с помощью метода РФЭС, позволил определить относительные атомные содержания азота, углерода, кремния, кислорода, а также их соедине-
121