- •Глава 1. Введение
- •1.1. Классификация методов исследования наноструктур и поверхности твердого тела
- •1.2. Сверхвысокий вакуум
- •Глава 2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
- •2.1. Общие замечания
- •2.2. Физические принципы РФЭС
- •2.3. Качественный анализ спектров
- •2.3.1. Спектроскопические обозначения уровней
- •2.4. Количественный анализ спектров. Расчет интенсивности
- •2.4.1. Характеристика процесса фотоионизации
- •2.4.2. Характеристика образца
- •2.4.3. Аппаратный фактор
- •2.4.4. Интенсивность фотоэлектронной линии
- •2.5. Количественный анализ спектров. Расчет энергии связи
- •2.6. Структура РФЭ спектров
- •2.6.1. Первичная структура РФЭ спектров
- •2.6.1.1. Остовные уровни
- •2.6.1.2. Спин-орбитальное расщепление уровней
- •2.6.1.3. Валентные уровни
- •2.6.1.4. Серии оже-переходов, возбуждаемых рентгеновским излучением
- •2.6.1.5. Сдвиг фотоэлектронных и оже-электронных линий
- •2.6.2. Вторичная структура РФЭ спектров
- •2.6.2.1. Ложные пики низкой интенсивности
- •2.7. Аппаратура для РФЭС
- •2.7.1. Источник рентгеновского излучения
- •2.7.2. Энергоанализатор
- •2.7.3. Детектор электронов
- •2.8. Использование метода РФЭС в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •2.8.1. Образование наноструктур на поверхности Si (100), индуцированное адсорбцией кислорода
- •2.8.3. Исследование кинетики роста островков оксидной фазы на поверхности Ni в окрестности точки Кюри
- •2.8.5. Эволюция электронной структуры нанокластеров благородных металлов
- •2.9. Контрольные вопросы к главе 2
- •3.1. Общие замечания и историческая справка
- •3.2. Физические основы ОЭС
- •3.3. Общий вид электронного спектра в ОЭС
- •3.4. Расчет кинетической энергии оже-электрона
- •3.5. Форма оже-электронных спектров
- •3.6. Тонкая структура оже-электронных спектров
- •3.8. Количественный анализ оже-электронных спектров
- •3.9. Сравнение характеристик ОЭС и РФЭС
- •3.10. Аппаратура для ОЭС
- •3.11. Использование метода ОЭС в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •3.12. Контрольные вопросы к главе 3
- •Глава 4. Спектроскопия рассеяния медленных ионов
- •4.1. Общие замечания
- •4.2. Физические основы СРМИ
- •4.3. Общий вид обзорного спектра РМИ
- •4.4. Интенсивность спектральных линий. Сечение рассеяния
- •4.5. Эффект нейтрализации ионов
- •4.6. Структурные эффекты в СРМИ
- •4.6.1. Эффект затенения
- •4.6.2. Эффект многократного рассеяния
- •4.6.3. Применение метода СРМИ для определения степени покрытия поверхности
- •4.6.4. Влияние структуры поверхности на линии спектров РМИ
- •4.7. Аппаратура СРМИ
- •4.8. Использование метода СРМИ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •4.8.1. Исследование in situ эволюции электронной структуры наноразмерных слоев HfO2 при отжиге в вакууме
- •4.8.2. Исследование начальной стадии окисления поверхности никеля
- •4.8.3. Возбуждение электрон-дырочных пар в процессе рассеяния ионов на поверхности нанокластеров Au
- •4.8.4. Исследование релаксации поверхности Ag(111) при нагреве методом СРБИ
- •4.9. Контрольные вопросы к главе 4
- •Глава 5. Сканирующая зондовая микроскопия
- •5.1. Введение
- •5.2. Физические основы СТМ
- •5.3. Аппаратура для СТМ
- •5.4. Физические основы АСМ
- •5.5. Использование методов СЗМ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •5.6. Контрольные вопросы к главе 5
- •Глава 6. Дифракция медленных электронов
- •6.1. Введение
- •6.2. Кристаллография поверхности
- •6.2.1. Трехмерные кристаллические решетки
- •6.2.2. Двумерные кристаллические решетки
- •6.2.3. Индексы Миллера для атомных плоскостей
- •6.3. Дифракция на кристаллической решетке
- •6.3.1. Дифракция на трехмерной решетке
- •6.3.2. Дифракция на двумерной решетке
- •6.4. Аппаратура, геометрия и структурные эффекты в ДМЭ
- •6.4.1. Влияние дефектов, доменной структуры и кластеров на поверхности
- •6.4.2. Учет тепловых колебаний атомов решетки
- •6.5. Использование метода ДМЭ в исследовании наноструктур и поверхности твердого тела
- •6.6. Контрольные вопросы к главе 6
- •ЗАДАЧИ
- •Список рекомендуемой литературы
решением является неразрушающим, т.е. позволяет контролировать толщину слоев, например, в процессе их роста.
2.9.Контрольные вопросы к главе 2
1.Оцените время заполнения 1 ML поверхности при p=10-9 Торр
иT=300 K.
2.Дайте физическую интерпретацию химического сдвига в РФЭС.
3.Объясните различие измерения энергии связи в металлах и полупроводниках в РФЭС.
4.Обоснуйте плазмонный механизм формирования длины свободного пробега фотоэлектронов.
5.При каком режиме возбуждения остовных электронов (адиабатическом или внезапном) будет наблюдаться рождение электрондырочных пар?
6.Назовите необходимое условие существования спинорбитального расщепления в РФЭС.
7.Объясните эффекты начального и конечного состояния в РФЭС.
8.Какие сателлиты могут наблюдаться в РФЭ спектрах?
9.Чем различается спин-орбитальное и мультиплетное расщепление?
10.Объясните причину ассиметричной формы РФЭ спектров. В чем заключается явдение ортогональной катастрофы Андерсона?
11.Зачем нужно охлаждать анод рентгеновской пушки?
12.Каков принцип работы полусферического анализатора?
13.Интерпретация зависимости длины свободного пробега электрона в твердом теле от его кинетической энергии.
128