Материаловедение

9.6. Методы эпитаксии

361

и Te помещаются в танталовые лодочки, установленные на поворотной площадке, и поочередно подвергают воздействию сфокусированного лазерного луча. Особенности процесса лазерной МЛЭ, в первую очередь, связаны с более высокой температурой источников. В случае лазерной МЛЭ CdTe испарялся в виде атомов кадмия и теллура в отличие от обычной МЛЭ, при которой испарение происходило в виде атомов кадмия и молекул теллура. Таким образом, состав паровой фазы оказывался различным, что сказывалось на характере процесса эпитаксии, а именно ориентация подложки в случае лазерной МЛЭ оказывала существенно меньшее влияние на рост эпитаксиальной пленки, чем в случае обычной МЛЭ.

Литература

[1]К. фон Клитцинг. УФН, 1986, т. 150, в. 1, с. 107.

[2]Квантовый эффект Холла. Сб. статей под ред. Ю. В. Шмарцева, М., 1986.

[3]А. П. Силин. УФН, 1985, т. 147, в. 3, с. 485.

[4]В. Т. Маслюк, П. А. Феннич. Зарубежная электронная техника, 1981, N 8(241), с. 3.

[5]M. Herman. Полупроводниковые сверхрешетки, М., Мир, 1989.

[6]В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. Физика полупроводников. Изд. 2-е. М., Наука, 1990.

[7]М. И. Клигер. Аморфные диэлектрики и полупроводники, М., Изд. МИФИ, 1985.

[8]А. И. Попов, Н. И. Михалев. Атомная структура некристаллических полупроводников, М., Изд. МЭИ, 1992.

[9]З. Метфессель, Д. Маттис. Магнитные полупроводники, М., Мир, 1972.

[10]Э. Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников, М., 1979.

[11]В. М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники, М., 1976.

[12]М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы, М., 1981.

[13]Органические полупроводники. Сб. статей под ред. М. В. Курика. Киев, 1976.

Литература

363

[14]Ф. Гутман, Л. Лайонс. Органические полупроводники, М., 1970.

[15]К. Сайто. Химия и периодическая таблица, М., Мир, 1982.

[16]Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Изд. 4-е. М., Наука, 1978.

[17]С. С. Горелик, М. Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и металловедение. М., Металлургия, 1973.

[18]Д. М. Васильев. Физическая кристаллография. М., Металлургия, 1981.

[19] Физические величины: Справочник, под ред. И. С. Григорьева,

Е. З. Мейлихова, M., Энергоатомиздат, 1991.

[20]R. C. Evans. Crystal Chemistry. 2nd edition. Cambridge University Press, 1966.

[21]Ж. П. Сюше. Физическая химия полупроводников. М., Металлургия, 1969.

[22]С. А. Медведев. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М., Высшая школа, 1970.

[23]Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках. М., Мир, 1986.

[24]Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. New Series, v. 17, subv. a and b; Editor in Chief: K. H. Hellwege. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 1982.

[25]Полупроводниковые вещества. Вопросы химической связи. Сб. статей под ред. В. П. Жузе. М., Иностранная литература, 1960.

[26]Н. А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники. М., Советское радио, 1968.

[27]М. П. Шаскольская. Кристаллография. М., Высшая школа, 1976.

[28]В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники, М., Наука, 1988.

[29]Ч. Уэрт, Р. Томсон. Физика твердого тела. Изд. 2-е. М., Мир, 1969.

364	Литература

[30]Э. М. Омельяновский, В. И. Фистуль. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М., Металлургия, 1983.

[31]В. И. Фистуль. Амфотерные примеси в полупроводниках. М., Металлургия, 1992.

[32]А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М., Мир, 1977.

[33]G. W. Ludwig, H. H. Woodbury. Phys. Rev. Lett., 1960, v. 5, p. 98.

[34] А. Б. Ройцин, Л. А. Фирштейн. Теор. и эксп. химия, 1966, т. 2,

с. 747.

[35]Полупроводники. Под ред. Н. Б. Хэннея. М., ИЛ, 1962.

[36]В. И. Иверонова, А. А. Кацнельсон. Ближний порядок в твердых растворах. М., Наука, 1977.

[37]Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М., Высшая школа, 1983.

[38]Ю. М. Шашков. Металлургия полупроводников. М., Металлургия, 1960.

[39]Технология СБИС. Под ред. С. Зи. М., Мир, 1986.

[40]И. В. Савельев. Курс физики (в 5 кн.). М., Наука, 1998.

[41]Б. И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках. М., Наука, 1961.

[42]F. van der Maesen, J. Brenkmann. J. Electrochem. Soc., 1955, т. 102, p. 229.

[43]В. В. Остробородова. Основы технологии и материаловедения полупроводников. M., Изд. Моск. ун-та, 1988.

[44]Т. Р. Родин, Д. Уолтон. Монокристаллические пленки. М., Мир, 1966.

[45]В. Б. Уфимцев, Р. Х. Акчурин. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М., Металлургия, 1983.

[46]H. M. Manasevit. J. Cryst. Growth, 1981, v. 55, p. 1.

[47]H. M. Manasevit. Appl. Phys. Lett., 1968, v. 12, p. 156.

Литература

365

[48]P. Balk, E. Veuhoff. J. Cryst. Growth, 1981, v. 55, p. 35.

[49]P. D. Dapkus. J. Cryst. Growth, 1984, v. 68, p. 345.

[50]G. B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 1984, v. 68, p. 111.

[51]M. R. Leys, C. van der Opdorp, M. P. A. Viegers, H. Y. Talen, van der Mheen. J. Cryst. Growth, 1984, v. 68, p. 431.

[52]H. Kinoshita, H. Fujiyasu. J. Appl. Phys., 1980, v. 51, p. 5845

[53] H. Kinoshita, T. Sakashita, H. Fujiyasu. J. Appl. Phys., 1981, v. 52,

p. 2869.

[54]H. Clemens, E. J. Fantner, G. Bauer. Rev. Sci. Instrum., 1983, v. 54,

p.685.

[55]I. A. Curless. J. Vacuum Sci. Technol., 1985, v. 3, p. 531.

[56]Sc. M. Stanchak, H. Morkoc, L. C. Witkowski, T. J. Drummond. Rev. Sci. Instrum., 1981, v. 52, p. 438.

[57]S. P. Svensson, T. G. Andersson. J. Phys. E: Sci. Instrum., 1981, v. 14,

p.1076.

[58]M. A. Herman. Vacuum, 1982, v. 32, p. 555.

[59]C. T. Foxon, B. A. Joyce. Surf. Sci., 1977, v. 64, p. 293.

[60]E. A. Kurz, J. B. Hudson. Appl. Surfase Sci., 1984, v. 17, p. 485.

[61] J. M. Ballingall,

D. J. Leopold,

M. L. Wroge,

D. J. Peterman,

B. J. Morris, J. G. Broerman. Appl. Phys. Lett., 1986, v. 49, p. 871.

[62]F. J. Boero, N. P. Ong, J. T. Cheung. Solid State Commun., 1985, v. 54, p. 35.

Предметный указатель

Акцепторы, 117 Амфотерные примеси, 118

Антиструктурные дефекты, 91 Арсенид галлия

методы получения MOCVD, 344

спомощью газотранспортных реакций, 343

образование химической связи, 62

энергетические уровни примесей, 132

Атмосферы Коттрелла, 105 Атом водорода

классификация состояний, 16 уравнение Шредингера, 16 энергия состояний, 16, 18

Атомные радиусы, 52 ван-дер-ваальсов радиус, 57 ковалентный радиус, 53 металлический радиус, 55

Вакансии, 89 Вектор Бюргерса, 98

Вицинальные грани, 183 Включения второй фазы, 116 Выращивание кристаллов из га-

зообразной фазы, 250 лимитирующая стадия, 254 массоперенос в вакууме, 251

метод сублимации-конденса- ции, 257

метод химических реакций, 259

метод химического транспорта, 261

Выращивание кристаллов из расплава, 221

вертикальная зонная плавка, 232

вытягивание кристаллов из расплава (метод Чохральского), 225

горизонтальная зонная плавка, 232

лимитирующая стадия, 221 метод Бриджмена, 222 нормальная направленная кри-

сталлизация, 222 Выращивание кристаллов из рас-

твора, 235 лимитирующая стадия, 236 метод движущегося раство-

рителя, 237 методы роста, 237

Газовая фаза, 323 Германий

диффузия Cu, 305 диффузия Li, 304

Предметный указатель

коэффициенты диффузии различных примесей, 301

методы получения жидкостная эпитаксия, 337 метод химических реак-

ций, 339 метод химического транс-

порта, 341 предельная растворимость и

коэффициент разделения, 282

температурные зависимости растворимости примесей, 313

энергетические уровни примесей, 121

Двойники, 113 влияние условий выращива-

ния, 244 Деградация, 88 Дефекты, 87

влияние условий выращивания, 239

неоднородности состава кристалла, обусловленные технологическими причинами, 245

двумерные, 87, 111 двойники, см. Двойники дефекты упаковки, см. Де-

фекты упаковки малоугловые границы, см.

Малоугловые границы линейные, см. Дислокации объемные, 88, 114

включения второй фазы, 116

зональные упругие напряжения, 114

367

поры, 115 примеси, см. Примеси

связь с условиями выращивания

канальная неоднородность, 247

концентрационное переохлаждение, 248

собственные, 87 точечные, см. Точечные де-

фекты Дефекты упаковки, 113

влияние условий выращивания, 244

Дефекты Френкеля, 89 Дефекты Шоттки, 89 Диаграмма состояния

P −T − X, 143, 167 конода, 145 линия ликвидуса, 145

линия солидуса, 145 правило рычага, 146 с неограниченной раство-

римостью компонентов, 145

типы диаграмм, 147

сограниченной растворимостью компонентов, 155

сперитектическим превращением, 157

схимическими соединениями, 159

сэвтектическим превращением, 155

фигуративная точка, 145 Дивакансии, 91 Дислокации, 87, 95

вектор Бюргерса, 98 взаимодействие с точечны-

ми дефектами, 105

368

влияние на свойства кристалла, 109

влияние условий выращивания, 240

линия винтовой дислокации, 97

линия краевой дислокации, 96

методы наблюдения, 110 простые, 96

винтовые, 96 краевые, 96

свойства, 100 механизмы движения, 101

смешанные, 96, 97 Диффузия, 283

восходящая диффузия, 286 газов, 312 гетеродиффузия, 284

влияние состава сплава и природы диффундирующего вещества на диффузию, 310

из бесконечно тонкого слоя, 294

из постоянного источника, 296

коэффициент диффузии, 284 методы определения, 297

механизмы, 286 вакансионный, 289 диссоциативный, 305 междоузельный, 287 обменный, 290

основные параметры, 292 самодиффузия, 284

влияние состава сплава и природы диффундирующего вещества на диффузию, 309

Предметный указатель

термодиффузия, 286 электродиффузия, 286

Доноры, 117

Зародыш, 173 Зонная плавка, 232

Изоэлектронные примеси, 120 Инконгруэнтно плавящиеся соединения, 160

Ионная связь, 30 поляризуемость ионов, 31 постоянная Маделунга, 30 пределы устойчивости струк-

тур, 32 Ионные радиусы, 52, 54

Ковалентная связь, 24 гибридные орбитали, 38 длина связи и углы между

связями, 37 направленность, 37 насыщаемость, 37 правило Юм-Розери, 37

Конгруэнтно плавящиеся соединения, 159

Конденсация, 171 Коэффициент разделения приме-

сей, 195 равновесный, 196

вGe и Si, 198

вполупроводниковых соединениях, 200

метод определения, 196 эффективный, 201

Коэффициент термической аккомодации, 324

Кремний диффузия различных при-

месей, 301 методы получения

Предметный указатель

метод химических реакций, 339

метод химического транспорта, 342

предельная растворимость и коэффициент разделения, 282

энергетические уровни примесей, 121

Кристаллизация, 171 Кристаллизация в неравновес-

ных условиях, 162 Критический зародыш, 173 Критическое пересыщение, 178

Легирование, 264 в процессе роста из жидкой

фазы, 266 методы выравнивания со-

става вдоль кристалла, 268

требования к чистоте легирующих примесей, 282

ионная имплантация, 265 радиационное, 264

Ликвация внутрикристаллическая, 164

Лимитирующая стадия роста, 221 Линия ликвидуса, 145 Линия солидуса, 145

Малоугловые границы, 111 влияние условий выращива-

ния, 243 Междоузельные атомы, 89 Метастабильная фаза, 166 Методы определения коэффици-

ентов диффузии, 297 метод электронно-дырочно-

го перехода, 298 Методы очистки, 190

369

вертикальная бестигельная зонная плавка, 215

зонная плавка, 205 контроль чистоты материа-

ла, 215 нормальная направленная кри-

сталлизация, 205 химические, 191

Методы эпитаксии, 336 Механизм роста

нормальный, 186 послойный, 184 слоисто-спиральный, 186

Молекулярная связь силы Ван-дер-Ваальса, 34

Неограниченная растворимость компонентов друг в друге, 145

Несингулярные грани, 183

Образование зародышей новой фазы

гетерогенное, 180 Образование центров новой фа-

зы гомогенное, 173

Орбиталь атомная, 17

d-типа, 17, 19 f-типа, 17, 19 p-типа, 17, 19 s-типа, 17, 19 молекулярная, 24

π-типа, 26 σ-типа, 26 разрыхляющая, 25 связывающая, 25

Параметр ближнего порядка, 153 Параметр дальнего порядка, 152

370

Паровая фаза, 323 Переохлаждение, 171 Пересыщение, 171 Поверхностный псевдоморфизм,

333 Полупроводниковые соединения,

57 закономерности образования

бинарных соединений, 72 правило Музера-Пирсона,

73 правило нормальных ва-

лентностей, 73 изоэлектронные ряды, 66 равновесная ионность полу-

проводникового соединения, 63

степень ионности полупроводникового соединения, 63

химическая связь в ANB8−N, 62

химические связи в полупроводниках AIVBVI, 81

химические связи в полупроводниках AV2 BVI3 , 82 химические связи в полупроводниках, производ-

ных от ANB8−N, 71 соединения с дефектной

структурой, 80 соединения с резонансны-

ми связями, 78 эффективные заряды, 64 Получение кристаллов из жидкой фазы, 219

Поры, 115 Правило Клечковского, 22 Правило Хунда, 22 Примеси, 116

Предметный указатель

вполупроводниковых соединениях, 132

вэлементарных полупроводниках, 120

внедрения, 116 замещения, 116 комплексообразование, 137

электрически активные, 116, 121

акцепторы, 117 амфотерные, 117 доноры, 117 многозарядные, 117 простые, 117

электрически неактивные, 116, 130

изоэлектронные, 120 Принцип Паули, 22

Расплав, 219 Распределение примесей при зон-

ной плавке, 209 Распределение примесей при нор-

мальной направленной кристаллизации, 207

Раствор, 219 растворитель, 235

растворяемое вещество, 235 Растворимость, 278

предельная, 278 электрически активной при-

меси, 279 ретроградная, 316

выделение второй фазы, 318

температурные зависимости, 313

Растворимость газов, 312 Рост эпитаксиальных пленок из

газообразной фазы, 323