Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
УМК по ОКиНЭС 210601.docx
Скачиваний:
164
Добавлен:
02.04.2015
Размер:
3.69 Mб
Скачать

Комплексные показатели надежности

Шифр

аппаратуры

Комплексные показатели надежности

1111 2111

1121 2121

1131 2131

Средняя наработка до отказа

1211 2211

1221 2221

1231 2231

Условная наработка до первого отказа и ресурс (или ресурс и срок службы)

1222 2232

1232 2422

2222 2432

Вероятность безотказной работы (или ресурс и срок службы)

1312 2312

Вероятность безотказной работы

2411

2421

2431

Параметр потока отказов (или наработка на отказ) и ресурс (или ресурс и срок службы)

2413

Коэффициент технического использования и ресурс (или ресурс и срок службы)

2423

2433

Коэффициенты оперативной готовности, готовности и ресурс (или ресурс и срок службы)

2414

Коэффициент технического использования, параметр потока отказов(или наработка на отказ) и ресурс (или ресурс и срок службы)

2424

2434

Коэффициенты оперативной готовности, готовности параметр потока отказов(или наработка на отказ) и ресурс (или ресурс и срок службы)

2415 2515

2425 2525

2435 2535

Коэффициенты оперативной готовности и ресурс (или ресурс и срок службы)

Особо следует подчеркнуть, что, как правило, стоимостные

показатели и показатели надежности (обычно безотказности) критериями оптимизации не выступают.

Для оценки надежности следует считать, что все элементы в ряду равно надёжны. Необходимо учесть факторы окружающей среды и другие дестабилизирующие факторы. Интенсивность отказов каждого ряда элементов следует рассчитывать по формуле

 = N·0·a1·a2·a3a4 a5 a6,

где λ0 – справочное значение интенсивности отказа элемента; N – количество элементов; a1a5 учитывают тип и конструкцию элементов, а b1b5 – факторы внешних воздействий.

Коэффициенты учитывают: a1 = b1 · b2 · b3 · b4 · b5 – условия работы; a2 – температурные поля и тип корпуса микросхем; a3 – конструкцию микросхем и полупроводниковых элементов; a4 – коэффициент электрической нагрузки и температурные поля; a5 – тип и номинальную мощность рассеивания резисторов; a6 – номинал резисторов; b1 – влияние вибраций; b2 – ударов; b3 – влажности; b4 – атмосферного давления; b5 – климатические факторы.

Значения коэффициентов bi следующие: b1 = 1,4 – для неамортизированных изделий, b1 = 1,20 – для амортизированных изделий в случае наличия вибраций; b2 = 1,2 и b2 = 1,05 – в аналогичной ситуации при наличии ударов; b4 = 1,0 – для нормального атмосферного давления, а b4 = 1,3 – для пониженного; b5 = 1,0 и b5 =1,3 – для герметизированного и негерметизированного аппаратов соответственно. Значения коэффициента b3 приведены в табл.28.

При расчете микросхем и микросборок формула для λ принимает вид  = N·0·a1·a2·a3, для резисторов  = N·0·a1a4 a5 a6, для конденсаторов  = N·0·a1a4, а для других элементов по аналогии используются необходимые коэффициенты ai. Значения 0 можно взять из рекомендованной учебной литературы, например [1, 13].

Таблица 28