Контрольні запитання

1. Дайте визначення напівпровідникового запам’ятовуючого пристрою (НЗП), запам’ятовуючого масиву і запам’ятовуючого елемента НЗП. Які операції виконують НЗП над двійковими словами ?

2. Дайте класифікацію напівпровідникових запам’ятовуючих пристроїв.

3. Які параметри мають напівпровідникові запам’ятовуючі пристрої ?

4. Які структури запам’ятовуючого масиву використовують в пристроях пам’яті ?

5. Нарисуйте масив запам’ятовуючих елементів зі структурою 2D. Яким чином у такій структурі виконуються операції записування і зчитування інформації ?

6. Нарисуйте масив запам’ятовуючих елементів з двокоординатною вибіркою і поясніть, яким чином відбувається зчитування інформації в запам’ятовуючих пристроях зі структурою 3D.

7. Розгляньте на прикладі постійного запам’ятовуючого пристрою (ROM) організацію і роботу ЗП зі структурою 2DM.

8. Нарисуйте схему однотранзисторного динамічного елемента пам’яті і його інтегральну структуру. Поясніть принцип роботи такого елемента при записуванні і зчитуванні інформації в динамічних запам’ятовуючих пристроях (DRAM).

9. Нарисуйте схему підсилювача-регенератора динамічних ЗП. Розгляньте його роботу при записуванні і зчитуванні даних в DRAM. Що таке регенерація DRAM і яким чином вона виконується ?

10. Нарисуйте схему елемента пам’яті статичних ЗП і поясніть принцип його дії.

11. Використовуючи рис. 8.13, поясніть, яким чином відбувається записування і зчитування інформації в пристроях статичної пам’яті. Яку пам’ять комп’ютера реалізують на статичних ЗП, а які на динамічних ?

12. Для якої мети в підсистемі пам’яті комп’ютера використовують постійні запам’ятовуючі пристрої (ПЗП) ? Що є елементом пам’яті в масочних і одноразово програмованих ПЗП ? Поясніть організацію і принцип дії таких ПЗП.

13. Нарисуйте інтегральну структуру МОН-транзистора з плаваючим затвором і поясніть принцип його дії. Чому такий транзистор може виконувати функцію запам’ятовуючого елемента енергонезалежних запам’ятовуючих пристроїв ?

14. Поясніть природу фізичних процесів, які відбуваються в МОН-транзисторі з плаваючим затвором (ПЗ) при занесенні інформаційного заряду на ПЗ, його зберіганні і видаленні з плаваючого затвору.

15. Яким чином порогова напруга МОН-транзистора з ПЗ залежить від заряду накопиченого на плаваючому затворі ? Що і яким чином дає можливість створювати на МОН-транзисторах з плаваючим затвором запам’ятовуючі елементи здатні зберігати більше одного біту інформації ?

16. Нарисуйте інтегральну структуру МНОН-транзистора з плаваючим затвором і поясніть принцип його дії, як запам’ятовуючого елемента енергонезалежних ЗП з урахуванням фізичних процесів, які відбуваються в МНОН структурі при записуванні, стиранні і зберіганні біту інформації.

17. Дайте загальну характеристику флеш-пам’яті і принципам її організації та функціонування. Де в комп’ютерній техніці використовують флеш-пам’ять ?

18. В чому полягає основна відмінність флеш-пам’яті з архітектурою NOR і NAND ?

19. Нарисуйте схему організації запам’ятовуючого масиву флеш-пам’яті з архітектурою NOR. Розгляньте функціонування NOR флеш-пам’яті при виконанні базових операцій: стирання, програмування і зчитування інформації. Чому флеш-пам’ять з архітектурою NOR можна безпосередньо з’єднувати з процесором комп’ютера для виконання програмного коду, який в ній зберігається ?

20. Яку організацію має запам’ятовуючий масив флеш-пам’яті з архітектурою NAND ? Розгляньте функціонування NAND флеш-пам’яті при виконанні базових операцій: стирання, програмування і зчитування інформації.

21. Нарисуйте схему блочно-сторінкової структури флеш-пам’яті з архітектурою NAND і поясніть, яким чином відбувається обмін даними між запам’ятовуючим масивом такої пам’яті і зовнішньою шиною даних. Чому флеш-пам’ять з архітектурою NAND більше придатна для файлових систем зберігання інформації ?

22. Які позитивні якості і недоліки мають пристрої флеш-пам’яті з архітектурою NOR і NAND ?