- •Тема 1. Элементы квантовой механики
- •Корпускулярно-волновые свойства света.
- •1.2 Соотношения неопределенностей Гейзенберга.
- •1.3.Волновое уравнение частицы.
- •1.4. Движение частиц через потенциальный барьер. Туннельный эффект.
- •1.5 Линейный гармонический осциллятор.
- •1.6 Электрон в атоме водорода
- •Тема 2. Кристаллические решётки
- •2.1 Структура и виды кристаллических решёток, их характеристики.
- •2.2 Дефекты реальных кристаллических материалов их влияние на свойства твердых тел.
- •Тема 3. Элементы зонной теории твердых тел
- •3.1.Обобществление электронов в кристалле. Зонный характер энергетического спектра электронов в кристалле.
- •Ядра соседних атомов, притягивая электрон, ослабляют его связь
- •В результате взаимодействия одни уровни смещаются вверх,
- •3.2. Зоны Бриллюэна. Число уровней в разрешённых зонах. Заполнение зон электронами и электрические свойства твердых тел
- •3.3. Зонные диаграммы металлов, полупроводников и диэлектриков.
- •3.3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •Тема 4. Статистика носителей зарядов в полупроводниках и металлах
- •4.1.Основные понятия статистической физики.
- •4.2 Микрочастицы и макроскопические системы . Термодинамическое и статистическое описание идеального электронного газа.
- •4.3. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
- •4.4. Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
- •Определение положения уровня Ферми
- •4.5.Неравновесные носители
- •Тема 5. Электропроводность твердых тел
- •5.1 Тепловое движение и его средняя скорость.
- •5.3 Дрейфовый ток
- •5.4.Диффузионный ток
- •Эффект Холла
- •5.6.Эффект Ганна.
- •Тема 6.Поверхностные явления в полупроводниках
- •Тема 7. Контактные явления и электрические переходы
- •7.1 Работа выхода электронов из металла и полупроводника.
- •7.2 Контакт металл-металл. Контактная разность потенциалов.
- •7.3.Термоэлектрические явления
- •7.4.Контакт металл-полупроводник: выпрямляющий (барьер Шотки) и невыпрямляющий (омический) контакты
- •7.6. Прямое включение p-n-перехода.
- •7.7. Обратное включение p-n-перехода.
- •7.8 Инжекция неосновных носителей
- •7.9. Вольт-амперная характеристика идеального р - n перехода
- •7.10 Отличие вольт-амперной характеристики р-n перехода от теоретической
- •7.11.Туннельный эффект в электронно-дырочном переходе.
- •Тема 8. Физические основы оптоэлектроники и квантовой электроники 4 часа
- •8.1.Основные понятия фотометрии. Основные энергетические и фотометрические величины.
- •8.2.Фотопроводимость полупроводников.
- •8.3.Фотоэлектрические эффекты в p-n-переходе. Влияние светового потока на вах p-n-перехода.
- •8.4. Основные виды генерации оптического излучения в полупроводниках:
- •8.6. Внешняя квантовая эффективность
- •8.7.Энергетические спектры атомов, молекул и твердых тел.
- •8.8.Спектральные свойства активной среды. Ширина спектральной линии, причины ее уширения.
- •8.10.Методы создания инверсии населенностей.
- •Тема 9. Физические основы вакуумной и плазменной электроники
- •9.2 Типы эмиссии:
- •9.3 Термоэлектронные катоды
- •9.7.Токопрохождение в вакууме. Конвекционный, наведенный и полный ток.
- •9.8 Электрический разряд в газах. Возбуждение и ионизация атомов газа.
- •1.2. Задачи
- •Пример решения
- •2. Статистика носителей зарядов в полупроводниках и металлах 4 часа
- •2.1. Краткие теоретические сведения
- •2.2 Задачи для решения
- •3.1. Краткие теоретические сведения
- •3.2. Задачи
- •3.3. Примеры решения задач
- •4. Поглощение и излучение света 4 часа
- •4.2 Задачи
- •4.3 Примеры решения задач
7.8 Инжекция неосновных носителей
Процессы инжекции и экстракции зарядов через р-n переход играют важную роль в работе полупроводниковых приборов. При прямом включении р-n перехода из дырочной области в электронную будет происходить инжекция дырок, а из электронной в дырочную – электронов. Область полупроводникового прибора, из которой инжектируются носители, называется эмиттерной или эмиттером, а область, в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда, называется базовой областью или базой.
В полупроводниковых приборах обычно концентрация примеси, а следовательно, и основных носителей заряда в областях р и n весьма различна, поэтому инжекция из области с более высокой концентрацией основных носителей резко преобладает. Например, если рр >>nn, то инжекция дырок из области р в область n значительно преобладает над инжекцией электронов в обратном направлении, поэтому в данном случае эмиттером считается область р, а базой - область n.
Инжекция дырок из области р приводит к повышению их концентраций в области n. Но это не сопровождается нарушением электрической нейтральности области n, т.е. инжекция не приводит к появлению поля в области полупроводника. Инжектированные в область n дырки представляют собой положительный заряд, поле которого распространяется по полупроводнику и притягивает электроны, отрицательный заряд которых должен скомпенсировать заряд дырок. Этот процесс практически мгновенно доходит до контакта, где избыточный положительный заряд компенсируется электронами, входящими в кристалл из внешней цепи. Таким образом, сколько инжектируется дырок в n область через р-n переход, столько же приходит электронов из внешней цепи. Происходит полная компенсация избыточного положительного заряда.
Компенсация заряда дырок электронами не означает исчезновение этих зарядов. Дырка и компенсирующий её электрон могут длительное время находиться в полупроводнике не рекомбинируя. В результате инжекции дырок в области n возникает избыточная концентрация этих зарядов, которая вызывает диффузионное перемещение дырок вглубь области n, в направлении меньшей концентрации. Во время этого движения происходит рекомбинация дырок с электронами, вследствие чего концентрация дырок по мере удаления их от перехода постепенно убывает по экспотенциальному закону
т.е. Р n(x)= p no +, (7.13)
Р n - концентрация дырок в области n на границе с р областью;
p no – концентрация дырок в области n в равновесном состоянии;
Lp – диффузионная длина дырок в области n.
На рис. 7.8 показано примерное распределение концетрации неосновных инжектированных носителей, соответствующее выражению (7.13). Расстояние Lр на котором избыточная концентрация инжектированных носителей уменьшается в е раз, называется диффузионной длиной.
Рис.7.8
Убывание концентрации инжектированных носителей происходит не только в пространстве, но и во времени. Промежуток времени, в течении которого избыточная концентрация уменьшается в е раз, называется временем жизни носителей дырок. .
Диффузионная длина связана со временем жизни следующим соотношением
, (7.14)
где Др – коэффициент диффузии дырок.