- •Тема 1. Элементы квантовой механики
- •Корпускулярно-волновые свойства света.
- •1.2 Соотношения неопределенностей Гейзенберга.
- •1.3.Волновое уравнение частицы.
- •1.4. Движение частиц через потенциальный барьер. Туннельный эффект.
- •1.5 Линейный гармонический осциллятор.
- •1.6 Электрон в атоме водорода
- •Тема 2. Кристаллические решётки
- •2.1 Структура и виды кристаллических решёток, их характеристики.
- •2.2 Дефекты реальных кристаллических материалов их влияние на свойства твердых тел.
- •Тема 3. Элементы зонной теории твердых тел
- •3.1.Обобществление электронов в кристалле. Зонный характер энергетического спектра электронов в кристалле.
- •Ядра соседних атомов, притягивая электрон, ослабляют его связь
- •В результате взаимодействия одни уровни смещаются вверх,
- •3.2. Зоны Бриллюэна. Число уровней в разрешённых зонах. Заполнение зон электронами и электрические свойства твердых тел
- •3.3. Зонные диаграммы металлов, полупроводников и диэлектриков.
- •3.3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •Тема 4. Статистика носителей зарядов в полупроводниках и металлах
- •4.1.Основные понятия статистической физики.
- •4.2 Микрочастицы и макроскопические системы . Термодинамическое и статистическое описание идеального электронного газа.
- •4.3. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
- •4.4. Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
- •Определение положения уровня Ферми
- •4.5.Неравновесные носители
- •Тема 5. Электропроводность твердых тел
- •5.1 Тепловое движение и его средняя скорость.
- •5.3 Дрейфовый ток
- •5.4.Диффузионный ток
- •Эффект Холла
- •5.6.Эффект Ганна.
- •Тема 6.Поверхностные явления в полупроводниках
- •Тема 7. Контактные явления и электрические переходы
- •7.1 Работа выхода электронов из металла и полупроводника.
- •7.2 Контакт металл-металл. Контактная разность потенциалов.
- •7.3.Термоэлектрические явления
- •7.4.Контакт металл-полупроводник: выпрямляющий (барьер Шотки) и невыпрямляющий (омический) контакты
- •7.6. Прямое включение p-n-перехода.
- •7.7. Обратное включение p-n-перехода.
- •7.8 Инжекция неосновных носителей
- •7.9. Вольт-амперная характеристика идеального р - n перехода
- •7.10 Отличие вольт-амперной характеристики р-n перехода от теоретической
- •7.11.Туннельный эффект в электронно-дырочном переходе.
- •Тема 8. Физические основы оптоэлектроники и квантовой электроники 4 часа
- •8.1.Основные понятия фотометрии. Основные энергетические и фотометрические величины.
- •8.2.Фотопроводимость полупроводников.
- •8.3.Фотоэлектрические эффекты в p-n-переходе. Влияние светового потока на вах p-n-перехода.
- •8.4. Основные виды генерации оптического излучения в полупроводниках:
- •8.6. Внешняя квантовая эффективность
- •8.7.Энергетические спектры атомов, молекул и твердых тел.
- •8.8.Спектральные свойства активной среды. Ширина спектральной линии, причины ее уширения.
- •8.10.Методы создания инверсии населенностей.
- •Тема 9. Физические основы вакуумной и плазменной электроники
- •9.2 Типы эмиссии:
- •9.3 Термоэлектронные катоды
- •9.7.Токопрохождение в вакууме. Конвекционный, наведенный и полный ток.
- •9.8 Электрический разряд в газах. Возбуждение и ионизация атомов газа.
- •1.2. Задачи
- •Пример решения
- •2. Статистика носителей зарядов в полупроводниках и металлах 4 часа
- •2.1. Краткие теоретические сведения
- •2.2 Задачи для решения
- •3.1. Краткие теоретические сведения
- •3.2. Задачи
- •3.3. Примеры решения задач
- •4. Поглощение и излучение света 4 часа
- •4.2 Задачи
- •4.3 Примеры решения задач
Тема 8. Физические основы оптоэлектроники и квантовой электроники 4 часа
8.1.Основные понятия фотометрии. Основные энергетические и фотометрические величины.
В 1905 г. Эйнштейн выдвинул идею, обобщавшую гипотезу квантов, и положил ее в основу новой теории света (квантовой теории фотоэффекта). Согласно Эйнштейну свет частотой ν не только испускается, как это предполагал Планк, но и распространяется и поглощается веществом отдельными порциями (квантами), энергия которых ε0 = hν. Таким образом, распространение света нужно рассматривать не как непрерывный волновой процесс, а как поток локализованных в пространстве дискретных световых квантов, движущихся со скоростью c распространения света в вакууме.
Фотон обладает энергией W = hν = h(c/λ). Для видимого света длины волны λ = 0,5 мкм, энергия- W = 2,2 эВ, для рентгеновских лучей с λ = 10–4 – 10–2 Ǻ энергия- W = 15 ¸ 0,15 эВ. Фотон обладает инертной массой:
W = mc2 Þ mф = W/c2 = hc/λc2 = h/cλ;
Фотон движется со скоростью света c = 3·108 м/с. Подставим это значение скорости в выражение
Воздействие света на глаз или какой-либо другой приемный аппарат состоит,
прежде всего, в передаче этому аппарату энергии, переносимой световой
волной. Эта энергия может быть объективно измерена в световых приемниках по превращению ее в другие виды энергии – тепловую, химическую, электрическую.
Основной энергетической фотометрической величиной является так называемый лучистый поток dФэ, характеризующий энергию , проходящую через поверхность за единицу времени τ, т.е.
dэ = /,
Лучистый поток измеряется в единицах мощности (ватт, эрг/с).
В большинстве оптических измерений приемником световой энергии является человеческий глаз, фоточувствительные слои, фотоэлементы. Все эти приемники селективны, т.е. каждый из них обладает своим характером чувствительности к лучистой энергии разных длин волн. В качестве примера рассмотрим характер воздействия световых волн на нормальный человеческий глаз. Это воздействие задается установленной на опыте Международной Осветительной Комиссией, так называемой кривой видности V(). На рис. 8.1 кривая видности изображена для цветного зрения. Максимум кривой при =555 нм означает, что чувствительность глаза к свету вблизи этой области длин волн (в желто-зеленой части спектра) наибольшая.
Принято считать, что функция видности для этой длины волны равна единице, V(555нм) = 1, но при таком же потоке энергии оцениваемая зрительно интенсивность света для других длин волн меньше, а потому меньше и значение функции видности. Кривая построена так, что
V(1)/V(2) = (dэ)2 /(dэ)1.
Например, чтобы зрительные ощущения были одинаковыми энергия света для = 510 нм и = 610 нм должна быть вдвое больше, чем энергия света с = 555 нм. При 388 нм и >780 нм функция видности равна нулю, т.е. глаз эти волны не видит, хотя они и несут с собой энергию.
Из сказанного следует, что субъективная оценка интенсивности света отличается от объективной - энергетической. Но с помощью кривой видности можно установить связь между этими оценками. Для этого вводят понятие светового потока dФ
dФ = V()dФэ
8.3. Фотометрические величины и их единицы.
Если источник точечный, то под силой света I понимают световой поток, распространяющийся в единице телесного угла (рис.8.2)
I = dФ/d.
Для анизотропного источника света связь светового потока с силой света в полярной системе координат описывается формулой
dФ = Iθ,φ sin θ dθ dφ.
В случае равномерного потока эта связь упрощается Ф = 4π I.
В системе СИ принята единица силы света кандела (кд) – одна из основных единиц (ГОСТ).
«Кандела – сила света, испускаемая с площади 1/600000 м2 полного излучателя (эталона) в перпендикулярном этому сечению направлении при температуре излучателя равном температуре затвердевания платины при давлении 101325 Па».
За единицу светового потока принимают люмен (лм). Это поток, излучаемый изотропным источником силой в 1кд в пределах телесного угла в 1 стерадиан. Ф = I (1лм = 1кд 1ср)
Если источник света не является точечным, то его принято характеризовать яркостью в данном направлении.
Вi = dФ/σ cos i dΩ (8.1)
Итак, яркостью в данном направлении называется световой поток, посылаемый в данном направлении единицей видимой поверхности внутрь единичного телесного угла (рис.3).
Яркость Вi есть величина, зависящая от направления; однако для некоторых источников она может от направления не зависеть. Такие источники называются источниками, подчиняющимися закону Ламберта.
Единицей яркости служит яркость площадки, дающая силу света в 1 кд с каждого квадратного метра в направлении, перпендикулярном к площадке.
Таким образом, единица яркости есть "кандела с квадратного метра" - иначе её называют нит (нт).
Свет, распространяющийся в пространстве изолировано от источников и освещаемых поверхностей, характеризуют интенсивностью светового потока. Под интенсивностью понимают величину светового потока, протекающего через единицу видимого сечения по направлению, определяемому углом i между направлением потока и нормалью к этому сечению, внутрь единичного телесного угла:
R = dФ/σ cos i dΩ (8.2)
Таким образом, интенсивность светового потока играет для характеристики светового поля туже роль, что и яркость для характеристики светящейся поверхности.
Освещенные поверхности принято характеризовать освещенностью.
Освещенностью Е называется величина светового потока, приходящаяся на единицу поверхности (рис. 4).
Е = dФ/σ = I dΩ/σ = I cos i / R2 (8.3)
В последних двух равенствах введена сила света. Полученное выражение показывает, что освещенность, создаваемая точечным источником, обратно пропорциональна квадрату расстояния от источника до поверхности и прямо пропорциональна косинусу угла между световым лучом и нормалью к освещаемой поверхности. Это есть основной закон освещенности (закон обратных квадратов).
Единица освещенности – люкс (лк) – равна потоку в 1лм, равномерно распределенному на площади в 1м2.
Освещенные поверхности сами становятся протяженными источниками света. Их, с этих позиций, характеризуют светимостью S. Светимость представляет собой интегральную величину, т.е. суммарный световой поток, посылаемый единицей поверхности в полупространство (внутрь телесного угла 2π стерадиан).
Светимость и яркость связаны между собой простым соотношением
(8.4)
Для поверхностей, подчиняющихся закону Ламберта, эта связь упрощается
S = πB.