- •654100 – Электроника и микроэлектроника
- •Оглавление
- •Часть первая. Микроэлектроника Глава 1. Общая характеристика микроэлектроники. Принципы функционирования элементов
- •1.1. Основные определения
- •1.2. Классификация изделий микроэлектроники
- •1.3. Физические явления, используемые в интегральной микроэлектронике
- •1.4. Процессы и явления, определяющие функционирование интегральных схем (ис)
- •1.5. Контактные явления в микроэлектронных структурах
- •1.6. Поверхностные явления в полупроводниках
- •1.7. Механизмы переноса носителей заряда
- •Глава 2. Базовые физико-химические методы создания микроэлектронных структур
- •2.1. Очистка поверхности пластин для ис
- •2.2. Получение полупроводниковых монокристаллов методом вытягивания из расплава
- •2.3. Термическое окисление
- •2.4. Эпитаксия
- •2.5. Фотолитография
- •2.6. Диффузия
- •2.7. Ионная имплантация (ионное легирование)
- •2.8. Металлизация
- •Глава 3.Типы подложек интегральных схем, их основные характеристики и процессы изготовления подложек
- •3.1. Изготовление подложек ис
- •3.3. Оптический метод ориентации полупроводниковых пластин
- •3.4. Шлифовка и полировка пластин
- •3.5. Строение нарушенного слоя после механической обработки пластины
- •Глава 4. Технология химической обработки подложек для интегральных микросхем
- •4.1. Механизм химической обработки кремниевых пластин
- •4.2. Термохимическое (газовое) травление
- •4.3. Ионно-плазменное травление
- •Глава 5. Диэлектрические пленки в ис. Методы их получения. Технологии изготовления гибридных ис
- •5.1. Конструктивно-технологические функции диэлектрических плёнок
- •5.2. Формирование плёнок SiO2термическим окислением кремния
- •5.3. Методы получения диэлектрических пленок в технологии гибридных ис
- •5.3.1. Термовакуумное реактивное испарение
- •5.3.2. Анодное окисление
- •5.3.3. Ионно-плазменное окисление
- •Глава 6. Ионное легирование полупроводников
- •6. 1. Общие принципы процесса ионного легирования
- •Для количественной оценки ф согласно (6.1) необходимо знать потенциал φ(u) взаимодействия частиц. В простейшем случае он равен кулоновскому потенциалу. Однако в реальном случае
- •6.2. Отжиг дефектов и электрические свойства слоёв
- •6.3. Импульсный лазерный отжиг
- •6.4. Маскирование в процессах ионного легирования
- •6.5. Маскирование фоторезистами
- •6.6. Маскирование пленками металлов
- •Глава 7. Элионные методы литографических процессов
- •7.1. Электронно-лучевая литография
- •7.2. Рентгенолучевая литография (рлл)
- •7.2.1. Особенности экспонирования в рлл
- •7.2.2. Технология рентгенолитографических процессов
- •7.2.3. Выбор резистов для рлл
- •Глава 8.Пленки в технологии ис, микросборок и коммутационных элементов
- •8.1. Металлические пленки для ис
- •8.2. Технология коммутационных элементов ис
- •8.3. Технология пленочных резисторов
- •8.4. Чистый металл и сплавы
- •8.5. Керметы (микрокомпозиционные пленки)
- •8.6. Изготовление тонкопленочных конденсаторов
- •8.7. Монооксид кремнияSiO
- •8.8. Пятиокись тантала Та2о5
- •8.9. Оксид алюминия Al2o3 и диоксид кремнияSiО2
- •8.10. Диоксид титана ТiО2
- •Глава 9.Монтаж кристаллов ис на носителях. Типы носителей. Особенности сборки ис в корпуса
- •9.1. Конструктивно-технологические варианты монтажа
- •9.2. Изготовление ленточных носителей
- •9.3. Получение внутренних выводов на кристаллах ис
- •9.4. Монтаж кристалла ис на гибкую ленту
- •9.5. Монтаж гибридных ис и микросборок
- •9.6. Особенности сборки сверхбыстродействующих ис и процессоров
- •Глава 10. Технология герметизации ис и мп
- •10.1. Пассивирующие и защитные покрытия ис
- •10.2. Принципы герметизации ис в корпусах
- •10.3. Герметизация ис в металлических корпусах
- •Часть вторая наноэлектроника
- •Глава 11. Теоретические основы наноэлектроники. Одноэлектронные приборы
- •11.1. Проблемы наноэлектроники (одноэлектроники)
- •11.2. Базовая теория кулоновской блокады
- •11.3. "Кулоновская лестница"
- •11.5. Квантовые размерные эффекты
- •11.6. Классификация одноэлектронных приборов
- •11.7. Одноэлектронный прибор на основе сканирующего туннельного микроскопа
- •11.8. Субмикронный вертикальный одноэлектронный транзистор (транзистор Остина)
- •11.9. Применение одноэлектронных приборов
- •Глава 12. Наночастицы и нанокластеры
- •12.1. Свойства наночастиц и их характеристики
- •12.2. Теоретическое моделирование наночастиц (модель ″желе″)
- •12.3. Геометрическая и электронная структуры нанокластеров
- •12.4. Реакционная способность наночастиц
- •12.5. Флуктуационные наноструктуры
- •12.6. Магнитные кластеры
- •12.7. Переход от макро- к нано-
- •12.8. Полупроводниковые наночастицы
- •12.9. Кулоновский взрыв
- •12.10. Молекулярные кластеры
- •12.11. Методы синтеза наночастиц
- •12.12. Химические методы синтеза наночастиц
- •12.13. Термолиз
- •12.14. Импульсные лазерные методы
- •Глава 13.Углеродные наноструктуры
- •13. 1. Природа углеродной связи
- •13.2. Малые углеродные кластеры – с60.
- •13.3. Неуглеродная шарообразная молекула
- •13.4. Углеродные нанотрубки
- •13.4.1. Методы получения нанотрубок
- •13.4.2. Электрические свойства нанотрубок
- •13.4.3. Колебательные свойства нанотрубок
- •13.4.4. Механические свойства нанотрубок
- •13.5. Применение углеродных нанотрубок
- •13.5.1. Полевая эмиссия и экранирование
- •13.5.2. Информационные технологии, электроника
- •13.5.3. Топливные элементы
- •13.5.4. Химические сенсоры
- •13.5.5. Катализ
- •13.5.6. Механическое упрочнение материалов
- •Глава 14.Объемные наноструктурированные материалы: разупорядоченные и кристаллизованные
- •14.1. Методы синтеза разупорядоченных структур
- •14.2. Механизмы разрушения традиционных материалов
- •14.3. Механические свойства наноструктурированных материалов
- •14.4. Многослойные наноструктурированные материалы
- •14.5. Электрические свойства наноструктурированных материалов
- •14.6. Нанокластеры в оптическом материаловедении
- •14.7. Пористый кремний
- •14.8. Упорядоченные наноструктуры
- •14.8.1. Упорядоченные структуры в цеолитах
- •14.8.2. Кристаллы из металлических наночастиц
- •14.8.3. Нанокристаллы для фотоники
- •Глава 15.Наноприборы и наномашины
- •15.1. Микроэлектромеханические устройства (mems)
- •15.2. Наноэлектромеханические системы (nems)
- •15.3. Наноактуаторы
- •15.4. Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
- •Библиографический список Основной
- •Физические основы технологии микро- и наноэлектроники
- •620002, Екатеринбург, Мира, 19
- •620002, Екатеринбург, Мира, 19
13.4.3. Колебательные свойства нанотрубок
Каждый атом в молекуле или наночастице участвует в непрерывном тепловом движении. При этом у каждой молекулы существует специфический набор колебательных движений, называемых нормальными колебательными модами, которые определяются симметрией молекул. Так, например, молекула двуокиси углерода СО2 со структурой О = С = О имеет всего 4 нормальные моды. Две моды связаны с изгибом молекулы в двух взаимно перпендикулярных плоскостях и еще одна, называемая симметричным растяжением, заключается в синфазном удлинении связей С = О. Асимметричное растяжение, выражающееся в противофазном изменении связей С = О, при котором одна связь растягивается, а другая сжимается, является четвертой модой. Углеродные трубки имеют также свои нормальные колебательные моды.
A1g (f = 165 см -1) Е2g (f = 17 см -1)
A1g – осцилляция диаметра трубки.
Е2g – закручивание трубки по спирали (вращение)
Рис. 13.9. Колебательные моды углеродных нанотрубок
Заметим, что частоты этих двух мод зависят от диаметра нанотрубки. А1g (точнее ее частота) будет зависеть от диаметра следующим образом (рис. 13.10). Однако на практике измеряется не диаметр, а радиус трубки, что существенным образом не изменяет характер зависимости.
Рис. 13.10. Зависимость частоты моды A1g от диаметра нанотрубки
13.4.4. Механические свойства нанотрубок
Углеродные нанотрубки очень прочны. Если к концу тонкой проволоки, прикрепленной к подвесу, присоединить грузик весом W, то такая проволока начнет растягиваться. Механические напряжения S в такой проволоке определяются выражением: S = W/A, где А – поперечное сечение проволочки. Относительная деформация определяется как , где- абсолютное удлинение проволоки;- ее длина перед нагружением. Закон Гука утверждает, что увеличение длины проволоки пропорционально силе, приложенной к концу проволоки и вызывающей данное увеличение. В более общем виде:<=> - коэффициент пропорциональности (модуль Юнга).
Модуль Юнга является свойством конкретного материала и характеризует его упругость. Например, модуль Юнга для стали в 30 тысяч раз больше, чем для резины. Модуль Юнга углеродных нанотрубок колеблется от 1,28 до 1,8 ТПа. Чтобы понять, много это или мало, заметим, что 1 ТПа примерно в 107 раз больше атмосферного давления. Модуль Юнга стали составляет 0,21 ТПа, т.е. у нанотрубки эта величина в 10 раз больше. Это означает, что углеродная трубка очень жесткая и трудносгибаемая. Однако при определении жесткости еще необходимо учитывать и диаметр трубки.
Отклонение пустого цилиндрического стержня длиной L, внутренним радиусом ri и внешним r0 под действием силы F, приложенной к его концу по нормали к оси, дается следующим выражением: , где4 – момент инерции сечения стержня. Так как толщина стенки однослойной нанотрубки составляет примерно 0,34 нм, то величина (r04 - ri4) очень мала, что отчасти компенсирует большое значение Е. Углеродная нанотрубка очень упруга при изгибе. Она гнется как соломинка, но не ломается и может распрямиться без повреждений. Большинство же материалов ломается при изгибе из-за присутствия таких дефектов, как дислокации и границы раздела зерен. Так как углеродные нанотрубки (точнее их стенки) практически не имеют дефектов, то изломов не происходит. Другой причиной стойкости нанотрубок на излом является тот факт, что углеродные кольца стенок трубок в виде почти правильных шестиугольников при изгибе меняют свою структуру, но не рвутся.
Такое поведение есть уникальное следствие того факта, что углерод – углеродные связи sp2 гибридизованы и могут перегибридизовываться при изгибе.
Степень изменения и коэффициент sp-смешивания зависит от того, на сколько изогнуты связи.
Предел прочности характеризует напряжение, которое необходимо приложить для разрыва. Предел прочности однослойной углеродной нанотрубки составляет примерно 45 ГПа, в то время как сплавы разрушаются уже при 2 ГПа. Таким образом, углеродные нанотрубки почти в 20 раз прочнее стали. Многослойные нанотрубки имеют лучшие, чем у стали, механические характеристики, которые, однако, все же не так высоки, как у однослойных нанотрубок.