- •Конспект по предмету
- •Раздел 1 Технологический процесс обработки изделий микроэлектроники
- •Устройство для выращивания монокристаллического слитка вытягиванием из расплава:
- •Формирование слоев с заданными свойствами
- •Процессы формирования рисунка методом литографии
- •Формирование рисунка маски из резиста:
- •Последовательность получения оксидной маски на пластине:
- •Последовательность операций при формировании рисунка поликремния:
- •Последовательность получения рисунка алюминиевой коммутации, контактов и затвора в моп-имс:
- •Сборка и монтаж имс
- •Типы и основные характеристики подложек
- •Конструктивно-технологические особенности биполярных имс
- •Структуры биполярной кремниевой имс (а) и интегрального транзистора (б) (все размеры указаны в микрометрах):
- •Структуры конденсаторов для биполярных имс:
- •Электрическая схема (а) и топология (б) логического элемента:
- •1, 5, 7, 8 — Входы; 2 —наиболее положительный потенциал; 3 — выход; 4 — земля
- •Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры имс
- •Основные этапы технологии биполярных имс
- •Технологический процесс формирования биполярных полупроводниковых структур
- •Шаблон, используемый для создания области скрытого слоя коллектора, (а) и набор фотошаблонов для фотолитографии (б):
- •Основные конструктивно-технологические варианты мпд-имс
- •Конструкция мдп-транзистора имс:
- •Структура моп-транзистора, используемая для расчета:
- •Влияние физико-технологических факторов на параметры моп-имс
- •Базовый технологический процесс получения моп-имс
- •Технология моп-имс с кремниевым затвором
- •Основные этапы изготовления моп-имс с кремниевыми затворами:
- •Раздел2 Устройство, принцип работы, наладка и регулировки узлов и механизмов специального технологического оборудования
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •2.2 Оборудование для создания и контроля чистых сред. Наладка и регулировка
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •2.3 «Оборудование для механической обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •1 Рельефный слой, 2 трещенковый слой, 3 дислокационный слой, 4 напряженный слой
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •2.4 Оборудование для химобработки
- •Автомат гидромеханической отмывки
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •2.5 Термическое оборудование
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •2.6 Оборудование для элионной обработки
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения тонких пленок
- •2.7 Оборудование для контактной фотопечати
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •2.8 Оборудование для проекционной фотопечати
- •Привод подъема стола.
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •2.9 Оборудование для нанесения и проявления фоторезиста
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •2.10 Сборочное оборудование
- •Установка резки алмазными кругами:
- •Узел крепления алмазного круга:
- •Установка монтажа кристаллов эм-438а
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Автомат присоединения кристаллов эм-4085
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Оборудование для разварки межсоединений эм-4020б
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 3 Устройство, принцип работы наладка, регулировка специального технологического оборудования
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Раздел 4 Ремонт специального технологического оборудования Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
- •Раздел 5 Контрольно-измерительное и испытательное оборудование
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
Рабочая атмосфера (окружающая среда) производственных помещений характеризуется тремя основными параметрами: влажностью, запыленностью и температурой.
Влажность. Различают относительную и абсолютную влажность. Относительная влажность — это отношение массы влаги, содержащейся в веществе, к массе влажного вещества. Абсолютная влажность — это отношение массы влаги, содержащейся в веществе, к массе абсолютно сухого вещества. Измеряют влажность психрометрическими и сорбционными методами с помощью соответствующих приборов.
Психрометрический метод измерения влажности основан на сравнении температур воздуха и тела, с поверхности которого испаряется вода. На этом методе основан и принцип действия психрометра, представляющего собой устройство из двух одинаковых термометров, резервуар одного из которых обернут влажной батистовой повязкой, смачиваемой дистиллированной водой. Показания температуры "сухого" и "влажного" термометра различны. Чем суше окружающий воздух, тем интенсивнее происходит испарение воды и больше разница показаний термометров. На их показания существенно влияют также скорость обтекания влажного воздуха и атмосферное давление. Относительную влажность воздуха определяют по формуле
где Et°B и Et°c — максимальные упругости паров воздуха соответственно при температурах "влажного" tв и "сухого" tc термометров; Н- атмосферное давление; А - психрометрическая постоянная, учитывающая скорость движения влажного воздуха (например, при скорости 0,5 — 1 м/с влажного воздуха А — 49,47). Величины Et°B, Et°c и H выражают в миллибарах (1 мбар = 102 Па), а значения их определяют по специальным таблицам.
Сорбционный метод измерения влажности основан на способности гигроскопических тел изменять свои свойства в зависимости от количества поглощенной влаги и положен в основу действия гигрометров, которые бывают волосяными и пленочными.
Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
В волосяном гигрометре (рис. а) датчиком влажности служит один человеческий волос, их пучок или волосяная гитара. Рассмотрим принцип действия простейшего гигрометра с одним волосом 2, который постоянно натянут грузом 1. В зависимости от степени влажности длина волоса увеличивается или уменьшается. Это изменение передается стрелке 3, которая, перемещаясь по неравномерной шкале 4, указывает влажность.
В пленочном гигрометре (рис. б) роль датчика выполняет мембрана из пленки 5, которая так же, как волос, реагирует на изменение влажности воздуха, уменьшая или увеличивая длину своего прогиба.
Гигрограф является специальным прибором, служащим для непрерывной регистрации влажности на специальной бумажной диаграмме.
Кроме того, контролировать и регулировать влажность можно автоматическими устройствами с использованием в их схемах магнитоэлектрических логометров.
Запыленность. Анализатор запыленности АЗ-5 (рис. ниже) предназначен для определения запыленности воздуха, технологических газов, эффективности работы газовых фильтров и концентрации аэрозолей и состоит из оптического датчика и электрического блока. Принцип действия его основан на рассеивании света измеряемыми аэрозольными частицами. Между размерами частиц и интенсивностью рассеянного света существует количественная зависимость. Анализатор запыленности предназначен для измерения концентрации частиц пыли от 1 до 300 000 в 1 л воздуха с фиксированием их размеров от 0,4 до 1 мкм через 0,1 мкм. Прибор имеет каналы дозированного измерения концентрации от 1 до 250 частиц пыли в 1 л воздуха за 50 с и непрерывного измерения концентрации от 250 до 300 000 частиц пыли в 1 л.