- •Конспект по предмету
- •Раздел 1 Технологический процесс обработки изделий микроэлектроники
- •Устройство для выращивания монокристаллического слитка вытягиванием из расплава:
- •Формирование слоев с заданными свойствами
- •Процессы формирования рисунка методом литографии
- •Формирование рисунка маски из резиста:
- •Последовательность получения оксидной маски на пластине:
- •Последовательность операций при формировании рисунка поликремния:
- •Последовательность получения рисунка алюминиевой коммутации, контактов и затвора в моп-имс:
- •Сборка и монтаж имс
- •Типы и основные характеристики подложек
- •Конструктивно-технологические особенности биполярных имс
- •Структуры биполярной кремниевой имс (а) и интегрального транзистора (б) (все размеры указаны в микрометрах):
- •Структуры конденсаторов для биполярных имс:
- •Электрическая схема (а) и топология (б) логического элемента:
- •1, 5, 7, 8 — Входы; 2 —наиболее положительный потенциал; 3 — выход; 4 — земля
- •Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры имс
- •Основные этапы технологии биполярных имс
- •Технологический процесс формирования биполярных полупроводниковых структур
- •Шаблон, используемый для создания области скрытого слоя коллектора, (а) и набор фотошаблонов для фотолитографии (б):
- •Основные конструктивно-технологические варианты мпд-имс
- •Конструкция мдп-транзистора имс:
- •Структура моп-транзистора, используемая для расчета:
- •Влияние физико-технологических факторов на параметры моп-имс
- •Базовый технологический процесс получения моп-имс
- •Технология моп-имс с кремниевым затвором
- •Основные этапы изготовления моп-имс с кремниевыми затворами:
- •Раздел2 Устройство, принцип работы, наладка и регулировки узлов и механизмов специального технологического оборудования
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •2.2 Оборудование для создания и контроля чистых сред. Наладка и регулировка
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •2.3 «Оборудование для механической обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •1 Рельефный слой, 2 трещенковый слой, 3 дислокационный слой, 4 напряженный слой
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •2.4 Оборудование для химобработки
- •Автомат гидромеханической отмывки
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •2.5 Термическое оборудование
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •2.6 Оборудование для элионной обработки
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения тонких пленок
- •2.7 Оборудование для контактной фотопечати
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •2.8 Оборудование для проекционной фотопечати
- •Привод подъема стола.
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •2.9 Оборудование для нанесения и проявления фоторезиста
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •2.10 Сборочное оборудование
- •Установка резки алмазными кругами:
- •Узел крепления алмазного круга:
- •Установка монтажа кристаллов эм-438а
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Автомат присоединения кристаллов эм-4085
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Оборудование для разварки межсоединений эм-4020б
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 3 Устройство, принцип работы наладка, регулировка специального технологического оборудования
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Раздел 4 Ремонт специального технологического оборудования Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
- •Раздел 5 Контрольно-измерительное и испытательное оборудование
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
Ионизационный манометрический преобразователь:
1 - катод 2 - сетка, 3 - анод 4 -стеклянный баллон
Образующиеся при ионизации разреженного газа ионы собираются анодом 3, находящимся под отрицательным потенциалом относительно катода. Ток с анода подается на усилитель, а затем регистрируется измерительным прибором. Так как чувствительность ионизационного преобразователя обычно указана в паспорте, измерительный прибор вакуумметра градуируют непосредственно в единицах давления.
Ионизационно-термопарный вакуумметр ВИТ-3 (рис. ниже), представляющий собой комбинированный переносной настольный прибор, служащий для измерения давления воздуха от 102 до 10-5 Па, работает совместно с ионизационным манометрическим преобразователем ПМИ-2 и термопарным манометрическим преобразователем ПМТ-2 или ПМТ-4М.
Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
1, 13 - ионизационный и термопарный манометрические преобразователи, 2 - усилитель постоянного тока, 3, 10 - стрелочные индикатор и прибор, 4 - стабилизатор, 5 - схема сигнализации и защиты катода, 6-9, 11, 12 - источники питания устройств вакуумметра стабилизированным напряжением
Ионизационная часть предназначена для измерения ионного тока преобразователя питания вакуумметра, прогрева анода и измерения давления от 10-1 до 10-5 Па при работе с ионизационным манометрическим преобразователем ПМИ-2. Термопарная часть вакуумметра служит для питания преобразователя, измерения его термо-эдс и давления от 102 до 10-1 Па.
Как уже отмечалось, ионный ток ионизационного манометрического преобразователя служит мерой давления при неизменяющихся токе эмиссии электронов, ускоряющем анодном токе эмиссии электронов и ускоряющем анодном напряжении. При работе прибора ионный ток ионизационного манометрического преобразователя 1 подается через входные резисторы на усилитель постоянного тока 2, а затем регистрируется стрелочным прибором 3. Постоянство тока эмиссии поддерживается стабилизатором 4.
При неизменном токе накала термопарного манометрического преобразователя 13 его термо-эдс, как указывалось ранее, определяемая давлением газа в измеряемом объеме, преобразуется и регистрируется стрелочным прибором 10.
Схема 5 сигнализации и защиты катода предназначена для автоматического предохранения катода ионизационного манометрического преобразователя МИ-10-2 от перегорания при давлениях выше 102 Па. Для питания элементов электрической схемы вакуумметра служат стабилизированные источники 6-9,11 и 12.
Андерс Цельсий (1701-1744)- опорные точки принимается температура замерзания и кипения воды при нормальном атмосферном давлении. Участок шкалы между двумя этими точками делится на 100 равных частей. Абсолютная шкала абсолютной температуры по Кельвину (Вильсон Томсон - Лорд Кельвин) 1824-1907 г.г. с Цельсием связано с равенством Т = t + 273,16
Нуль К = О соответствует температуре t = - 273,16
Абсолютны нуль - это температура, при которой прекращается хаотическое движение молекул идеального газа.
3) Фаренгейта (F)
За нуль принимается температура таяния смеси снега равная - 32 гр. С.Градусом в шкале F является 0,01 температурного интервала между температурой таяния смеси снега и нормальной температурой человеческого тела. По шкале температура таяния льда (0 С) сказывается равной + 32 ,а температура кипения воды при нормальном давлении + 212 гр.Таким образом, интервал от таяния снега до кипения воды оценивается в шкале F в 180 rp.F
F = t +32
F = 0npnt =-32гр.
F = tx(l,8) + 32
F кип. воды = 100x18-180+32=212 гр.
F = t кип. воды =212 rp.F
4) Шкала Реомюра - точкой опоры таяния снега и льда (у Цельсия), но за градус принимается 1/80 температурного интервала - между таянием и кипением 80 гр. R.