- •Конспект по предмету
- •Раздел 1 Технологический процесс обработки изделий микроэлектроники
- •Устройство для выращивания монокристаллического слитка вытягиванием из расплава:
- •Формирование слоев с заданными свойствами
- •Процессы формирования рисунка методом литографии
- •Формирование рисунка маски из резиста:
- •Последовательность получения оксидной маски на пластине:
- •Последовательность операций при формировании рисунка поликремния:
- •Последовательность получения рисунка алюминиевой коммутации, контактов и затвора в моп-имс:
- •Сборка и монтаж имс
- •Типы и основные характеристики подложек
- •Конструктивно-технологические особенности биполярных имс
- •Структуры биполярной кремниевой имс (а) и интегрального транзистора (б) (все размеры указаны в микрометрах):
- •Структуры конденсаторов для биполярных имс:
- •Электрическая схема (а) и топология (б) логического элемента:
- •1, 5, 7, 8 — Входы; 2 —наиболее положительный потенциал; 3 — выход; 4 — земля
- •Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры имс
- •Основные этапы технологии биполярных имс
- •Технологический процесс формирования биполярных полупроводниковых структур
- •Шаблон, используемый для создания области скрытого слоя коллектора, (а) и набор фотошаблонов для фотолитографии (б):
- •Основные конструктивно-технологические варианты мпд-имс
- •Конструкция мдп-транзистора имс:
- •Структура моп-транзистора, используемая для расчета:
- •Влияние физико-технологических факторов на параметры моп-имс
- •Базовый технологический процесс получения моп-имс
- •Технология моп-имс с кремниевым затвором
- •Основные этапы изготовления моп-имс с кремниевыми затворами:
- •Раздел2 Устройство, принцип работы, наладка и регулировки узлов и механизмов специального технологического оборудования
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •2.2 Оборудование для создания и контроля чистых сред. Наладка и регулировка
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •2.3 «Оборудование для механической обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •1 Рельефный слой, 2 трещенковый слой, 3 дислокационный слой, 4 напряженный слой
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •2.4 Оборудование для химобработки
- •Автомат гидромеханической отмывки
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •2.5 Термическое оборудование
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •2.6 Оборудование для элионной обработки
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения тонких пленок
- •2.7 Оборудование для контактной фотопечати
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •2.8 Оборудование для проекционной фотопечати
- •Привод подъема стола.
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •2.9 Оборудование для нанесения и проявления фоторезиста
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •2.10 Сборочное оборудование
- •Установка резки алмазными кругами:
- •Узел крепления алмазного круга:
- •Установка монтажа кристаллов эм-438а
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Автомат присоединения кристаллов эм-4085
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Оборудование для разварки межсоединений эм-4020б
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 3 Устройство, принцип работы наладка, регулировка специального технологического оборудования
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Раздел 4 Ремонт специального технологического оборудования Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
- •Раздел 5 Контрольно-измерительное и испытательное оборудование
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
Система газораспределения эпитаксиальной установки
Система газораспределения эпитаксиальной установки предназначена для подготовки и подачи в реактор ПГС, водорода и других газов, необходимых для проведения как основных, так и вспомогательных операций. В газовых каналах установлены: ручные запорные краны Кр, вентили В, фильтры Ф, обратные клапаны ОК, регуляторы давления РД, понижающие давление газа от 100…250 до 5…40 кПа, ротаметры Р для контроля расхода газов, дозаторы испарительного типа И, клапаны К с электромагнитным управлением, скруббер С, дроссель Др, реакторы I и II. На вход газовой системы подаются 6 технологических газов, распределяемых на 9 технологических каналов. Каналы 1…3 подают чистый водород (точка росы 203 К (-70С)) и его смеси с парами тетрахлорида кремния (И1) и легирующей примеси (И2). Каналы 4, 5 – соответственно обезвоженный хлористый водород для травления подложек и углекислый газ для нанесения диоксида кремния. Каналы 6,7 подают азот для продувки реакторов и проверки их на герметичность, канал 8 – водород (точка росы 233 К (-40С)) для продувки реакторов, канал 9 подает технический водород марки А (ГОСТ 3022-70) в свечу скруббера.
Каналы 1…5 являются основными, формирующими ПГС, а каналы 6…9 – вспомогательными. Основные каналы включают ротаметры Р1-Р5 и клапаны К1…К5, К9…К13, а также К2` и К3` и обеспечивают проведение основных операций технологического цикла в автоматизированном режиме. Клапаны К1…К5 объединены общим коллектором, в котором формируется ПГС, подаваемая затем по каналу 10 в реакторы. Для настройки каждого основного канала на заданный расход реагента параллельно основным клапанам установлены клапан К9…К13, объединенные клапаном 11 для отвода реагентов в скруббер С. Для уменьшения длины трубопроводов и упрощения монтажа и обслуживания газовой системы клапаны К1…К5, К9…К13 объединены в блок клапанов У2, выполняющий функцию подготовки ПГС. Готовая ПГС поступает в другой блок клапанов У3, в котором она распределяется по реакторам I и II. Последовательное подключение каждого из реакторов производится клапанами КI и КII. Клапаны К6 и К14, установленные в линии продувки азотом, являются нормально открытыми, т.е. открытыми при отсутствии напряжения на их электромагнитах. При аварийном отключении питания установки эти клапаны обеспечивают продувку реакторов, заполненных ПГС.
Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
1 – конус распределителя, 2,6 – нижняя и верхняя ступени, 3 – фильтр, 4 – вентиль, 5,13 – манометры, 7 – реле протока, 8 – блокировочное устройство, 9 – микровыключатель, 10 – желоб, 11 – рычаг, 12 – свеча, 14 – регулятор давления, 15 – запальник, 16 – штуцер, 17 – бак, 18 – гидрозатвор, 19 – отработанные газы из реактора.
Скруббер представляет собой устройство, состоящее из двух параллельно работающих аппаратов, каждый из которых имеет две ступени: верхнюю 6 и нижнюю 2, соответственно служащие для сжигания очищенного водорода и адсорбционного улавливания водой токсичных веществ (хлорида водорода и тетрахлорида кремния). В случае погасания пламени в камере сжигания выходящие из скруббера газы должны быть разбавлены воздухом в соотношении 1:50 по отношению к максимальному количеству водорода. Верхняя 6 и нижняя 2 ступени скруббера представляют собой цилиндры с водяными баками 17 в нижней части. В выходной части верхней ступени имеется фланец, которым она соединяется с воздуховодом вытяжной вентиляции. Ниже расположено блокировочное устройство, выполняющее функции автоматического контроля за удалением продуктов определенной концентрации, выделяющихся при процессе. Когда интенсивность вентиляции становиться ниже допустимой, рычаг 11 с желобом 10 опускается вниз, размыкая микровыключателем 9 электрическую цепь, и срабатывает блокировка, сигнализирующая включением светового и звукового сигналов о неполадках. В нижней ступени скруббера имеется бак 17 с водяным затвором 18, через который из обеих ступеней удаляется в техническую канализацию загрязненная вода. В цилиндрических частях скруббера размещены распределитель с конусом 1, стекая с которых вода образует куполообразные пленки, способствующие повышению степени очистки отработанных газов. В верхней ступени имеется свеча 12, на выходе которой сжигаются технический водород и одновременно отработанные газы. Для зажигания водородной свечи служит искровой запальник 15. Для более полного сжигания отходящих газов в верхнюю ступень снизу через отверстия в водяном баке поступает воздух. Вода, стекающая с конусов верхней ступени, охлаждает цилиндрическую часть скруббера.