- •Конспект по предмету
- •Раздел 1 Технологический процесс обработки изделий микроэлектроники
- •Устройство для выращивания монокристаллического слитка вытягиванием из расплава:
- •Формирование слоев с заданными свойствами
- •Процессы формирования рисунка методом литографии
- •Формирование рисунка маски из резиста:
- •Последовательность получения оксидной маски на пластине:
- •Последовательность операций при формировании рисунка поликремния:
- •Последовательность получения рисунка алюминиевой коммутации, контактов и затвора в моп-имс:
- •Сборка и монтаж имс
- •Типы и основные характеристики подложек
- •Конструктивно-технологические особенности биполярных имс
- •Структуры биполярной кремниевой имс (а) и интегрального транзистора (б) (все размеры указаны в микрометрах):
- •Структуры конденсаторов для биполярных имс:
- •Электрическая схема (а) и топология (б) логического элемента:
- •1, 5, 7, 8 — Входы; 2 —наиболее положительный потенциал; 3 — выход; 4 — земля
- •Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры имс
- •Основные этапы технологии биполярных имс
- •Технологический процесс формирования биполярных полупроводниковых структур
- •Шаблон, используемый для создания области скрытого слоя коллектора, (а) и набор фотошаблонов для фотолитографии (б):
- •Основные конструктивно-технологические варианты мпд-имс
- •Конструкция мдп-транзистора имс:
- •Структура моп-транзистора, используемая для расчета:
- •Влияние физико-технологических факторов на параметры моп-имс
- •Базовый технологический процесс получения моп-имс
- •Технология моп-имс с кремниевым затвором
- •Основные этапы изготовления моп-имс с кремниевыми затворами:
- •Раздел2 Устройство, принцип работы, наладка и регулировки узлов и механизмов специального технологического оборудования
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •2.2 Оборудование для создания и контроля чистых сред. Наладка и регулировка
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •2.3 «Оборудование для механической обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •1 Рельефный слой, 2 трещенковый слой, 3 дислокационный слой, 4 напряженный слой
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •2.4 Оборудование для химобработки
- •Автомат гидромеханической отмывки
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •2.5 Термическое оборудование
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •2.6 Оборудование для элионной обработки
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения тонких пленок
- •2.7 Оборудование для контактной фотопечати
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •2.8 Оборудование для проекционной фотопечати
- •Привод подъема стола.
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •2.9 Оборудование для нанесения и проявления фоторезиста
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •2.10 Сборочное оборудование
- •Установка резки алмазными кругами:
- •Узел крепления алмазного круга:
- •Установка монтажа кристаллов эм-438а
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Автомат присоединения кристаллов эм-4085
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Оборудование для разварки межсоединений эм-4020б
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 3 Устройство, принцип работы наладка, регулировка специального технологического оборудования
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Раздел 4 Ремонт специального технологического оборудования Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
- •Раздел 5 Контрольно-измерительное и испытательное оборудование
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
2.3 «Оборудование для механической обработки полупроводниковых материалов»
- Кристаллографическая решетка кремния (основного материала в микроэлектронике) относится к структуре типа алмаза и обладает анизотропией. Поэтому перед резкой слитков на пластины важно знать расположение основных кристаллографических плоскостей
- оборудование для кристаллографической ориентации слитков
В процессе выращивания п/п монокристалла затравка ориентируется так, чтобы плоскость (111) была параллельно поверхности расплава, из которого выращивается монокристалл, но все же плоскость торца слитка не всегда оказывается строго параллельно плоскости (111)
Причина - неточность ориентации, неточность закрепления затравки в державке, из-за несовершенства самой механической системы для вытягивания слитка.
Для напоминания:
Главные плоскости кубического кристалла и индексы Миллера
По диагонали
(111)
(100) (110)
(010) (101)
(001) (011)
Марка кремния, например, 15гр. БкэфЗЮ/0,16
15 - номер группы, Б - бесотигельный, К - кремний, Э - электронный,, Ф - фосфор, 3 - золото, 10 - номинал уд. сопротивления (Ом*см), 0,16 время жизни неравновесных носителей заряда.
Для получения пластин, ориентированных на заданной плоскости, производят ориентацию слитков, определяют расположение основных кристаллографических плоскостей. Это очень важно: от этого зависит скорость, травления дефектность, и как следствие пониженные напряжения пробоя, большие токи утечки.
Рентгеновский способ
Оборудование УРС-50 или УРС-25И
Схема подготовки рентгеновской установки к работе
1 - рентгеновская трубка;
2 - вращающийся столик;
3 - приемник индикатора;
АВ - линия плоскости рамки столика
Способ основан на отражении и дифракции рентгеновских лучей.
Угол отражения для кремния (анод РТ - железо) 17 градусов 56 минут (111) 30 градусов 12 минут (110) 100 (45 градусов 23 минуты).
Для начала работы вращающийся столик с фиксирующей рамкой выставляют в нулевое положение. Нулевым считается такое положение, когда угол а между плоскостью рамки и падающим пучком рентгеновских лучей = а, углу отражения от плоскости (111) или другой плоскости, в которой производят ориентацию слитка. Под углом 2а от плоскости, определяющей падение рентгеновского луча, устанавливают приемник индикатора, для фиксации наличия отражаемого луча.
Слиток шлифуют по торцу. Т.о., чтобы плоскость торца была перпендикулярна плоскости образующей слиток.
Слиток устанавливают шлифованной боковой плоскостью на вращающийся столик рентгеновской установки так, чтобы плоскость торца слитка совпадала с лицевой рамкой столика.
Вращением столика добиваются положения, при котором на индикаторе счетчика интенсивности рентгеновского излучения появится сигнал, свидетельствующий об отражении Р.Л. от плоскости 111 (кристаллической). Угол между новым положением плоскости торца слитка и исходным положением АВ. Является одним из углов ориентации а.
Т.к. плоскость (111) слитка может быть отклонена относительно торцевой плоскости в двух плоскостях, то необходимо определить второй угол ориентации а2. Для этого слиток поворачиваю так, чтобы шлифованная сторона была перпендикулярна плоскости столика, а торец совпадал с плоскостью рамки. Затем поворачивают приставкой РУ до получения max отклонения индикатора счетчика. Таким образом получают значение второго угла ориентации а2. Углы a1 и а2 определяют положение плоскости (111).