- •Конспект по предмету
- •Раздел 1 Технологический процесс обработки изделий микроэлектроники
- •Устройство для выращивания монокристаллического слитка вытягиванием из расплава:
- •Формирование слоев с заданными свойствами
- •Процессы формирования рисунка методом литографии
- •Формирование рисунка маски из резиста:
- •Последовательность получения оксидной маски на пластине:
- •Последовательность операций при формировании рисунка поликремния:
- •Последовательность получения рисунка алюминиевой коммутации, контактов и затвора в моп-имс:
- •Сборка и монтаж имс
- •Типы и основные характеристики подложек
- •Конструктивно-технологические особенности биполярных имс
- •Структуры биполярной кремниевой имс (а) и интегрального транзистора (б) (все размеры указаны в микрометрах):
- •Структуры конденсаторов для биполярных имс:
- •Электрическая схема (а) и топология (б) логического элемента:
- •1, 5, 7, 8 — Входы; 2 —наиболее положительный потенциал; 3 — выход; 4 — земля
- •Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры имс
- •Основные этапы технологии биполярных имс
- •Технологический процесс формирования биполярных полупроводниковых структур
- •Шаблон, используемый для создания области скрытого слоя коллектора, (а) и набор фотошаблонов для фотолитографии (б):
- •Основные конструктивно-технологические варианты мпд-имс
- •Конструкция мдп-транзистора имс:
- •Структура моп-транзистора, используемая для расчета:
- •Влияние физико-технологических факторов на параметры моп-имс
- •Базовый технологический процесс получения моп-имс
- •Технология моп-имс с кремниевым затвором
- •Основные этапы изготовления моп-имс с кремниевыми затворами:
- •Раздел2 Устройство, принцип работы, наладка и регулировки узлов и механизмов специального технологического оборудования
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •2.2 Оборудование для создания и контроля чистых сред. Наладка и регулировка
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •2.3 «Оборудование для механической обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •1 Рельефный слой, 2 трещенковый слой, 3 дислокационный слой, 4 напряженный слой
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •2.4 Оборудование для химобработки
- •Автомат гидромеханической отмывки
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •2.5 Термическое оборудование
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •2.6 Оборудование для элионной обработки
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения тонких пленок
- •2.7 Оборудование для контактной фотопечати
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •2.8 Оборудование для проекционной фотопечати
- •Привод подъема стола.
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •2.9 Оборудование для нанесения и проявления фоторезиста
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •2.10 Сборочное оборудование
- •Установка резки алмазными кругами:
- •Узел крепления алмазного круга:
- •Установка монтажа кристаллов эм-438а
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Автомат присоединения кристаллов эм-4085
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Оборудование для разварки межсоединений эм-4020б
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 3 Устройство, принцип работы наладка, регулировка специального технологического оборудования
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Раздел 4 Ремонт специального технологического оборудования Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
- •Раздел 5 Контрольно-измерительное и испытательное оборудование
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
1 - унифицированная кассета, 2, 11, 13, 16, 17, 21, 25, 27, 29 - микровыключатели, 3 - полупроводниковая пластина, 4, 12 - пневматический и наклонный лотки, 5, 7 - штифты, 6 - каретка подачи полупроводниковых пластин, 8 - щетка, 9 -регулируемый упор, 10 - столик центрифуги, 14, 20, 23, 28 - электродвигатели, 15, 26 - кулачки, 18, 30 - каретки разгрузки и загрузки, 19, 22, 24 - пневмоцилиндры, 31 – сопло
Каретка 6 служит для автоматической подачи полупроводниковой пластины на вакуумный столик центрифуги и удаления с него после обработки. Свое движение вперед—назад эта каретка получает от привода, состоящего из электродвигателя, шкивов и ременной передачи, ход которой регулируется микровыключателями 27 и 11. Для переноса и снятия полупроводниковой пластины служат соответственно две пары штифтов 5 и 7, расположенных на каретке 6.
Щетка 8 подается на рабочую позицию, приводится во вращение и отводится в исходное положение механизмом перемещения. Перемещение вперед—назад щетка получает от пневмоцилиндра 22 и системы рычагов, воздействующих на ее вал, а вращение — от электродвигателя 23 через ременную передачу, промежуточный вал и вторую ременную передачу. Работа щетки контролируется и управляется микровыключателем 21.
Привод центрифуги примерно аналогичен приводу механизма перемещения щетки, т.е. она получает вращение от электродвигателя 20 и плоскоременной передачи, а перемещение вверх—вниз — от пневмоцилиндра 19. Подъем и опускание центрифуги регулируется винтовой парой. Управляют работой центрифуги микровыключателем 11.
Ванна отмывки представляет собой коробку, в которой установлен регулируемый упор 9, служащий для центрирования полупроводниковой пластины по отношению к вакуумному столику 10 центрифуги.
Механизм разгрузки по устройству во многом аналогичен механизму загрузки и отличается от него отсутствием пневматического лотка. Крайние положения унифицированной кассеты регулируются расположением микровыключателей 13 и 17. После подачи обработанной полупроводниковой пластины в соответствующую ячейку унифицированной кассеты 1 каретка 18 с кассетой перемещается на шаг, равный 4,75 мм, при повороте ходового винта от электродвигателя 14 и ременной передачи на один оборот с помощью кулачка 15 и микровыключателя 16. При отсутствии кассеты срабатывает блокировка и автомат не включается.
Автомат работает следующим образом. После установки кассет (в механизм загрузки с полупроводниковыми пластинами, а в механизм разгрузки — пустой) и включения автомата полупроводниковая пластина автоматически струей воздуха из сопла 31 подается на пневматический лоток 4, плавно опускается по нему на каретку 6, захватывается штифтами 5 и переносится на вакуумный столик 10 центрифуги. Приняв полупроводниковую пластину и удерживая ее вакуумом, столик центрифуги, расположенный над ванной отмывки, опускается в нее, принимая рабочее положение, и начинает вращаться. В этот момент из нескольких трубок на вращающуюся полупроводниковую пластину подается жидкость для отмывки и одновременно подходит вращающаяся щетка 8, выполняющая гидромеханическую очистку.
После отхода щетки пластина, продолжая вращаться, некоторое время еще очищается струями жидкости. Затем подача жидкости прекращается и начинается сушка пластины центрифугированием с одновременным обдувом азотом. По истечении заданного времени очистки столик центрифуги с пластиной поднимается, вращение его прекращается и отмытая полупроводниковая пластина перемещается в унифицированную кассету 1 механизма разгрузки. Удаление очищенной пластины с рабочей позиции производится штифтами 7 каретки 6 при подаче очередной пластины на отмывку. Отмытая пластина сначала попадает на наклонную скользящую поверхность лотка 12, а затем в паз унифицированной кассеты. Полный цикл отмывки полупроводниковых пластин совершается за 21—24 с, причем механическое воздействие щетки на пластину, струйная отмывка и сушка продолжаются по 5—10 с.
Автомат гидромеханической отмывки полупроводниковых пластин представляет собой сложную установку, надежность работы которой зависит от взаимодействия гидропневматической, вакуумной и электрической систем, а также программного устройства. Поэтому основная задача наладчика — постоянно следить за согласованностью действий всех механизмов автомата, что достигается оптимальным расположением микровыключателей, управляющих его работой. Эту работу выполняют в наладочном режиме автомата, т.е. включая только механизмы, которые налаживают. Для отмывки используют полупроводниковые пластины одинаковых диаметров. При переходе на другой диаметр пластин необходимо выполнить незначительную переналадку. При наладке следует руководствоваться технической документацией, прилагаемой
к автомату.
Установка ЩЦМЗ.240.212 химической обработки полупроводниковых пластин диаметром 60; 75 и 100 мм в различных невзрывоопасных веществах с последующей промывкой в деионизованной воде имеет унифицированные стол и стойку, а также расположенный сверху на стойке блок обеспыливания. На столешнице-поддоне находится четыре ванны: три фторопластовые, предназначенные для химической обработки пластин, и одна трехсекционная (каскадная) полипропиленовая, служащая для каскадной отмывки пластин в деионизованной воде. Обработка пластин производится в 25-местной унифицированной кассете, которую опускают в ванну и вынимают из нее вручную. Одновременно можно обрабатывать две кассеты.
Пневмогидравлическая схема установки показана на рисунке ниже.