- •Конспект по предмету
- •Раздел 1 Технологический процесс обработки изделий микроэлектроники
- •Устройство для выращивания монокристаллического слитка вытягиванием из расплава:
- •Формирование слоев с заданными свойствами
- •Процессы формирования рисунка методом литографии
- •Формирование рисунка маски из резиста:
- •Последовательность получения оксидной маски на пластине:
- •Последовательность операций при формировании рисунка поликремния:
- •Последовательность получения рисунка алюминиевой коммутации, контактов и затвора в моп-имс:
- •Сборка и монтаж имс
- •Типы и основные характеристики подложек
- •Конструктивно-технологические особенности биполярных имс
- •Структуры биполярной кремниевой имс (а) и интегрального транзистора (б) (все размеры указаны в микрометрах):
- •Структуры конденсаторов для биполярных имс:
- •Электрическая схема (а) и топология (б) логического элемента:
- •1, 5, 7, 8 — Входы; 2 —наиболее положительный потенциал; 3 — выход; 4 — земля
- •Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры имс
- •Основные этапы технологии биполярных имс
- •Технологический процесс формирования биполярных полупроводниковых структур
- •Шаблон, используемый для создания области скрытого слоя коллектора, (а) и набор фотошаблонов для фотолитографии (б):
- •Основные конструктивно-технологические варианты мпд-имс
- •Конструкция мдп-транзистора имс:
- •Структура моп-транзистора, используемая для расчета:
- •Влияние физико-технологических факторов на параметры моп-имс
- •Базовый технологический процесс получения моп-имс
- •Технология моп-имс с кремниевым затвором
- •Основные этапы изготовления моп-имс с кремниевыми затворами:
- •Раздел2 Устройство, принцип работы, наладка и регулировки узлов и механизмов специального технологического оборудования
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •2.2 Оборудование для создания и контроля чистых сред. Наладка и регулировка
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •2.3 «Оборудование для механической обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •1 Рельефный слой, 2 трещенковый слой, 3 дислокационный слой, 4 напряженный слой
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •2.4 Оборудование для химобработки
- •Автомат гидромеханической отмывки
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •2.5 Термическое оборудование
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •2.6 Оборудование для элионной обработки
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения тонких пленок
- •2.7 Оборудование для контактной фотопечати
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •2.8 Оборудование для проекционной фотопечати
- •Привод подъема стола.
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •2.9 Оборудование для нанесения и проявления фоторезиста
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •2.10 Сборочное оборудование
- •Установка резки алмазными кругами:
- •Узел крепления алмазного круга:
- •Установка монтажа кристаллов эм-438а
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Автомат присоединения кристаллов эм-4085
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Оборудование для разварки межсоединений эм-4020б
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 3 Устройство, принцип работы наладка, регулировка специального технологического оборудования
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Раздел 4 Ремонт специального технологического оборудования Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
- •Раздел 5 Контрольно-измерительное и испытательное оборудование
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
Установка термической диффузии адс-6-100
Нагреватель диффузионной установки
а – конструкция с обмазкой; б – конструкция без обмазки; в – ввод термопары в зону нагревателя
Внутренний диаметр рабочей зоны составляет от 120 мм (установка СДО-125/3-12) до 150 мм (СДО-125/3-15, АДС-6-100), что позволяет обрабатывать подложки диаметром 75…100 мм. Кварцевая реакционная труба 5 устанавливается внутри керамической трубы – муфеля 4, разогреваемой резистивным нагревателем 3. Нагреватель может быть армирован тонким слоем керамической обмазки на основе алунда (рисунок а) или не иметь обмазки (рисунок б). Нагреватели выполняют в виде спирали 9 из проволоки диаметром 5,5 мм, из жаростойкого сплава ОХ27Ю5А, соединенной токовводами 7 с блоком питания. Диаметр намотки спирали определяется диаметром реакционной кварцевой трубы 5, шаг спирали задается установкой керамических изоляторов 8. В нескольких изоляторах выполняются отверстия для размещения термопар 10, выступающие концы изоляторов используются в качестве опор керамической трубы-муфеля 4 (рисунок в). Нагревательные элементы оборачиваются керамическим (каолиновым) волокном. Температура на поверхности камеры не должна превышать 35С. Система управления диффузионными процессами должна обеспечивать равномерное распределение температуры в реакторе с высокой точностью ± 0,25С. Используется трехканальная система регулирования температуры.
Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
1 – силовой трансформатор, 2 – симисторы, 3 – нагреватель, 4,5 – центральная и краевая секции,
6,7 – термопары и блок стабилизации их холодных концов, 8,9 – потенциометры-задатчики, 10 – регулятор температуры, 11 – задатчик температуры, 12,18 – блоки программного управления и ограничения температуры, 13 – реле времени, 14 – усилитель постоянного тока, 15 – функциональный усилитель мощности, 16 – цепь задержек, 17 – коммутирующее устройство, 19 – сигнальная лампа
В термической установке применена трехканальная независимая система регулирования температуры. На примере центральной секции 4 нагревателя 3 рассмотрим схему автоматического регулирования. При работе установки в горячих концах термопар 6 возникает термо-эдс, которая через блок стабилизации холодных концов (термостат) 7 поступает на регулятор температуры 10 и сравнивается с заданным задатчиком 11 сигналом. Это устройство имеет прецизионный источник постоянного напряжения и десятиоборотный потенциометр-задатчик 9, позволяющий очень точно устанавливать требуемое напряжение, соответствующее заданной томпературе рабочего канала. Разность между заданным напряжением и действительным значением термо-эдс в виде постоянного напряжения рассогласования (сигнала) поступает на высокочувствительный усилитель постоянного тока 14, усиливается, далее ещё раз усиливается функциональным усилителем мощности 15 и дважды преобразуется сначала в сигнал управления по пропорционально-интегральному закону, а затем в фазоимпульсный сигнал управления. В зависимости от этого сигнала изменяется приоткрытие кремниевых управляемых симметричных вентилей (симисторов) 2, включенных во вторичную обмотку силового трансформатора 1, и в результате уменьшается или увеличивается мощность, подаваемая в центральную секцию 4 нагревателя 3. Для защиты нагревателя от перегрева в схему управления введен блок 18 ограничения температуры, срабатывающий от суммарного сигнала двух термопар с градуировкой ПР30/6, установленных в краевых секциях 5 нагревателя 3. При превышении предельной температуры коммутирующее устройство 17 отключает подачу сигнала управления симисторами и включает лампу 19, сигнализирующую о сложившейся ситуации. В каждой нагревательной камере установлено по восемь термопар. В центральной секции используется четыре термопары, две из которых – средние с градуировкой ПР30/6 – соединены последовательно, а две крайние с градуировкой ПП1 – встречно с двумя термопарами крайних секций нагревателя. Холодные концы двух крайних термопар этих секций, как и других, подключены через блоки стабилизации холодных концов к регулятору температуры. Такое соединение повышает чувствительность сигнала термо-эдс и, кроме того, каждая пара термопар показывает отклонение температуры в любой крайней секции нагревателя по отношению к действительной температуре в центральной секции. В системе автоматического регулирования температуры крайние секции подчинены центральной и все возможные температурные возмущения компенсируются изменением их нагрева.
Схема системы газораспределения диффузионной установки
Система газораспределения включает блоки диффузии (рисунок а) и окисления (рисунок б), формирующие ПГС заданного состава и подающие их в каждую реакционную трубу установки. На входы системы подаются тщательно очищенные и осушенные (точка росы -65С) кислород и аргон (азот). Каналы для технологических газов включают ручные запорные краны Кр, фильтры Ф, очищающие газы от пылевых частиц, регулятор давления РД, электромагнитные клапаны К, открывающиеся на время работы канала, ротаметры Р, контролирующие расходы газов, и манометры И. при загонке примесей из жидких диффузантов на первой стадии диффузионного процесса аргон проходит через смеситель См (рисунок а), помещенный в микрохолодильник для стабилизации параметров получаемой ПГС. На этапе окисления подложек в реакционную камеру подается сухой или влажный кислород; для увлажнения кислород пропускается через термостатированный увлажнитель У (рисунок б). Система автоматического регулирования устройства газораспределения осуществляет контроль температуры холодильника смесителя и термостата увлажнителя, а также программное управление каждым из рабочих каналов установки. Система обеспечивает поддержание температуры в испарителе и увлажнителе с погрешностью ±0,5 С, ее структура аналогична автоматической системе терморегулирования печи.