8.3.5. Мдп-транзисторы со встроенным каналом

В МДП-транзисторах со встроенным каналом проводящий канал под затвором существует при отсутствии напряжения на затворе. Проводящий канал под затвором МДП-транзистора может быть создан в результате локальной диффузии или ионной имплантации соответствующих примесей в приповерхностный слой подложки. Он может возникнуть из-за перераспределения примесей вблизи поверхности полупроводниковой подложки в процессе термического окисления ее поверхности. Наконец, проводящий канал может появиться под затвором из-за фиксированного заряда в подзатворном диоксиде кремния, а также из-за наличия контактной разности потенциалов между металлом затвора и полупроводником подложки.

Модуляция сопротивления канала происходит при изменении напряжения как положительной, так и отрицательной полярности. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения.

8.4. Сравнение полевых транзисторов с биполярными

1. Принцип действия. В биполярном транзисторе управление входным сигналом производится входным током, а в полевом - входным напряжением или электрическим полем.

2. Биполярные транзисторы имеют низкое входное сопротивление, а полевые – высокое.

3. Полевые транзисторы, как правило, обладают более низким уровнем шума (особенно на низких частотах). В биполярных транзисторах на низких частотах шумы связаны с рекомбинацией носителей в р-n-переходе и базе, а также генерационно-рекомбинационными процессами на поверхности прибора.

4. Поскольку полевые транзисторы являются униполярными приборами, они не чувствительны к эффектам накопления неосновных носителей, и поэтому имеют более высокие граничные частоты и скорости переключения.

5. Усилители на биполярных транзисторах имеют более высокие коэффициенты усиления, чем на полевых.

Заключение

Современная наука развивается очень быстрыми темпами, в настоящее время объем научных знаний удваивается каждые 10 – 15 лет. Тем не менее, базовые знания сохраняются, становясь основой для дальнейшего развития науки. Рассмотренные в данном пособии вопросы являются базой для более глубокого изучения и понимания развития современных технологий: микроэлектроники, оптоэлектроники, нанотехнологий, информационных технологий.

Содержание

ПРЕДИСЛОВИЕ 3

1.Элементы квантовой механики 4

1.1. Гипотеза де Бройля. Корпускулярно-волновой дуализм микрочастиц 4

1.2. Соотношение неопределенностей 7

1.3. Волновая функция 9

1.4. Уравнение Шредингера 11

1.5. Задача квантовой механики о движении свободной частицы 12

1.6. Задача квантовой механики о частице в 14

одномерной прямоугольной потенциальной яме 14

1.7. Понятие о туннельном эффекте. 19

1.8. Атом водорода в квантовой механике. 27

Квантовые числа 27

1.9. 1s– состояние электрона в атоме водорода 30

1.10. Спин электрона. Принцип Паули 32

1.11. Спектр атома водорода 33

1.12. Поглощение СВЕТА, спонтанное и вынужденное излучения 35

1.13. Лазеры 36

1.13.1. Инверсия населенностей 36

1.13.2. Способы создания инверсии населенностей 38

1.13.3. Положительная обратная связь. Резонатор 39

1.13.4. Принципиальная схема лазера. 39

1.14. Уравнение Дирака. Спин. 40