- •Федеральное агентство по образованию
- •Оглавление
- •Введение
- •Механизм взаимодействия металла с металлоидом и условия, необходимые для протекания процесса
- •Механизм процесса
- •Перемещение ионов под действием электрического поля
- •Характер перемещения ионов в идеальной кристаллической решетке
- •Перемещение ионов в неидеальной кристаллической решетке
- •Перемещение катионов при наличии вакансий в катионной подрешетке
- •Перемещение катионов при возможности их нахождения в междоузлиях
- •Образование тепловых дефектов кристаллической решетки
- •Общие положения
- •Возникновение точечных структурных дефектов кристаллической решетки в результате теплового движения
- •Возникновение точечных структурных дефектов при переходе ионов в междоузлие
- •Переход катиона из узла в междоузлие
- •Переход аниона из узла в междоузлие
- •Возникновение дефектов в результате перехода ионов из объема на поверхность или с поверхности в объем
- •Переход ионов из узлов в объеме кристалла в узлы над его поверхностью
- •Переход ионов из узлов на поверхности кристалла в его объем (в междоузлия)
- •Возникновение тепловых электронных дефектов
- •Константы равновесия процессов образования тепловых дефектов
- •Константа равновесия образования дефектов по Френкелю в катионной подрешетке
- •Константы равновесия образования других тепловых дефектов
- •Расчет равновесной концентрации тепловых дефектов
- •Типы структурной разупорядоченности кристаллов
- •Распространенность различных типов разупорядоченности
- •Образование дефектов нестехиометрии
- •Точечные структурные дефекты, обусловленные отклонением состава от стехиометрического
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Условия и механизм образования нестехиометрической фазы
- •Связь между давлением газообразного металлоида и составом равновесной твердой фазы
- •Механизм и равновесие возникновения недостатка металлоида (избытка металла)
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Механизм и равновесие возникновения избытка металлоида (недостатка металла)
- •Зависимости концентраций дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Общие положения
- •Соотношение между константами равновесия процессов возникновения недостатка и избытка металлоида
- •Расчет равновесных концентраций дефектов при заданном давлении металлоида
- •Составление и решение системы уравнений
- •Приближенный метод построения зависимостей концентраций дефектов от давления металлоида Выбор системы координат для построения зависимостей
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Френкель»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Шоттки»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Анализ характера зависимостей концентрации дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Влияние примесей на равновесие дефектов в кристалле
- •Примеси, оказывающие наибольшее влияние на равновесие дефектов
- •Примеси замещения с зарядом катионов, превышающим заряд катионов матрицы
- •Примеси замещения с зарядом катионов меньшим, чем заряд катионов матрицы
- •Механизм и закономерности процесса образования твердого продукта (теория Карла Вагнера)
- •Механизм и условия протекания процесса
- •Электрическая схема процесса
- •Соотношения, определяющие силу тока
- •Уравнения скорости образования твердого продукта
- •Зависимость константы скорости от давления металлоида
- •Возможные лимитирующие стадии процесса
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда ионами Решение в общем виде
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда электронами
- •Анализ ожидаемых закономерностей процесса с помощью теории Вагнера
- •Характеристика образующегося продукта
- •Направление роста ZnO
- •Влияние давления кислорода на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Влияние примесей на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Закономерности протекания реакций с участием металла, имеющего несколько устойчивых степеней окисления
- •Характер образующейся оболочки
- •Закономерности образования многослойной оболочки
- •Соотношения между толщиной слоев
Распространенность различных типов разупорядоченности
Для того, чтобы оценить, насколько распространены в природе различные типы разупорядоченности, можно воспользоваться подходом, суть которого иллюстрирует следующая аналогия.
Предположим, имеется большое число одинаковых ящиков, которые заполнены смесью красных, синих, желтых и зеленых шаров, взятых в самых разнообразных случайных соотношениях, при этом суммарные числа шаров разных цветов различны – больше всего красных, меньше синих, еще меньше желтых и меньше всего зеленых. В соответствии с этим в среднем по всем ящикам (а следовательно, в «среднестатистическом ящике») доля шаров каждого цвета уменьшается в последовательности: красные > синие > желтые > зеленые. Можно ли, исходя из соотношения между шарами в «среднестатистическом ящике», сделать вывод о доле ящиков, в которых преобладают шары того или иного цвета?
По-видимому, на этот вопрос следует дать положительный ответ: если в «среднестатистическом ящике» больше всего красных шаров и меньше всего зеленых, то можно ожидать, что красные шары будут преобладать в наибольшем числе ящиков, а зеленые – в наименьшем. Иначе говоря, соотношение между числом ящиков с преобладанием шаров того или иного цвета будет коррелироваться с соотношением между долей шаров в «среднестатистическом ящике», т.е. будет соответствовать последовательности красные > синие > желтые > зеленые.
Исходя из этой аналогии, соотношение между долей кристаллов с преобладанием того или иного механизма тепловой разупорядоченности должно соответствовать соотношению между концентрациями парных точечных структурных дефектов, образующихся по различным механизмам, в среднестатистическом кристалле с усредненными значениями энергии образования дефектов.
Среднестатистические значения энтальпии образования дефектов:
def |
|
|
|
|
e– + e+ |
, эВ |
1 |
1 |
1,5 |
2 |
≥ 5 10 |
Результаты расчета концентрации тепловых точечных структурных дефектов, образующихся по различным механизмам, и электронных дефектов в среднестатистическом кристалле МеХ (zMe = zX) при температуре 1000 К, приведены в табл. 1.
Таблица 1
Концентрации тепловых дефектов в среднестатистическом кристалле МеХ при температуре 1000 К
Вид разуп. |
Френк. |
анти-Фр. |
Шоттки |
анти-Ш. |
Электронная |
Парные тепловые дефекты |
+ |
+ |
+ |
+ |
e– + e+ |
, эВ |
2,5 |
3,0 |
2,0 |
3,5 |
≥ 5 10 |
Keq(1000 K) |
10–12,5 |
10–15 |
10–10 |
10–17,5 |
≤10–5010–25 |
(def)т=Keq1/2 |
~6·10–7 |
~3·10–8 |
~1·10–5 |
~2·10–9 |
1·10–253·10–13 |
Таким образом, в среднестатистическом кристалле концентрации тепловых точечных структурных дефектов, соответствующих различным механизмам их образования, располагаются в последовательности
Шоттки > Френкель > анти-Френкель > анти- Шоттки;
можно ожидать, что распространенность соответствующих типов разупорядоченности должна отвечать этой же последовательности.
Действительно, наиболее распространены кристаллы, для которых характерно образование вакансий в обеих подрешетках (т.е. и) и не характерен переход катионов или анионов в междоузлия – кристаллы с типом разупорядоченности «Шоттки».
Вторая по распространенности группа кристаллов – кристаллы, для которых характерны ии не характерныи, т.е. кристаллы с типом разупорядоченности «Френкель».
Сочетание «крупные катионы – мелкие анионы», необходимое для преобладания дефектов, образующихся по механизму «анти-Френкель» (и), встречается очень редко – как правило, анионы, даже простые, крупнее катионов. Поэтому известно всего 6 соединений с этим типом разупорядоченности; это соединения с самыми маленькими простыми анионамиF– и О2–:
CaF2; BaF2; LnF3
Ta2O5; ThO2; UO2.
И, наконец, кристаллы с типом разупорядоченности «анти-Шоттки», в которых преобладали бы и, как и следовало ожидать, не удалось ни найти в природе, ни синтезировать.
В дальнейшем будут рассматриваться в основном кристаллы с наиболее распространенными типами разупорядоченности – «Шоттки» и «Френкель».
Анализ данных, приведенных в табл. 1, позволяет сформулировать также очень важный вывод: концентрация тепловых электронных дефектов на много порядков меньше, чем концентрации тепловых точечных структурных дефектов.