- •Федеральное агентство по образованию
- •Оглавление
- •Введение
- •Механизм взаимодействия металла с металлоидом и условия, необходимые для протекания процесса
- •Механизм процесса
- •Перемещение ионов под действием электрического поля
- •Характер перемещения ионов в идеальной кристаллической решетке
- •Перемещение ионов в неидеальной кристаллической решетке
- •Перемещение катионов при наличии вакансий в катионной подрешетке
- •Перемещение катионов при возможности их нахождения в междоузлиях
- •Образование тепловых дефектов кристаллической решетки
- •Общие положения
- •Возникновение точечных структурных дефектов кристаллической решетки в результате теплового движения
- •Возникновение точечных структурных дефектов при переходе ионов в междоузлие
- •Переход катиона из узла в междоузлие
- •Переход аниона из узла в междоузлие
- •Возникновение дефектов в результате перехода ионов из объема на поверхность или с поверхности в объем
- •Переход ионов из узлов в объеме кристалла в узлы над его поверхностью
- •Переход ионов из узлов на поверхности кристалла в его объем (в междоузлия)
- •Возникновение тепловых электронных дефектов
- •Константы равновесия процессов образования тепловых дефектов
- •Константа равновесия образования дефектов по Френкелю в катионной подрешетке
- •Константы равновесия образования других тепловых дефектов
- •Расчет равновесной концентрации тепловых дефектов
- •Типы структурной разупорядоченности кристаллов
- •Распространенность различных типов разупорядоченности
- •Образование дефектов нестехиометрии
- •Точечные структурные дефекты, обусловленные отклонением состава от стехиометрического
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Условия и механизм образования нестехиометрической фазы
- •Связь между давлением газообразного металлоида и составом равновесной твердой фазы
- •Механизм и равновесие возникновения недостатка металлоида (избытка металла)
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Механизм и равновесие возникновения избытка металлоида (недостатка металла)
- •Зависимости концентраций дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Общие положения
- •Соотношение между константами равновесия процессов возникновения недостатка и избытка металлоида
- •Расчет равновесных концентраций дефектов при заданном давлении металлоида
- •Составление и решение системы уравнений
- •Приближенный метод построения зависимостей концентраций дефектов от давления металлоида Выбор системы координат для построения зависимостей
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Френкель»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Шоттки»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Анализ характера зависимостей концентрации дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Влияние примесей на равновесие дефектов в кристалле
- •Примеси, оказывающие наибольшее влияние на равновесие дефектов
- •Примеси замещения с зарядом катионов, превышающим заряд катионов матрицы
- •Примеси замещения с зарядом катионов меньшим, чем заряд катионов матрицы
- •Механизм и закономерности процесса образования твердого продукта (теория Карла Вагнера)
- •Механизм и условия протекания процесса
- •Электрическая схема процесса
- •Соотношения, определяющие силу тока
- •Уравнения скорости образования твердого продукта
- •Зависимость константы скорости от давления металлоида
- •Возможные лимитирующие стадии процесса
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда ионами Решение в общем виде
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда электронами
- •Анализ ожидаемых закономерностей процесса с помощью теории Вагнера
- •Характеристика образующегося продукта
- •Направление роста ZnO
- •Влияние давления кислорода на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Влияние примесей на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Закономерности протекания реакций с участием металла, имеющего несколько устойчивых степеней окисления
- •Характер образующейся оболочки
- •Закономерности образования многослойной оболочки
- •Соотношения между толщиной слоев
Образование тепловых дефектов кристаллической решетки
Общие положения
Механизмы образования тепловых (называемых также термическими) точечных структурных дефектов впервые описал выдающийся советский физик-теоретик Яков Ильич Френкель в статье «О тепловом движении в твердых и жидких телах», опубликованной в 1926 году в немецком журнале «Zeitschrift fur Physik». Я.И.Френкель рассуждал примерно так. Если атом, находящийся на поверхности, случайно получит избыточную тепловую энергию, достаточную для разрыва связей со всеми соседними атомами, он покинет узел, в котором находился, и перейдет в паровую фазу – испарится. В отличие от такого «полного» испарения атом, находящийся в объеме, получив достаточную энергию, может, уйдя из узла, остаться в кристаллической решетке. Возможны два варианта такого «неполного» испарения: переход атома в межузельное пространство («внутреннее испарение») и его выход из объема на поверхность («поверхностное испарение»). В первом случае возникают сразу два дефекта: вакантный узел и атом в междоузлии (эти два одновременно возникающих дефекта получили название «пара Френкеля»), во втором – только вакансия.
Процесс образования тепловых точечных структурных дефектов в ионной кристаллической решетке, состоящей из катионов и анионов, более сложен. Перед его обсуждением рассмотрим вначале, что собой представляют вакансии катиона и аниона.
Начнем с вакансии катиона. На рис. 6 показан фрагмент плоской модели идеальной ионной кристаллической решетки. Кристаллическая решетка электронейтральна: положительный заряд катионов уравновешивается отрицательным зарядом анионов и наоборот. Стрелки на рис. 6 показывают, как отрицательный заряд каждого из анионов проецируется на каждый из 4 соседних катионных узлов (по -2 : 4 = -1/2 на каждый узел). Поскольку каждый катионный узел окружен 4 анионными, суммарный проецируемый заряд равен 4 (-1/2) = -2. Этот отрицательный заряд уравновешивается положительным зарядом катиона, равным +2, и в результате суммарный заряд в каждом катионном узле равен 0. Но если катион в узле отсутствует, т.е. узел вакантен, то отрицательный заряд в этой точке кристаллической решетки не скомпенсирован – он равен по величине заряду отсутствующего катиона. Таким образом, вакансия катиона – это не просто свободный узел в катионной подрешетке, а дефект, имеющий заряд: если катион имеет заряд zMe+, то вакансия катиона будет иметь заряд zMe–. С учетом этого вакансии катионов будут обозначаться (например, вакансии катионовAl3+ и Zn2+ соответственно и).
Точно так же вакансия аниона имеет положительный заряд, равный по величине заряду отсутствующего аниона: если анион имеет заряд zХ–, то вакансия катиона будет иметь заряд zХ+, и обозначаться такая вакансия будет (например, вакансии анионовCl– и О2– соответственно и).
Рис. 6. Схема распределения электростатического поля,
создаваемого анионами
Возникновение точечных структурных дефектов кристаллической решетки в результате теплового движения
Возникновение точечных структурных дефектов при переходе ионов в междоузлие
В ионной кристаллической решетке возможны два варианта перехода ионов в междоузлие («внутреннего испарения» по Френкелю) – переход в междоузлие катиона и переход в междоузлие аниона. Рассмотрим эти варианты.