- •Федеральное агентство по образованию
- •Оглавление
- •Введение
- •Механизм взаимодействия металла с металлоидом и условия, необходимые для протекания процесса
- •Механизм процесса
- •Перемещение ионов под действием электрического поля
- •Характер перемещения ионов в идеальной кристаллической решетке
- •Перемещение ионов в неидеальной кристаллической решетке
- •Перемещение катионов при наличии вакансий в катионной подрешетке
- •Перемещение катионов при возможности их нахождения в междоузлиях
- •Образование тепловых дефектов кристаллической решетки
- •Общие положения
- •Возникновение точечных структурных дефектов кристаллической решетки в результате теплового движения
- •Возникновение точечных структурных дефектов при переходе ионов в междоузлие
- •Переход катиона из узла в междоузлие
- •Переход аниона из узла в междоузлие
- •Возникновение дефектов в результате перехода ионов из объема на поверхность или с поверхности в объем
- •Переход ионов из узлов в объеме кристалла в узлы над его поверхностью
- •Переход ионов из узлов на поверхности кристалла в его объем (в междоузлия)
- •Возникновение тепловых электронных дефектов
- •Константы равновесия процессов образования тепловых дефектов
- •Константа равновесия образования дефектов по Френкелю в катионной подрешетке
- •Константы равновесия образования других тепловых дефектов
- •Расчет равновесной концентрации тепловых дефектов
- •Типы структурной разупорядоченности кристаллов
- •Распространенность различных типов разупорядоченности
- •Образование дефектов нестехиометрии
- •Точечные структурные дефекты, обусловленные отклонением состава от стехиометрического
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Условия и механизм образования нестехиометрической фазы
- •Связь между давлением газообразного металлоида и составом равновесной твердой фазы
- •Механизм и равновесие возникновения недостатка металлоида (избытка металла)
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Механизм и равновесие возникновения избытка металлоида (недостатка металла)
- •Зависимости концентраций дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Общие положения
- •Соотношение между константами равновесия процессов возникновения недостатка и избытка металлоида
- •Расчет равновесных концентраций дефектов при заданном давлении металлоида
- •Составление и решение системы уравнений
- •Приближенный метод построения зависимостей концентраций дефектов от давления металлоида Выбор системы координат для построения зависимостей
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Френкель»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Шоттки»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Анализ характера зависимостей концентрации дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Влияние примесей на равновесие дефектов в кристалле
- •Примеси, оказывающие наибольшее влияние на равновесие дефектов
- •Примеси замещения с зарядом катионов, превышающим заряд катионов матрицы
- •Примеси замещения с зарядом катионов меньшим, чем заряд катионов матрицы
- •Механизм и закономерности процесса образования твердого продукта (теория Карла Вагнера)
- •Механизм и условия протекания процесса
- •Электрическая схема процесса
- •Соотношения, определяющие силу тока
- •Уравнения скорости образования твердого продукта
- •Зависимость константы скорости от давления металлоида
- •Возможные лимитирующие стадии процесса
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда ионами Решение в общем виде
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда электронами
- •Анализ ожидаемых закономерностей процесса с помощью теории Вагнера
- •Характеристика образующегося продукта
- •Направление роста ZnO
- •Влияние давления кислорода на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Влияние примесей на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Закономерности протекания реакций с участием металла, имеющего несколько устойчивых степеней окисления
- •Характер образующейся оболочки
- •Закономерности образования многослойной оболочки
- •Соотношения между толщиной слоев
Механизм и закономерности процесса образования твердого продукта (теория Карла Вагнера)
Механизм и условия протекания процесса
Рассмотрим еще раз схему процесса образования твердого продукта MеХ при взаимодействии металла с газообразным металлоидом (см. рис. 2).
Реакция образования MеХ Ме2+·Х2–:
Ме0 (тв) + 1/2 Х20 (газ) D MеХ (тв);
Процессы, протекающие на границах I (поверхность раздела фаз Ме0/MеХ) и II (поверхность раздела фаз MеХ/Х20):
при преобладающей электронной проводимости
I: Ме0 D Ме2+ + 2е–;
II: 1/2 Х20 + 2е– D Х2–
с переходом электронов сквозь слой МеХ от границы I к границе II
или, при избытке дырок,
I: Ме0 + 2е+D Ме2+;
II: 1/2 Х20 D Х2–+ 2е+
с переходом дырок сквозь слой МеХ от границы II к границе I.
Реакция сопровождается уменьшением энергии Гиббса системы и должна протекать самопроизвольно; величину <0 можно считать движущей силой реакции.
Как уже обсуждалось, по мере протекания процесса на границе I накапливаются катионы Ме2+, а на границе II анионы Х2–, и возникает электростатическое поле, препятствующее перемещению электронов от границы I к границе II или дырок от границы II к границе I. При увеличении количества катионов и анионов на границах растет энергия, которая затрачивается на перемещение электронов или дырок, и когда эта энергия сравняется с движущей силой, процесс должен остановиться. Но электростатическое поле действует также на образовавшиеся катионы и анионы, стремясь переместить их соответственно от границы I к границе II и от границы II к границе I; при перемещении безразлично – катионов или анионов происходит деполяризация (разность потенциалов уменьшается), и переход электронов или дырок снова становится возможным.
Таким образом, для протекания процесса необходим одновременный переход электронов от границы I к границе II (или дырок от границы II к границе I) и катионов или анионов соответственно от границы I к границе II и от границы II к границе I, при этом скорость образования ионов в результате перехода электронов или дырок должна быть равна скорости деполяризации. Иначе говоря, скорости переноса зарядов электронами или дырками и переноса зарядов ионами в противоположном направлении должны быть одинаковыми.
Электрическая схема процесса
Направленное перемещение заряженных частиц вызывает перенос заряда, т. е. отвечает прохождению электрического тока. Переходу электронов от границы I к границе II или дырок от границы II к границе I соответствует электронный ток силой Iе, направленный от границы II к границе I (направление электрического тока противоположно направлению движения отрицательно заряженных частиц и совпадает с направлением движения положительно заряженных частиц); переходу катионов от границы I к границе II или анионов от границы II к границе I, соответствует ионный ток силой Ii, направленный от границы I к границе II. При этом из условия равенства скоростей переноса зарядов электронами или дырками и переноса зарядов ионами в противоположном направлении следует, что электронный и ионный токи должны иметь одинаковую силу:
Iе = Ii = I.
На рис. 21 потоки заряженных частиц представлены в виде проходящих через слой продукта электрических токов.
Сила тока однозначно характеризует скорость окислительно-восстановительной реакции.
По закону Фарадея
m = Q/(zF),
где m – количество образовавшегося (или вступившего в реакцию) вещества, моль; Q – количество электричества (прошедший электрический заряд), Кл; z – число электронов, участвующих в реакции; F – число Фарадея, F = 96485,3 Кл/моль (число Фарадея равно произведению заряда электрона на число Авогадро),
и поскольку Q = Iτ, скорость реакции
. (80)
Рис. 21. Электрическая схема процесса образования твердого продукта
dx – толщина элементарного слоя продукта, параллельного поверхностям раздела фаз; x – расстояние от границы I до элементарного слоя; δ – полная толщина слоя продукта (расстояние между границами I и II)
Границы (поверхности раздела фаз)I и II можно сравнить с 2 пластинами, между которыми протекает в одном направлении электронный ток (по проводнику 1-го рода – металлическому) и в противоположном направлении ионный ток (по проводнику 2-го рода – электролиту), причем эти токи имеют одинаковую силу. Это сразу же приводит к выводу, что электрической моделью процесса может служить гальванический элемент (рис. 22).
Рис. 22. Электрическая модель процесса образования твердого продукта
1, 2 – металлические пластины; 3 – электролит; 4 – внешняя цепь
Следовательно, для определения силы тока, протекающего в нашей системе, можно использовать соотношения, известные для гальванического элемента:
;
здесь Е – электродвижущая сила (э.д.с.); re – сопротивление внешней (external) цепи, по которой идет электронный (electron) ток; ri – сопротивление внутренней (internal) цепи, по которой идет ионный (ion) ток.