- •Федеральное агентство по образованию
- •Оглавление
- •Введение
- •Механизм взаимодействия металла с металлоидом и условия, необходимые для протекания процесса
- •Механизм процесса
- •Перемещение ионов под действием электрического поля
- •Характер перемещения ионов в идеальной кристаллической решетке
- •Перемещение ионов в неидеальной кристаллической решетке
- •Перемещение катионов при наличии вакансий в катионной подрешетке
- •Перемещение катионов при возможности их нахождения в междоузлиях
- •Образование тепловых дефектов кристаллической решетки
- •Общие положения
- •Возникновение точечных структурных дефектов кристаллической решетки в результате теплового движения
- •Возникновение точечных структурных дефектов при переходе ионов в междоузлие
- •Переход катиона из узла в междоузлие
- •Переход аниона из узла в междоузлие
- •Возникновение дефектов в результате перехода ионов из объема на поверхность или с поверхности в объем
- •Переход ионов из узлов в объеме кристалла в узлы над его поверхностью
- •Переход ионов из узлов на поверхности кристалла в его объем (в междоузлия)
- •Возникновение тепловых электронных дефектов
- •Константы равновесия процессов образования тепловых дефектов
- •Константа равновесия образования дефектов по Френкелю в катионной подрешетке
- •Константы равновесия образования других тепловых дефектов
- •Расчет равновесной концентрации тепловых дефектов
- •Типы структурной разупорядоченности кристаллов
- •Распространенность различных типов разупорядоченности
- •Образование дефектов нестехиометрии
- •Точечные структурные дефекты, обусловленные отклонением состава от стехиометрического
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Условия и механизм образования нестехиометрической фазы
- •Связь между давлением газообразного металлоида и составом равновесной твердой фазы
- •Механизм и равновесие возникновения недостатка металлоида (избытка металла)
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Механизм и равновесие возникновения избытка металлоида (недостатка металла)
- •Зависимости концентраций дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Общие положения
- •Соотношение между константами равновесия процессов возникновения недостатка и избытка металлоида
- •Расчет равновесных концентраций дефектов при заданном давлении металлоида
- •Составление и решение системы уравнений
- •Приближенный метод построения зависимостей концентраций дефектов от давления металлоида Выбор системы координат для построения зависимостей
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Френкель»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Шоттки»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Анализ характера зависимостей концентрации дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Влияние примесей на равновесие дефектов в кристалле
- •Примеси, оказывающие наибольшее влияние на равновесие дефектов
- •Примеси замещения с зарядом катионов, превышающим заряд катионов матрицы
- •Примеси замещения с зарядом катионов меньшим, чем заряд катионов матрицы
- •Механизм и закономерности процесса образования твердого продукта (теория Карла Вагнера)
- •Механизм и условия протекания процесса
- •Электрическая схема процесса
- •Соотношения, определяющие силу тока
- •Уравнения скорости образования твердого продукта
- •Зависимость константы скорости от давления металлоида
- •Возможные лимитирующие стадии процесса
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда ионами Решение в общем виде
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда электронами
- •Анализ ожидаемых закономерностей процесса с помощью теории Вагнера
- •Характеристика образующегося продукта
- •Направление роста ZnO
- •Влияние давления кислорода на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Влияние примесей на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Закономерности протекания реакций с участием металла, имеющего несколько устойчивых степеней окисления
- •Характер образующейся оболочки
- •Закономерности образования многослойной оболочки
- •Соотношения между толщиной слоев
Приближенный метод построения зависимостей концентраций дефектов от давления металлоида Выбор системы координат для построения зависимостей
Выбор системы координат, наиболее удобной для графического представления зависимостей концентраций дефектов от давления металлоида, определяется следующими соображениями.
1. Поскольку зависимости строятся в интервале давлений ≤≤и≤≤, т. е. по обе стороны от, целесообразно ось ординат располагать в точке =; при этом на оси ординат можно сразу же нанести точки, соответствующие концентрациям тепловых дефектов – очевидно, графики всех зависимостей будут проходить через эти точки.
2. В пределах области гомогенности концентрация дефектов изменяется на порядки. Например, если при = ==.составляет ~10-6, то при избытке металла 1% концентрация катионов в междоузлиях составит уже ~0,01, т. е. увеличится в ~104 раз. Нетрудно показать, что этому отклонению состава будет отвечать давление металлоида, на много порядков меньшее, чем . В самом деле, из уравнения реакции
0 D ↑ + 3e– +
следует, что при уходе металлоида из кристалла катионы в междоузлиях и электроны проводимости образуются одновременно в пропорции 1 : 3, а это значит, что (e–) ~ . Заменив в уравнении (IIIа) (e–) на пропорциональную ей величину , получаем:
~ KФ(Ме)и~,
откуда
~ и~,
а следовательно, при ≈ 104 ≈ 104(-16/3) ≈ 10-21, т. е. для того, чтобы избыток металла составил ~1%, давление металлоида в газовой фазе должно быть ниже, чем , в~1021 раз. Очевидно, что при таких изменениях давления металлоида и концентраций дефектов графики зависимостей можно строить только в билогарифмических координатах.
Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Френкель»
Методику построения диаграмм, приближенно описывающих зависимости равновесных концентраций дефектов от давления металлоида, рассматриваем на примере кристалла Ме2Х3; это позволяет использовать составленную ранее систему уравнений.
Расчет выполним для следующих значений констант равновесия: KФ = 1·10-12, Kи = 1·10-20, KФ(Ме) = 1·10-63.
Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
При =
тепл = тепл = = 1·10-6,
(e–)тепл = (еÁ)тепл = = 1·10-10.
Значение рассчитаем с помощью выведенной ранее (см. п. 4.3.1) формулы:
=====10-36.
Определение концентраций дефектов при ≠
На этом этапе расчета используются два приближения:
1) концентрация дефекта принимается равной сумме концентраций тепловых и нестехиометрических дефектов данного вида;
2) сумма принимается равной большей из концентраций.
Кристалл с избытком металла (<)
0 D ↑ + 3e– + ,
(e–)3 = KФ(Ме), (IIIа)
при этом
= т + нс
(индекс «т» обозначает тепловые дефекты, а индекс «нс» - нестехиометрические);
(e–) = (e–)т + (e–)нс,
и из уравнения реакции видно, что нс = (e–)нс/3 (на 3 образующихся электрона проводимости приходится 1 межузельный катион).
Подставляем суммы в уравнение (IIIа) и выражаем концентрации тепловых дефектов через соответствующие константы равновесия, а нс – через (e–)нс:
[т + нс][(e–)т + (e–)нс]3 = KФ(Ме),
[+ (e–)нс/3][+ (e–)нс]3 = KФ(Ме).
При понижении (e–)нс растет, но на величине сумм, стоящих в квадратных скобках, этот рост отражается по-разному. Константа ионизации и соответственно концентрация тепловых электронов проводимости очень малы, и даже при незначительном отклонении от(e–)нс > (e–)т. Следовательно, при любых <можно принимать(e–) = (e–)нс. В связи с этим в дальнейшем во второй квадратной скобке мы оставляем только (e–)нс, причем для сокращения записей индекс «нс» при концентрации электронов проводимости опускаем. В то же время, поскольку >>, концентрация тепловых межузельных катионов значительна, и концентрация нестехиометрических межузельных катионов становится больше, чем концентрация тепловых, лишь при <<. Поэтому в первой квадратной скобке оставляем оба слагаемых.
Соответственно получаем:
[+ (e–)/3](e–)3 = KФ(Ме). (65)
При малых отклонениях от () > (e–)/3, а при больших (<<) < (e–)/3; граница между областями малых и больших отклонений – давление металлоида , при котором = (e–)/3, или (e–) = 3,lg(e–) = lgKФ + lg3 и после подстановки численных значений получаем, что на границе между областями (e–) = 3·10–6, lg(e–) = -5,523.
Малые отклонения от (≤≤):
т > нс, т. е. >(e–)/3; концентрация катионов в междоузлиях в области малых отклонений давления остается постоянной, равной (такой же, как при ), и lg=lgKФ.
Из уравнения (65) получаем:
(e–)3 = KФ(Ме),
(e–) = ,
lg(e–) = lg– lg.
Таким образом, в логарифмических координатах зависимость концентрации электронов проводимости от давления металлоида описывается уравнением прямой с угловым коэффициентом, равным –. При изменении давления металлоида концентрация электронов проводимости изменяется непрерывно, поэтому очевидно, что прямая должна проходить через точку, соответствующую концентрации электронов при =. Но если известна точка, через которую проходит прямая, достаточно знать только ее угловой коэффициент; это значит, что рассчитывать свободный член в уравнении прямой не нужно, и уравнение можно представить в виде
lg(e–) = const – lg.
Определим теперь зависимости для концентраций вакансий катионов и дырок.
= KФ/, и поскольку=const() = , то и=const() = = , откудаlg=lg= lgKФ.
(е+) = Kи/(e–);
lg(е+) = lgKи – lg(e–) = lgKи – [const – lg] =
= [lgKи – const] + lg = const + lg.
Полезно запомнить: (e–) и (е+) обратно пропорциональны, т. е. если (e–) ~ , то(е+) = Kи/(e–) ~ – при переходе от(e–) к (е+) меняется на противоположный знак показателя степени, но его величина остается неизменной, а в логарифмических координатах меняется знак, но не величина углового коэффициента прямой.
Большие отклонения от (≤):
нс > т, т. е. =нс = (e–)/3; из уравнения (65) получаем:
[(e–)/3](e–)3 = KФ(Ме),
(e–)4 = 3KФ(Ме),
(e–) = [3KФ(Ме)]1/4,
lg(e–) = lg[3KФ(Ме)] – lg= const – lg;
поскольку прямая будет проходить через точку на границе между областями с координатами (lg; lgKФ+lg3), вычислять свободный член в уравнении прямой не понадобится.
= (e–)/3,
lg = lg(e–) – lg3 = {lg[3KФ(Ме)] –lg3} – lg= const – lg;
это уравнение прямой, начинающейся в точке (lg; lgKФ) на границе между областями и проходящей параллельно прямой lg(e–) = f(lg) наlg3 ниже последней.
Зависимости для и (е+):
= KФ/,
lg=lgKФ – lg= {lgKФ –lg[3KФ(Ме)] + lg3} + lg=const + lg;
эта прямая также начинается в точке на границе между областями с координатами (lg; lgKФ); поскольку обратно пропорциональна, угловой коэффициент прямойlg=f(lg) равен по величине и противоположен по знаку угловому коэффициенту прямойlg=f(lg).
(е+) = Kи/(e–);
lg(е+) = lgKи – lg(e–) = lgKи – [const – lg] =
= [lgKи – const] + lg = const + lg;
прямая выходит из точки, соответствующей значению lg(е+) при (на границе между областями).
Кристалл с избытком металлоида (>)
↓ D 3e+ + ,
(е+)3=KФ(Х). (IIIб)
Значение константы равновесия KФ(Х) можно вычислить по выведенной ранее формуле
KФ(Х) =,
но при построении приближенной зависимости необходимости в этом нет.
В уравнении (IIIб)
= т + нс,
причем т = , анс , как видно из уравнения реакции, равна (e+)нс/3.
(e+) = (e+)т + (e+)нс,
и поскольку (e+)т = очень мала, принимаем (e+) = (e+)нс.
В результате получаем:
[+ (e+)/3](e+)3 = KФ(Х). (66)
При малых отклонениях от (≥ ) > (e +)/3, а при больших (>>) < (e+)/3; граница между областями малых и больших отклонений – давление металлоида , при котором = (e+)/3, или (e+) = 3,lg(e+) = lgKФ + lg3; концентрация дырок при давлении металлоида такая же, как концентрация электронов при другом граничном давлении –.
Малые отклонения от (≤≤):
т > нс т. е. >(e+)/3; концентрация вакансий катионов в области малых отклонений давления остается постоянной, равной (такой же, как при ), и lg=lgKФ (это та же горизонтальная прямая, что в области малых отклонений при < ).
Из уравнения (66) получаем:
(e+)3 = KФ(Х),
(e+) = ,
lg(e+) = lg + lg= const + lg.
Эта прямая имеет такой же угловой коэффициент, как прямая lg (e+) = f(lg) в области малых отклонений при < и выходит из той же точки (lg, lgKи), т. е. является ее продолжением.
Если =, то и=иlg= lgKФ – та же горизонтальная прямая, что и в области малых отклонений при <).
С учетом того, что (e–) обратно пропорциональна (е+), получаем:
lg(e–) = const – lg
(эта прямая также является продолжением зависимости lg(e-) = f(lg) в области малых отклонений при <).
Большие отклонения от (≥ ):
нс > т, т. е. =нс = (e+)/3; из уравнения (66) получаем:
[(e+)/3](e+)3 = KФ(X) ,
(e+)4 = 3KФ(X) ,
(e+) = [3KФ(X)]1/4,
lg(e+) = lg[3KФ(X)] + lg= const + lg;
поскольку прямая будет проходить через точку на границе между областями с координатами (lg; lgKФ+lg3), вычислять свободный член в уравнении прямой не понадобится.
= (e+)/3,
lg = lg(e+) – lg3 = {lg[3KФ(X)] –lg3} + lg = const + lg;
это уравнение прямой, начинающейся в точке (lg; lgKФ) на границе между областями и проходящей параллельно прямой lg(e+) = f(lg) наlg3 ниже последней.
Зависимости для и (е–):
= KФ/,
lg=lgKФ – lg= {lgKФ –lg[3KФ(X)] + lg3} – lg=
= const – lg;
эта прямая также начинается в точке на границе между областями с координатами (lg; lgKФ); поскольку обратно пропорциональна, угловой коэффициент прямойlg=f(lg) равен по величине и противоположен по знаку угловому коэффициенту прямойlg=f(lg).
(e–) = Kи/(е+);
lg(e–) = lgKи – lg(е+) = lgKи – [const + lg] =
= [lgKи – const] – lg = const – lg;
прямая выходит из точки, соответствующей значению lg(e–) при (на границе между областями).