- •Федеральное агентство по образованию
- •Оглавление
- •Введение
- •Механизм взаимодействия металла с металлоидом и условия, необходимые для протекания процесса
- •Механизм процесса
- •Перемещение ионов под действием электрического поля
- •Характер перемещения ионов в идеальной кристаллической решетке
- •Перемещение ионов в неидеальной кристаллической решетке
- •Перемещение катионов при наличии вакансий в катионной подрешетке
- •Перемещение катионов при возможности их нахождения в междоузлиях
- •Образование тепловых дефектов кристаллической решетки
- •Общие положения
- •Возникновение точечных структурных дефектов кристаллической решетки в результате теплового движения
- •Возникновение точечных структурных дефектов при переходе ионов в междоузлие
- •Переход катиона из узла в междоузлие
- •Переход аниона из узла в междоузлие
- •Возникновение дефектов в результате перехода ионов из объема на поверхность или с поверхности в объем
- •Переход ионов из узлов в объеме кристалла в узлы над его поверхностью
- •Переход ионов из узлов на поверхности кристалла в его объем (в междоузлия)
- •Возникновение тепловых электронных дефектов
- •Константы равновесия процессов образования тепловых дефектов
- •Константа равновесия образования дефектов по Френкелю в катионной подрешетке
- •Константы равновесия образования других тепловых дефектов
- •Расчет равновесной концентрации тепловых дефектов
- •Типы структурной разупорядоченности кристаллов
- •Распространенность различных типов разупорядоченности
- •Образование дефектов нестехиометрии
- •Точечные структурные дефекты, обусловленные отклонением состава от стехиометрического
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Условия и механизм образования нестехиометрической фазы
- •Связь между давлением газообразного металлоида и составом равновесной твердой фазы
- •Механизм и равновесие возникновения недостатка металлоида (избытка металла)
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Механизм и равновесие возникновения избытка металлоида (недостатка металла)
- •Зависимости концентраций дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Общие положения
- •Соотношение между константами равновесия процессов возникновения недостатка и избытка металлоида
- •Расчет равновесных концентраций дефектов при заданном давлении металлоида
- •Составление и решение системы уравнений
- •Приближенный метод построения зависимостей концентраций дефектов от давления металлоида Выбор системы координат для построения зависимостей
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Френкель»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Шоттки»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Анализ характера зависимостей концентрации дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Влияние примесей на равновесие дефектов в кристалле
- •Примеси, оказывающие наибольшее влияние на равновесие дефектов
- •Примеси замещения с зарядом катионов, превышающим заряд катионов матрицы
- •Примеси замещения с зарядом катионов меньшим, чем заряд катионов матрицы
- •Механизм и закономерности процесса образования твердого продукта (теория Карла Вагнера)
- •Механизм и условия протекания процесса
- •Электрическая схема процесса
- •Соотношения, определяющие силу тока
- •Уравнения скорости образования твердого продукта
- •Зависимость константы скорости от давления металлоида
- •Возможные лимитирующие стадии процесса
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда ионами Решение в общем виде
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда электронами
- •Анализ ожидаемых закономерностей процесса с помощью теории Вагнера
- •Характеристика образующегося продукта
- •Направление роста ZnO
- •Влияние давления кислорода на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Влияние примесей на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Закономерности протекания реакций с участием металла, имеющего несколько устойчивых степеней окисления
- •Характер образующейся оболочки
- •Закономерности образования многослойной оболочки
- •Соотношения между толщиной слоев
Влияние примесей на равновесие дефектов в кристалле
Примеси, оказывающие наибольшее влияние на равновесие дефектов
Все природные или полученные искусственно вещества в разной степени загрязнены примесями посторонних элементов. Кроме того, различные примеси могут вводиться в кристалл преднамеренно с целью формирования необходимых физических свойств; наиболее известным примером служит введение в германий и кремний примесей элементов третьей и пятой групп периодической системы (легирование германия и кремния) для получения полупроводниковых материалов с p и n типом проводимости. И, наконец, в кристаллах, содержащих катионы переходных металлов, имеющих, как правило, несколько устойчивых степеней окисления, возможен переход части катионов в степень окисления, нехарактерную для данной кристаллической решетки; такие катионы можно также рассматривать как примесь.
В зависимости от природы примесей они могут присутствовать в кристалле в пренебрежимо малых или заметных количествах и оказывать на свойства кристалла, включая равновесие дефектов, незначительное или существенное влияние.
Прежде всего, посторонние примеси можно разделить на две группы по виду образуемых ими твердых растворов с основным веществом – на примеси, образующие растворы внедрения (примеси внедрения) и примеси, образующие растворы замещения (примеси замещения). В кристаллах твердых растворов внедрения атомы растворенного элемента располагаются в междоузлиях, что возможно только при малых размерах атомов примеси (атомы H, C, N, O, B). Указанные металлоиды образуют растворы внедрения со значительной концентрацией только в переходных металлах, для ионных кристаллов образование растворов этого вида нехарактерно. В твердых растворах замещения, образуемых двумя веществами (растворителем, или матрицей, и растворенным), катионы растворенного вещества замещают в кристаллической решетке матрицы катионы растворителя, а анионы растворенного вещества – анионы растворителя. Этот вид растворов наиболее характерен для ионных кристаллов, и в дальнейшем рассматриваются только примеси, образующие растворы замещения.
Второе обстоятельство, определяющее степень влияния примеси на свойства кристалла, – это близость или различие химических свойств (прежде всего величины заряда катионов и анионов) растворенного вещества и растворителя. Примеси, ионы которых имеют такую же степень окисления и соответственно такой же заряд, как ионы матрицы, называют изовалентными, а примеси с отличающимся зарядом ионов – неизовалентными.
Неизовалентные примеси замещения могут содержать катион или/и анион, заряды которых отличаются от зарядов соответствующих ионов матрицы. Однако примеси с неизовалентными анионами не образуют растворы замещения со сколько-нибудь заметной концентрацией. В самом деле, для растворов замещения, содержащих изовалентные анионы Cl–, Br– и I–; S2–, Se2– и Te2–; S2–и O2–, характерны широкие области гомогенности, а соединения, содержащие неизовалентные анионы (например, Cl– и S2–, O2– и Р3–) практически не способны растворяться друг в друге. Поэтому в дальнейшем рассматривается влияние примесей замещения только с изовалентными анионами. В то же время неизовалентное замещение катионов – очень распространенное явление: в сульфидных минералах меди (2+) присутствуют замещающие медь катионы Ag (1+) и Au (1+); природный минерал сфалерит – сульфид цинка ZnS (катион матрицы Zn2+) всегда содержит неизовалентные катионы замещения In3+, Pb4+ и Sn4+ и т.д.
Если и анион, и катион растворенного вещества имеют такие же степени окисления, как анион и катион растворителя, отношение чисел катионов и анионов в кристаллической решетке примеси и матрицы одинаковое. А это значит, что при растворении примеси ее катионы и анионы размещаются в узлах кристаллической решетке матрицы точно так же, как катионы и анионы самого растворителя – без возникновения каких-либо точечных структурных дефектов. Если же заряд катиона примеси отличается от заряда катиона растворителя (при одинаковых зарядах анионов), отношения чисел катионов и анионов в кристаллической решетке примеси и матрицы различны, и растворение примеси приводит к возникновению точечных структурных дефектов. При (Ме:Х)прим>(Ме:Х)матр возможно вытеснение катионов матрицы «лишними» катионами примеси в междоузлия либо появление незанятых анионных узлов, а при (Ме:Х)прим<(Ме:Х)матр – появление незанятых катионных узлов (переход анионов в междоузлия невозможен ни в кристаллах типа «Френкель», ни в кристаллах типа «Шоттки»).
Таким образом, примеси, оказывающие существенное влияние на равновесие дефектов, – это примеси замещения, содержащие катионы со степенью окисления, отличающейся от степени окисления катионов матрицы.