Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
учебник.doc
Скачиваний:
668
Добавлен:
25.03.2015
Размер:
21.47 Mб
Скачать

5.1.1. Классификация

В зависимости от взаимного расположения двойной связи и функциональной группы среди функциональных производных непредельных углеводородов можно выделить три группы.

К первой группе относятся соединения, называемые производными винильного типа. Их можно представить общей формулой R-CН=СН-X (имеющиеся в этой формуле атомы водорода также могут быть заменены углеводородными радикалами). Здесь гетероатом (галоген или кислород) непосредственно связан с sp2-гибридизованным атомом углерода двойной связи. Если вместо заместителя R — атом водорода, то функциональная группа X связана с винильным радикалом CН2=СН- — отсюда и название данного типа производных.

Ко второй группе относятся соединения, называемые производными аллильного типа. Они могут быть представлены общей формулой R-CН=СН-CН2-X (в этой формуле тоже вместо атомов водорода могут быть углеводородные радикалы). Гетероатом функциональной группы X не может непосредственно взаимодействовать с двойной связью за счёт своей неподелённой пары электронов, этому мешает наличие тетраэдрического атома углерода группировки -CН2-, однако здесь могут наблюдаться, как мы увидим далее, другие электронные взаимодействия. Радикал R-CН=СН-CН2- является производным от аллильного CН2=СН-CН2-, поэтому такое же название и у соединений данного типа.

К третьей группе относятся соединения, в молекулах которых функциональная группа и двойная связь разделены цепью из нескольких тетраэдрических атомов углерода; между группой X и двойной связью не возможен ни один из видов сопряжения. Химическое поведение данного соединения определяется свойствами, с одной стороны, кратной связи и, с другой стороны, функциональной группы. Так, для соединений типа R-CН=СН-(CН2)n-X должны быть характерны, например, реакции SN, как и для галогеналканов, и, например, реакции AdE, как и для алкенов. Конечно же при обсуждении реакций нуклеофильного замещения для этих соединений необходимо учитывать наличие кратной связи, которая может повлиять на скорость реакции, а может быть, даже и на направление. Точно так же при обсуждении реакций электрофильного присоединения необходимо учитывать наличие электроноакцепторной группы X, которая может повлиять и на скорость, и на направление присоединения.

5.1.2. Субстраты винильного типа

Строение

Гетероатомы функциональной группы X (галогены или кислород) имеют неподелённую электронную пару, за счёт которой могут участвовать в р--сопряжении:

Благодаря +М-эффекту возникает частичная двоесвязанность гетероатома с углеродом. Кроме того, в этих соединениях длина связи С–Х меньше, чем в соответствующих предельных производных (галогеналканах, спиртах, эфирах), так как эта связь образована здесь за счёт sp2-гибридной орбитали атома углерода (а в предельных аналогах — за счёт sp3-гибридной орбитали).

Из-за сопряжения повышается электронная плотность на -связи. Поэтому субстраты винильного типа по сравнению с этиленом должны проявлять бóльшую склонность вступать в электрофильное присоединение.

Реакции электрофильного присоединения

Повышение электронной плотности на -связи (за счёт сопряжения) приводит к увеличению реакционной способности субстратов винильного типа по отношению к электрофилам (в частности, к протону). При этом наблюдается чёткая ориентация присоединения, объясняемая как статическим фактором (распределением электронной плотности в исходной молекуле субстрата), так и динамическим (устойчивостью образующегося карбокатиона):

Реакции нуклеофильного замещения

Нуклеофильное замещение затруднено по любому из механизмов, описанных для галогеналканов. Можно сказать, что вообще нуклеофильное замещение для субстратов данного типа нехарактерно. Диссоциация субстрата по механизму SN1 невозможна из-за высокой прочности связи С–Х и её частичной двоесвязанности (см. строение), а атака субстрата нуклеофилом по механизму SN2 также маловероятна, потому что хотя реакционный центр пространственно доступен, но он экранирован -электронной плотностью, которая создаёт электростатические препятствия атаке.